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    ワイヤーソー切断方法及びその装置
    1.
    发明专利
    ワイヤーソー切断方法及びその装置 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2017119471A1

    公开(公告)日：2018-09-27

    申请号：JP2017000222

    申请日：2017-01-06

    申请人： 株式会社ダイアテック

    发明人： 谷本 明良

    IPC分类号： B23D59/00 ,  B23Q11/00 ,  B23Q11/08 ,  B23D57/00

    CPC分类号： B23D57/02 ,  B23D61/18 ,  B24B27/06

    摘要： 【課題】切断効率を大幅に向上して作業時間を短縮できるようにしたワイヤーソー切断方法を提供する。 【解決手段】ワイヤーに複数の切削用ビーズを所定のピッチで付設してなるワイヤーソーを複数のガイドプーリーと駆動プーリーとの間に無端状に掛け渡し、ワイヤーソーを切断対象物に押し付けるとともにワイヤーソーを走行させて切断対象物を切断するにあたり、切削用ビーズ(11)の押付け力ベクトル(T1)とワイヤーソー(10)の走行速度ベクトル(F1)との合成ベクトル(C1)の指向方向が切削用ビーズの最適切断方向ベクトルに近づくように、切削用ビーズの押付け力及びワイヤーソーの走行速度の両方又は一方を設定し又は調整するようにした。

    ワイヤ工具用ダイヤモンド砥粒およびワイヤ工具
    5.
    发明专利
    ワイヤ工具用ダイヤモンド砥粒およびワイヤ工具 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2017056877A1

    公开(公告)日：2018-06-07

    申请号：JP2017543054

    申请日：2016-09-06

    申请人： 古河電気工業株式会社

    发明人： 田中 直樹 ,  松永 善則 ,  久保田 哲治

    IPC分类号： B24D11/00 ,  B23D61/18 ,  B24D3/00 ,  B24D3/06 ,  B28D1/08 ,  B28D5/04

    CPC分类号： B23D61/18 ,  B24D3/00 ,  B24D3/06 ,  B24D11/00

    摘要： 砥粒(13)を芯線(11)に付着させる前に、砥粒(13)の表面には、パラジウム被覆(17)が施される。パラジウム被覆(17)は、ダイヤモンド粒子(14)の表面に対して海状に形成される。すなわち、パラジウム被覆(17)は、ダイヤモンド粒子(14)の表面に対して、全体が連続するように被覆する。また、パラジウム被覆(17)は、完全にダイヤモンド粒子(14)を被覆するのではなく、一部においてパラジウム被覆(17)が施されずに、ダイヤモンド露出部(18)が設けられる。ダイヤモンド露出部(18)は、砥粒(13)の表面に対して島状に形成される。すなわち、ダイヤモンド露出部(18)は、島状に互いに離間して複数形成される。

    ダイヤモンドワイヤーソー
    6.
    发明专利
    ダイヤモンドワイヤーソー 有权
    金刚石线锯

    公开(公告)号：JP5831860B1

    公开(公告)日：2015-12-09

    申请号：JP2014123719

    申请日：2014-06-16

    申请人： キム ヒョヨン ,  株式会社ダイアテック

    发明人： キム ヒョヨン ,  谷本 明良

    IPC分类号： B28D1/12 ,  B23D61/18

    CPC分类号： B23D61/18 ,  B28D1/12

    摘要： 【課題】ダイヤモンドワイヤーソーの切断速度と寿命を向上させる。 【解決手段】ワイヤーロープ2上に複数のビーズ3が互いに離間して配されている。ビーズ3は、基台5の外周面上に設けられた環状のダイヤモンド層4を備える。ダイヤモンドワイヤーソー1の長手方向における一方の側である第1側を向いたダイヤモンド層4の第1端面41には、少なくとも一つの第1凸部41aと少なくとも一つの第1凹部41bとが形成されている。ビーズ3の中心軸3aを含み且つ少なくとも一つの第1凹部41bを通る断面において、第1端面41は、内側端縁411から外側端縁412にいくにしたがって第1側から遠ざかるように傾斜している。第1端面41は、少なくとも一つの第1凸部41aと少なくとも一つの第1凹部41bとをつなぐ滑らかな曲面で構成されている。基台5は金属細線を螺旋状に巻いたコイルである。 【選択図】図1

    摘要翻译： 为了提高金刚石绳锯的切割速度和寿命。 多个在钢丝绳2珠3从彼此分开设置。 珠3设置有设置在底座5的外周表面上的金刚石层4环。 面对所述第一侧的金刚石层4的第一端面41是金刚石线的纵向方向的一侧锯1包括至少一个第一突出部41a和至少一个第一凹部41B形成 有。 在通过和至少一个第一凹部41b的横截面包括在胎圈3的中心轴3a中，第一端面41从内边缘411朝向外边缘412的第一侧远离倾斜 那里。 第一端面41由平滑的曲面连接所述至少一个第一突出部41a和至少一个第一凹部41b的形成。 基座5是绕有细金属丝螺旋地的线圈。 点域1

    Slicing method of semiconductor single crystal ingot
    7.
    发明专利
    Slicing method of semiconductor single crystal ingot 有权
    半导体单晶晶体的切割方法

    公开(公告)号：JP2014195025A

    公开(公告)日：2014-10-09

    申请号：JP2013071236

    申请日：2013-03-29

    申请人： Sumco Techxiv株式会社 ,  Sumco Techxiv Corp

    发明人： NOGUCHI HIROSHI

    IPC分类号： H01L21/304 ,  B24B27/06

    CPC分类号： H01L29/0657 ,  B23D57/0023 ,  B23D57/0046 ,  B23D61/18 ,  B28D1/08 ,  B28D5/0088 ,  B28D5/042 ,  B28D5/045 ,  Y10T428/21

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To precisely control a deflection amount of a wafer to a wanted amount as well as reduce the deflection amount of the wafer.SOLUTION: A slicing method of a semiconductor single crystal ingot 13 is improved, in which a cylindrical semiconductor single crystal ingot 13 is bonded and held by a holding jig 14 while it is rotated by a predetermined rotation angle around a crystal axis 13b of the ingot 13 which is different from a central axis 13a of the cylinder of the ingot 13, and in this condition, the ingot 13 is sliced by a cutting device 16. The configuration is featured by determining a predetermined rotational angle when the ingot 13 is bonded and held by the holding jig 14 such that a deflection amount of the wafer having been sliced by the cutting device 16 becomes a predetermined amount.

    摘要翻译： 要解决的问题：将晶片的偏转量精确地控制到期望的量以及减小晶片的偏转量。解决方案：改进半导体单晶锭13的切片方法，其中圆柱形半导体单晶 晶锭13由保持夹具14接合并保持，同时围绕与锭13的圆筒的中心轴线13a不同的锭13的晶轴13b旋转预定的旋转角度，在该条件下 通过切割装置16对锭13切片。该结构的特征在于，当锭13被保持夹具14接合并保持时，通过确定切割装置切片的晶片的偏转量来确定预定的旋转角度 16变为预定量。