レーザ加工方法
    2.
    发明专利
    レーザ加工方法 审中-公开
    激光加工方法

    公开(公告)号:JP2015150609A

    公开(公告)日:2015-08-24

    申请号:JP2014028268

    申请日:2014-02-18

    摘要: 【課題】微細且つ良好なレーザ加工を行い得るレーザ加工方法及び電子部品の製造方法を提供する。 【解決手段】厚さが10μm以上のマスク材12を物体10上に付す工程と、物体上にマスク材が付されている状態で、物体の上方から超短パルスレーザ光を照射し、マスク材を貫く開口14を形成しつつ、物体のうちの開口14の下方の箇所を超短パルスレーザ光により除去加工することにより、物体に孔16を開ける、又は、物体を切断する工程とを有している。 【選択図】図3

    摘要翻译: 要解决的问题:提供能够进行精细且优异的激光加工的激光加工方法和电子部件制造方法。解决方案:激光加工方法包括:施加厚度为10μm的掩模材料12的步骤或 更多的是对象10; 以及从物体上方照射超短脉冲激光束的步骤,使得通过超短脉冲激光束去除开口14下方的物体的部分,从而打开物体中的孔16或切断 物体。

    蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法
    3.
    发明专利
    蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 有权
    蒸气沉积掩模,蒸气沉积掩模制备体,蒸发沉积掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法

    公开(公告)号:JP2014218735A

    公开(公告)日:2014-11-20

    申请号:JP2014059431

    申请日:2014-03-24

    IPC分类号: C23C14/04 H01L51/50 H05B33/10

    摘要: 【課題】大型化した場合でも高精細化と軽量化の双方を満たすことができ、かつ、強度を保ちつつも、高精細な蒸着パターンの形成が可能な蒸着マスク、及びこの蒸着マスクを簡便に製造することができる蒸着マスクの製造方法や蒸着マスク準備体、さらには高精細な有機半導体素子を製造することができる有機半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】複数のスリット15が設けられた金属マスク10と、樹脂マスク20とが積層され、樹脂マスク20には、複数画面を構成するために必要な開口部25が設けられ、開口部25は、蒸着作製するパターンに対応しており、各スリット15が、少なくとも1画面全体と重なる位置に設けられている。【選択図】図1

    摘要翻译: 要解决的问题:为了提供即使制成大尺寸也能够高精度和轻量化的气相沉积掩模,并且可以在保持强度的同时形成高精度气相沉积图案,气相沉积掩模制造方法和蒸镀掩模 制造体,使得可以容易地制造气相沉积掩模,以及可制造高精度有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。解决方案:设置有多个狭缝15的金属掩模10和树脂 掩模20被堆叠,并且树脂掩模20设置有构成多个屏幕所需的开口部25。 开口部分25对应于通过气相沉积制造的图案,并且每个狭缝15设置在狭缝与至少一个整个屏幕重叠的位置处。

    Protective film, laminated film and laser processing method using the same
    9.
    发明专利
    Protective film, laminated film and laser processing method using the same 审中-公开
    保护膜,层压膜和使用其的激光加工方法

    公开(公告)号:JP2009155625A

    公开(公告)日:2009-07-16

    申请号:JP2008110322

    申请日:2008-04-21

    摘要: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a protective film for laser processing free from the problem of debris upon processing and free from the problem of waste water contamination when it is removed, to provide a laminated film, and to provide a laser processing method using the protective film for laser processing. SOLUTION: The protective film for laser processing contains a (meth)acrylate copolymer and a radiation-polymerizable (meth)acrylate having an unsaturated bond. The laminated film has peeling liners laminated on both the sides of the protective film for laser processing. The laser processing method comprises: a pasting stage where a protective film for laser processing is pasted on the surface of the material to be processed; and a laser processing stage where the material to be processed is irradiated with laser light via a protective film for laser processing. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

    摘要翻译: 要解决的问题:为了提供一种在处理时没有碎屑问题的激光加工保护膜,当除去时没有废水污染的问题,提供层压膜,并提供激光加工 方法使用保护膜进行激光加工。 解决方案:用于激光加工的保护膜含有(甲基)丙烯酸酯共聚物和具有不饱和键的可辐射聚合的(甲基)丙烯酸酯。 层压膜具有层压在用于激光加工的保护膜的两侧上的剥离衬垫。 激光加工方法包括:将待加工材料的表面上粘贴用于激光加工的保护膜的粘贴阶段; 以及通过激光加工用保护膜用激光照射待处理材料的激光加工台。 版权所有(C)2009,JPO&INPIT

    Method of manufacturing semiconductor device
    10.
    发明专利
    Method of manufacturing semiconductor device 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:JP2008147626A

    公开(公告)日:2008-06-26

    申请号:JP2007268621

    申请日:2007-10-16

    摘要: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide not only a method of simply and accurately forming a thin film without using resist, but also a method of manufacturing a semiconductor device at low cost. SOLUTION: The method of manufacturing the semiconductor device includes the steps of forming a first layer on a substrate, forming a peeling layer 113 on the first layer 102, selectively irradiating a laser beam to the peeling layer from the side thereof to reduce the adhesiveness of part of the peeling layer, removing the peeling layer with the reduced adhesiveness to selectively etch the first layer that allows the left peeling layer to be a mask, forming the peeling layer on the substrate, and selectively irradiating a first laser beam to at least the peeling layer to reduce the adhesiveness of part thereof. Further, the method includes the steps of removing the peeling layer with the reduced adhesiveness, forming the first layer on the left peeling layer, irradiating a second laser beam to the left peeling layer to reduce the adhesiveness thereof, and removing the left peeling layer and the first layer adjacent thereto. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

    摘要翻译: 要解决的问题:不仅提供简单且精确地形成薄膜而不使用抗蚀剂的方法,而且还提供了一种以低成本制造半导体器件的方法。 解决方案:制造半导体器件的方法包括以下步骤:在衬底上形成第一层,在第一层102上形成剥离层113,从侧面选择性地向剥离层照射激光束以减少 剥离层的一部分的粘合性,以降低的粘合性去除剥离层,以选择性地蚀刻允许左剥离层为掩模的第一层,在基板上形成剥离层,并且选择性地将第一激光束照射到 至少剥离层以降低其部分的粘附性。 此外,该方法包括以下步骤:以降低的粘附性去除剥离层,在左剥离层上形成第一层,向第二激光束照射左剥离层以降低其粘附性,并除去左剥离层和 与其相邻的第一层。 版权所有(C)2008,JPO&INPIT