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公开(公告)号：JPWO2006035840A1
公开(公告)日：2008-05-15
申请号：JP2006537784
申请日：2005-09-28
CPC classification number: B22F1/025 , B22F2001/0033 , B22F2999/00 , H01B1/02 , H01B1/22 , H01G4/0085 , H01G4/12 , H01G4/30 , Y10T29/435 , B22F9/24
Abstract: 特に内部電極層の各厚みが薄層化した場合でも、焼成段階での導電性粒子の粒成長を抑制し、球状化、電極途切れを有効に防止し、静電容量の低下を効果的に抑制可能で、しかも被覆層用金属の異常偏析が無く、薄い被覆層で覆われたコア粒子を効率よく製造することができる導電性粒子の製造方法。ニッケルを主成分とするコア部51と、その周囲を覆っている被覆層52とを有する導電性粒子を製造する方法である。コア用粉末と、被覆層52を形成する金属または合金を含む水溶性金属塩と、界面活性剤(または水溶性高分子化合物)とを混合させ、コア用粉末の外表面に、被覆層52を形成する金属または合金を還元析出させる。被覆層52を形成する金属または合金が、Ru、Rh、ReおよびPtから選ばれる少なくとも1種の元素を主成分として有する。
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公开(公告)号：JPWO2005117040A1
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：JP2006513827
申请日：2005-04-22
CPC classification number: H01G4/30 , H01G4/0085 , H01G4/12 , Y10T29/417
Abstract: 内部電極層のそれぞれの厚みを薄層化した場合でも、焼成段階での金属粒子の粒成長を抑制し、内部電極層の球状化、電極途切れを有効に防止し、静電容量の低下を効果的に抑制することができる積層セラミックコンデンサなどの電子部品およびその製造方法を提供する。本発明では、内部電極層12と誘電体層10とを有する電子部品を製造する方法であって、誘電体薄膜42a,42bおよび金属薄膜40を有する焼成前内部電極薄膜12aを形成する工程と、焼成後に誘電体層10となるグリーンシート10aと前記内部電極薄膜12aとを積層させる工程と、前記グリーンシート10aと前記内部電極薄膜12aとの積層体を焼成する工程とを有する電子部品の製造方法。
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公开(公告)号：JPWO2004070748A1
公开(公告)日：2006-05-25
申请号：JP2005504828
申请日：2004-02-03
CPC classification number: H01G4/0085 , H01G4/012 , H01G4/1227 , H01G4/30 , H01G4/306
Abstract: 内部電極層を含む素子本体を有する電子部品であって、前記内部電極層が、合金を含み、該合金が、ニッケル(Ni)元素と、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、レニウム(Re)および白金(Pt)から選ばれる少なくとも1種の元素とを、有し、各成分の含有量が、Ni:80〜100モル%(ただし、100モル%は除く)、Ru、Rh、ReおよびPtの合計:0〜20モル%(ただし、0モル%は除く)である電子部品。
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公开(公告)号：JPWO2005117041A1
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：JP2006513932
申请日：2005-05-26
CPC classification number: H01G4/30 , H01G4/0085 , H01G4/1209 , H01G4/1227
Abstract: 内部電極層12と誘電体層10とを有する電子部品を製造する方法であって、導電体成分および誘電体成分を含有する焼成前内部電極薄膜12aを形成する工程と、焼成後に誘電体層10となるグリーンシート10aと前記内部電極薄膜12aとを積層させる工程と、前記グリーンシート10aと前記内部電極薄膜12aとの積層体を焼成する工程とを有する電子部品の製造方法であって、内部電極層のそれぞれの厚みを薄層化した場合でも、焼成段階での導電体粒子の粒成長を抑制し、内部電極層の球状化、電極途切れを有効に防止し、静電容量の低下を効果的に抑制することができる積層セラミックコンデンサなどの電子部品およびその製造方法を提供する。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：JP5293951B2
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：JP2008328171
申请日：2008-12-24
Applicant: Tdk株式会社
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic component having high electrostatic capacitance and a high breakdown voltage even when an internal electrode layer is made thin and multi-layered, and also having a suppressed structural defect. SOLUTION: The electronic component has an element body including the internal electrode layer and a dielectric layer, and the internal electrode layer contains at least Ni and has a line coverage of ≥75%, an electrode average thickness of ≤0.8 μm, and an electrode average length of ≥3.0 μm, conductive paste used to form an electrode paste film which becomes the internal electrode layer after being burnt contains conductive powder having the Ni and common material particles made of ceramic particles, wherein >0 to ≤10 mass% of the common material particles is contained for 100 mass% of the conductive powder. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
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公开(公告)号：JP4853360B2
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：JP2007095374
申请日：2007-03-30
Applicant: Tdk株式会社
IPC: C04B35/468 , H01B3/12 , H01G4/12
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve an improvement of high-temperature acceleration life (HALT) of insulation resistance (IR) and breakdown voltage (VB), in a reduction resistant dielectric ceramic composition including a perovskite type dielectric ceramic as a main component. SOLUTION: The dielectric ceramic composition comprises a main component including a compound having a perovskite type crystal structure and being represented by the general formula ABO 3 (wherein A is one kind or more elements selected from Ba, Ca, Sr and Mg, B is one kind or more elements selected from Ti, Zr and Hf, and [A]/[B] (molar ratio) is 0.990≤[A]/[B] COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
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