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公开(公告)号：JPWO2006103985A1
公开(公告)日：2008-09-04
申请号：JP2007510417
申请日：2006-03-22
申请人： 東ソ−・エフテック株式会社
CPC分类号： C07C67/307 , C07B39/00 , C07C17/16 , C07C2601/08 , C07C2603/74 , C07C19/08 , C07C23/38 , C07C23/08 , C07C69/65 , C07C69/63
摘要： 安価で、取り扱いの容易なN−(2−クロロ−1,1,2−トリフルオロエチル)ジエチルアミンを用い、塩素体の副生を抑制し、高純度なフルオロ化合物を製造する下記方法を提供する。一般式(1)R1R2R3COH (1)(式中R1は水素原子、置換もしくは未置換のアルキル基等を、R2、R3は置換もしくは未置換のアルキル基等を示す。)で表されるアルコール誘導体をN,N−ジエチル−2−クロロ−1,1,2−トリフルオロエチルアミンを用いてフッ素化し、一般式(2)R1R2R3CF (2)(式中R1、R2およびR3は、前記定義に同じ)で表されるフルオロ化合物を製造する方法において、一般式(3)R4OH (3)(式中R4は置換もしくは未置換のアルキル基またはアリール基を示す)で表されるアルコール誘導体を添加することを特徴とするフルオロ化合物の製造方法。
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公开(公告)号：JP3792051B2
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：JP19414098
申请日：1998-07-09
申请人： セントラル硝子株式会社 , 日本ゼオン株式会社
IPC分类号： B01J27/132 , C07C17/20 , C07B61/00 , C07C17/21 , C07C23/08
CPC分类号： C07C23/08 , C07C17/206 , C07C17/208 , C07C17/21
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公开(公告)号：JP2013538203A
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：JP2013525271
申请日：2011-08-22
发明人： ロバート ホッジス ジョージ , ファーバー ドミニク , ジェイムズ ロビンソン アラン , チャールズ ショー アンドリュー
CPC分类号： C07C17/25 , C07C23/08 , C07C2601/10 , C07C22/02
摘要： 本発明は、式（Ｉ）の調製のための方法であって、式（ＩＩ）（式中、Ｘは、クロロまたはブロモである）の化合物を熱分解させる工程を含む方法、および式Ｉの化合物の製造のための中間体として使用され得る化合物、および前記中間体の調製に関する。
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公开(公告)号：JP4492764B2
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：JP14356299
申请日：1999-05-24
申请人： 日本ゼオン株式会社
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/3065 , C07C17/20 , C07C17/38 , C07C17/383 , C07C17/389 , C07C23/08 , H01L21/205 , H01L21/311 , H01L21/312 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/32137 , C07C17/208 , C07C17/38 , C07C17/383 , C07C17/389 , C07C23/08 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/3127
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公开(公告)号：JPWO2007063938A1
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：JP2007547994
申请日：2006-11-30
申请人： 日本ゼオン株式会社
IPC分类号： C07C17/389 , C07C21/20 , C07C21/22 , C07C23/08 , C23C16/30 , C23C16/50 , H01L21/312
CPC分类号： C23C16/4402 , B01D15/00 , B01J20/0248 , B01J20/06 , C07C17/38 , C07C17/395 , C07C2601/10 , C23C16/26 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/3127 , C07C21/20 , C07C23/08 , C07C21/22
摘要： 本発明は、式:C5F8または式:C4F6で表される不飽和フッ素化炭素化合物の粗製物と、酸化ホウ素とを接触させることにより、前記不飽和フッ素化炭素化合物の精製物を得ることを特徴とする不飽和フッ素化炭素化合物の精製方法、並びに、得られた精製物をプラズマ反応用ガスとして用いる、CVD法によるフルオロカーボン膜の成膜方法、及びこのCVD法によるフルオロカーボン膜の成膜工程を有する半導体装置の製造方法である。本発明の精製方法により得られた不飽和フッ素化炭素化合物の精製物は、高純度で、かつ水分含有量が極めて少ないため、特にプラズマCVD法によるフルオロカーボン膜の成膜用のプラズマ反応用ガスや、CVD法によるフルオロカーボン膜の成膜工程を有する半導体装置の製造工程に用いるプラズマ反応用ガスとして好適に用いることができる。
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公开(公告)号：JP3870229B2
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：JP54071697
申请日：1997-05-02
申请人： 日本ゼオン株式会社 , 独立行政法人産業技術総合研究所
IPC分类号： C07C21/18 , C07C17/20 , C07C17/383 , C07C23/08
CPC分类号： C07C23/08 , C07C17/206 , C07C17/208 , C07C17/383
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公开(公告)号：JPWO2017086465A1
公开(公告)日：2018-09-06
申请号：JP2016084325
申请日：2016-11-18
申请人： AGC株式会社
发明人： 渡壁 淳
CPC分类号： C07C17/23 , C07C23/08 , C07C23/10 , C07C41/24 , C08F8/26 , C08F14/02 , C08F14/18 , C07C43/126
摘要： −CFRf−Iで表される基(Rfはフッ素原子またはペルフルオロアルキル基)を有する含ヨウ素化合物のC−I結合をC−H結合に効率的に変換させ、紫外線照射を照射しなくても容易に、安定化された含フッ素化合物を得ることを目的とする。 −CFRf−I(Rfはフッ素原子またはペルフルオロアルキル基を示す。)で表される基を有する含ヨウ素化合物を、有機過酸化物および−CHR 1 −CHR 2 −CHR 3 −で表される基(R 1 、R 2 、R 3 はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基を示す。)を有する含水素化合物の存在下に脱ヨウ素処理し、前記ヨウ素化合物よりもヨウ素原子含有量の低減された含フッ素化合物を製造する方法。
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公开(公告)号：JP5431673B2
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：JP2007547994
申请日：2006-11-30
申请人： 日本ゼオン株式会社
IPC分类号： C07C17/389 , C07C21/20 , C07C21/22 , C07C23/08 , C23C16/30 , C23C16/50 , H01L21/312
CPC分类号： C23C16/4402 , B01D15/00 , B01J20/0248 , B01J20/06 , C07C17/38 , C07C17/395 , C07C2601/10 , C23C16/26 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/3127 , C07C21/20 , C07C23/08 , C07C21/22
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公开(公告)号：JP5047781B2
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：JP2007510417
申请日：2006-03-22
申请人： 東ソ−・エフテック株式会社
IPC分类号： C07C17/16 , C07B61/00 , C07C19/08 , C07C23/08 , C07C23/38 , C07C67/307 , C07C69/63 , C07C69/65
CPC分类号： C07C67/307 , C07B39/00 , C07C17/16 , C07C2601/08 , C07C2603/74 , C07C19/08 , C07C23/38 , C07C23/08 , C07C69/65 , C07C69/63
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