公开(公告)号：JPWO2011102064A1

公开(公告)日：2013-06-17

申请号：JP2012500477

申请日：2010-12-28

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 真也 周布本 ,  真也 周布本 ,  石川　悟司 ,  悟司 石川 ,  明理 佐古 ,  明理 佐古 ,  哲也 山村 ,  哲也 山村 ,  雄一朗 有村 ,  雄一朗 有村 ,  政暁 花村 ,  政暁 花村

IPC: H01L21/28 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/26 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L21/28575 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/40 ,  H01L2933/0016 ,  H01S5/0425

Abstract: 本発明は、リフトオフ法によりn型半導体上に電極を良好に形成できる方法を提供することを目的とする。本発明のn型半導体層上の電極の形成方法は、化学増幅型ネガ型レジストを用いたリソグラフィー法によりn型半導体層上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターン間に金属膜を形成する工程と、前記レジストパターンを剥離し、前記n型半導体層上に形成された前記金属膜からなる電極を得る工程とを含むことを特徴とする。

公开(公告)号：JP5500230B2

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：JP2012241707

申请日：2012-11-01

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 耕二 西川 ,  明理 佐古

IPC: G03F7/039 ,  C08F220/12 ,  C08F220/18 ,  C08F220/30 ,  C08F220/58 ,  G03F7/004

公开(公告)号：JP5217707B2

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：JP2008178853

申请日：2008-07-09

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 耕二 西川 ,  明理 佐古

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039

公开(公告)号：JP5076945B2

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：JP2008030558

申请日：2008-02-12

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 耕二 西川 ,  奈美 鬼丸 ,  明理 佐古

IPC: G03F7/033 ,  G03F7/027 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

公开(公告)号：JP5360059B2

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：JP2010518972

申请日：2009-06-08

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 耕二 西川 ,  明理 佐古

IPC: G03F7/004 ,  C08F12/24 ,  C08F220/26 ,  G03F7/033

CPC classification number: C08F2/46 ,  C08F12/24 ,  C08F220/18 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/031 ,  G03F7/033 ,  C08F220/30

Abstract: A negative-tone radiation-sensitive resin composition includes an alkali-soluble resin, a radically polymerizable compound, a radiation-sensitive radical initiator, and an organic solvent. The alkali-soluble resin includes a phenolic hydroxyl group. The radically polymerizable compound includes an ethylenically unsaturated double bond. The organic solvent includes an ethylene glycol organic solvent having a saturation vapor pressure of 3 mmHg or less at 20° C. and 1 atmosphere.

公开(公告)号：JP5293877B1

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：JP2012278080

申请日：2012-12-20

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 昭人 廣 ,  政暁 花村 ,  太 山戸 ,  裕司 下山 ,  純 武川 ,  光 水野 ,  明理 佐古 ,  智彦 櫻井

IPC: C08L63/00 ,  C08F12/22 ,  C08G59/32 ,  G03F7/038 ,  H01L21/027 ,  H05K1/03

Abstract: 【課題】伸び物性に優れた硬化膜を形成することが可能な樹脂組成物、前記組成物の含有成分として好適な重合体、前記組成物から形成された硬化膜、前記硬化膜を有する電子部品を提供する。
【解決手段】（Ａ）式（ａ１）で表される構造単位および式（ａ２）で表される構造単位を有する重合体と、（Ｆ）溶剤とを含有する樹脂組成物。

【選択図】なし

公开(公告)号：JP5240380B1

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：JP2012128954

申请日：2012-06-06

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 昭人 廣 ,  政暁 花村 ,  太 山戸 ,  裕司 下山 ,  純 武川 ,  光 水野 ,  明理 佐古 ,  智彦 櫻井

IPC: C08L63/00 ,  C08F12/22 ,  C08G59/32 ,  G03F7/038 ,  H01L21/027 ,  H05K1/03

CPC classification number: C08G59/3209 ,  C08F12/22 ,  C08F212/14 ,  C08L25/18 ,  C08F212/08 ,  C08K5/04

Abstract: 【課題】伸び物性に優れた硬化膜を形成することが可能な樹脂組成物、前記組成物の含有成分として好適な重合体、前記組成物から形成された硬化膜、前記硬化膜を有する電子部品を提供する。
【解決手段】（Ａ）式（ａ１）で表される水酸基をもった構造単位および式（ａ２）で表されるカチオン重合性基をもった構造単位を有する重合体と、（Ｆ）溶剤とを含有する樹脂組成物。

【選択図】なし