公开(公告)号：JP2018121056A

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：JP2018008709

申请日：2018-01-23

申请人： バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー

发明人： リウ ダー ウェン ,  ライション スン ,  リー イー−チア ,  ティエンニウ チェン ,  ガング クリス ハン−アデベクン

IPC分类号： C23F1/32 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/308

CPC分类号： C23F1/38 ,  C23F1/40 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

摘要： 【課題】タングステン系及びGST系金属について優れた選択的エッチング特性を持つエッチング溶液を提供する。 【解決手段】本明細書で説明されるのは、タングステン含有金属及びGST金属の両方に適したエッチング溶液であって、水と;少なくとも2つのヒドロキシル基を有する少なくとも1つのフェノール誘導体化合物と;(i)4級塩基、(ii)有機アミン、並びに(iii)金属水酸化物からなる群より選択される少なくとも1つの強塩基と;任意選択で、有機酸のアンモニウム塩と;任意選択で水混和性溶媒とを含み、pHが10以上であり、エッチング溶液が過酸化物酸化剤及び金属イオン含有酸化剤を実質的に含まない、エッチング溶液である。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP5344051B2

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：JP2012003786

申请日：2012-01-12

申请人： 和光純薬工業株式会社

发明人： 修 松田 ,  信之 菊池 ,  一良 林田 ,  里志 白旗

IPC分类号： H01L21/306 ,  C23F1/38

CPC分类号： H01L21/30604 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134

摘要： The present invention is directed to provide an etching agent for a semiconductor substrate, which is capable of etching a tungsten (W)-based metal film on a semiconductor substrate and an etching method using relevant etching agent, and relates to a liquid for preparing the etching agent for a semiconductor substrate composed of a solution comprising (A) hydrogen peroxide, (B) a phosphonic acid chelating agent having a hydroxyl group and not having nitrogen atom, (C) a basic compound, and (D-2) 0.01 to 3 % by weight of two or more kinds of anion species other than phosphonic acid chelating agents having a hydroxyl group and not having nitrogen atom, in which anion species have no oxidizing power, an etching method characterized by etching a tungsten (W)-based metal film on a semiconductor substrate using relevant etching agent for a semiconductor substrate, further, a solution comprising (B) a phosphonic acid chelating agent having a hydroxyl group and not having nitrogen atom, (C) a basic compound, and (D-2) anion species other than phosphonic acid chelating agents having a hydroxyl group and not having a hydroxyl group, in which anion species have no oxidizing power.

公开(公告)号：JP2013205319A

公开(公告)日：2013-10-07

申请号：JP2012076410

申请日：2012-03-29

申请人： Mitsubishi Materials Corp ,  三菱マテリアル株式会社

发明人： NAGATOMO KENSHO ,  INABA HITOSHI ,  TANAKA HIROSHI

IPC分类号： G01K7/22 ,  H01C7/04 ,  H01C17/06 ,  H01C17/12

CPC分类号： G01K7/226 ,  C23F1/38 ,  H01C1/142 ,  H01C1/148 ,  H01C7/008 ,  H01C17/12 ,  H01C17/288

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a temperature sensor which is hard to have high resistivity in an electrode structure for a thermistor material layer of TiAlN under high temperature environment, can be deposited directly on a film and the like without burning, and has high heat resistance and high reliability, and a method of manufacturing the same.SOLUTION: A temperature sensor includes an insulation base material 2, a thin film thermistor 3 formed on the insulation base material, and a pair of pattern electrodes 4 formed on the insulation base material so as to arrange a pair of counter electrodes 4a facing each other on the thin film thermistor. The thin film thermistor is formed of a thermistor material of TiAlN. The pattern electrode includes a joint layer 5 formed of TiN on the insulation base material, and an electrode layer 6 formed of noble metal on the joint layer.

摘要翻译： 要解决的问题：为了提供在高温环境下的TiAlN的热敏电阻材料层的电极结构中难以具有高电阻率的温度传感器，可直接沉积在薄膜等上而不会燃烧，并具有高的热量 电阻和高可靠性及其制造方法。温度传感器包括绝缘基材2，形成在绝缘基材上的薄膜热敏电阻3和形成在绝缘基材上的一对图形电极4 以便在薄膜热敏电阻上设置彼此相对的一对对置电极4a。 薄膜热敏电阻由TiAlN的热敏电阻材料形成。 图案电极包括在绝缘基材上由TiN形成的接合层5和在接合层上由贵金属形成的电极层6。

公开(公告)号：JP2006502582A

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：JP2004543053

申请日：2003-09-30

申请人： フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド

发明人： フェイ、オーウェン

IPC分类号： H01L21/60 ,  C23F1/34 ,  C23F1/38

CPC分类号： C23F1/38 ,  C23F1/34 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

摘要： 本発明は、半田をめっきする方法に関する。 本発明の方法によって、上面に金属シード層を有するダイが提供される。 金属シード層は、酸および酸化剤を含有する溶液を用いてマイクロエッチング（８５）されることによって、エッチングされた金属シード層を形成する。 その後、エッチングされた金属シード層上にバンプ下金属層（ＵＢＭ）が電気めっきされ（８７）、ＵＢＭ上にＳｎＣｕなどの鉛フリー半田組成物が電気めっきされる（９１）。 半田をめっきする方法と共に用いられ得る、半田をリフローする方法もまた提供される。 この後者の方法によって、基板は金属シード層をエッチングされ（１３７）、続いてマイクロエッチングされる（１４１）。 その後、半田フラックスが基板上に塗布され（１４７）、半田がリフローされる（１４９）。

公开(公告)号：JP2018506449A

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：JP2017534537

申请日：2015-10-29

申请人： ビーワイディー カンパニー リミテッド

发明人： ジャン、シャオ ,  タオ、レティアン ,  スン、ジアン ,  チェン、リャン

IPC分类号： B32B15/08 ,  B29C45/14 ,  B32B3/30 ,  C23F1/38

CPC分类号： B29C45/14311 ,  B29C45/14778 ,  B29C2045/14868 ,  B29K2105/20 ,  B29K2705/08 ,  B29L2031/34 ,  B32B15/08 ,  B32B15/20 ,  C23F1/38 ,  C25D11/26

摘要： 本開示は、金属−樹脂の複合体およびその製造方法を提供する。金属は、チタンまたはチタン合金を含み、複合体は、金属基材と、金属基材の表面の少なくとも一部に被覆された樹脂層と、を有し、樹脂層が被覆された金属基材の表面の一部に凹部が分布し、樹脂層の樹脂の一部が下方に延びて凹部に充填され、金属基材の表面の酸素元素含有量が1wt%以上である。製造方法は、少なくとも1種のアルカリ金属水酸化物を含むエッチング液に金属基材を浸漬して金属基材の表面に凹部を形成し、表面処理後の金属基材の表面に樹脂を射出して樹脂層を形成する。本開示の金属−樹脂の複合体は、電子製品のシェルに適している。

公开(公告)号：JP6258512B2

公开(公告)日：2018-01-10

申请号：JP2016546525

申请日：2015-01-13

申请人： サッチェム,インコーポレイテッド

发明人： バーミューレン,ポール ,  アレン,クレイグ

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L21/308

CPC分类号： H01L21/44 ,  C23F1/34 ,  C23F1/36 ,  C23F1/38 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：JP2016535819A

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：JP2016521931

申请日：2014-10-09

申请人： イー.ケー.シー.テクノロジー.インコーポレーテッド

发明人： ツイ ホワ ,  ツイ ホワ

IPC分类号： C23F1/26 ,  H01L21/308

CPC分类号： C11D11/0047 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/3942 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/04 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3281 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/28 ,  C23F1/34 ,  C23F1/38 ,  C23F1/40 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814

摘要： 本開示は、半導体基板から、TiN、TaN、TiNxOy、TiW、W、Ti、並びにTi及びWの合金から基本的になるハードマスクを除去するための方法に関する。この方法は、除去組成物と半導体基板とを接触させることを含む。除去組成物は、0.1重量%〜90重量%の酸化剤と、0.0001重量%〜50重量%のカルボン酸と、脱イオン水を含む除去組成物の100重量%までの残部とを含む。

摘要翻译： 本发明中，半导体衬底，锡，钽，包含TiNxOy，TIW，W，Ti和一种用于去除硬掩模基本上钛钨合金组成。 该方法包括使除去组合物与半导体基板。 除去组合物包含0.1重量％至氧化剂的90重量％，0.0001重量％至50重量％和羧酸，以及余量的最多包含去离子水的去除组合物的100重量％。

公开(公告)号：JP5523325B2

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：JP2010528706

申请日：2009-08-25

申请人： 昭和電工株式会社

发明人： 浩之介 佐藤 ,  康夫 斉藤

IPC分类号： C23F1/26 ,  H01L21/308

CPC分类号： C23F1/38 ,  C23F1/44 ,  C23G1/205 ,  H01L21/32134

公开(公告)号：JP2014022657A

公开(公告)日：2014-02-03

申请号：JP2012161905

申请日：2012-07-20

申请人： Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

发明人： KAMIMURA TETSUYA ,  INABA TADASHI ,  MURO SUKETSUGU ,  NISHIWAKI YOSHINORI

IPC分类号： H01L21/306 ,  C23F1/38 ,  H01L21/308

CPC分类号： H01L21/30604 ,  C09K13/00 ,  C09K13/02 ,  C09K13/06 ,  C23F1/00 ,  C23F1/02 ,  C23F1/14 ,  C23F1/26 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44 ,  C23G1/106 ,  C23G1/205 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/6704

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an etching method of a semiconductor substrate which resolves a decrease in activity of an etchant due to aging and enables excellent wet etching of a Ti-containing layer; and provide manufacturing methods of a semiconductor substrate product and a semiconductor element, and etchant preparation kit.SOLUTION: In an etching method of a semiconductor substrate, when etching a Ti-containing layer of the semiconductor substrate by applying an etchant of pH 8.5-14 is to the Ti-containing layer, the etchant is prepared by mixing a first solution containing a basic compound with a second solution containing an oxidant, and after mixing, the etchant is applied to the semiconductor substrate.

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种解决由于老化引起的蚀刻剂活性降低的半导体衬底的蚀刻方法，并且能够优异地对含Ti层进行湿蚀刻; 并提供半导体衬底产品和半导体元件以及蚀刻剂制备套件的制造方法。解决方案：在半导体衬底的蚀刻方法中，当通过施加pH 8.5-14的蚀刻剂来蚀刻半导体衬底的含Ti层时 对于含钛层，通过将含有碱性化合物的第一溶液与含有氧化剂的第二溶液混合来制备蚀刻剂，并且在混合之后，将蚀刻剂施加到半导体衬底。

公开(公告)号：JP2012080128A

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：JP2012003786

申请日：2012-01-12

申请人： Wako Pure Chem Ind Ltd ,  和光純薬工業株式会社

发明人： MATSUDA OSAMU ,  KIKUCHI NOBUYUKI ,  HAYASHIDA KAZUYOSHI ,  SHIROHATA SATOSHI

IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/30604 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an etching agent for a semiconductor substrate by which a tungsten(W)-system metal film on the semiconductor substrate can be etched, and to provide an etching method using the etching agent, and an etching agent preparation liquid.SOLUTION: An etching agent for a semiconductor substrate, on which a metal bump or a metal wire having a lower ionization tendency than that of tungsten is formed in an upper part of a tungsten(W)-system metal film, consists of a solution containing (A) hydrogen peroxide, (B) a phosphonic acid system chelate agent having a hydroxyl group, (C) a basic compound, and (D-2) 0.01 to 3 wt.% of two or more kinds of anion species selected from anion species derived from an inorganic acid, and anion species derived from an organic acid selected from a carbonate ion, a monocarboxylic acid ion, a hydroxytricarboxylic acid ion, and a hydroxycarboxylic acid ion. The etching agent is used in a method of etching the W-system metal film. An etching agent preparation liquid for a semiconductor substrate consists of a solution containing the above (B), (C), and (D-2).

摘要翻译： 要解决的问题：为了提供半导体衬底的蚀刻剂，通过该蚀刻剂可以蚀刻半导体衬底上的钨（W）系金属膜，并提供使用蚀刻剂的蚀刻方法，以及蚀刻 药剂制剂液体。 解决方案：在钨（W）系金属膜的上部形成有用于半导体衬底的蚀刻剂，其上形成具有比钨低的电离倾向的金属凸块或金属线，由 含有（A）过氧化氢的溶液，（B）具有羟基的膦酸系螯合剂，（C）碱性化合物和（D-2）0.01〜3重量％的两种或更多种阴离子物质 选自衍生自无机酸的阴离子物质，以及衍生自选自碳酸根离子，单羧酸离子，羟基三羧酸离子和羟基羧酸离子的有机酸的阴离子物质。 蚀刻剂用于蚀刻W系金属膜的方法。 用于半导体衬底的蚀刻剂制备液由含有上述（B），（C）和（D-2）的溶液组成。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT