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公开(公告)号:JP6200289B2
公开(公告)日:2017-09-20
申请号:JP2013238344
申请日:2013-11-18
申请人: 富士フイルム株式会社
IPC分类号: H01L21/027 , G03F7/32 , G03F7/42 , H01L21/304
CPC分类号: H01L21/02057 , B08B3/041 , B08B3/08 , B08B3/10 , B08B7/0035 , B08B9/00 , C11D11/0047 , C11D3/0073 , C11D3/3719 , C11D3/3723 , C11D3/3773 , C11D3/3776 , C11D7/261 , C11D7/265 , C11D7/267 , C11D7/32 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , C11D7/3263 , C11D7/3272 , C11D7/3281 , G03F7/425 , H01L21/31058 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/823814 , H01L21/823857
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公开(公告)号:JP5923109B2
公开(公告)日:2016-05-24
申请号:JP2013543656
申请日:2011-12-08
申请人: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア , BASF SE
发明人: ローヴェル,ハオケ , ワグナー,バーバラ , ウェンデボーン,フレデリック , ミステリ,カタリーナ
CPC分类号: B01J31/0271 , B01J31/0202 , B01J31/0204 , B01J31/0218 , B01J31/0245 , B01J31/0247 , B01J31/18 , B08B3/08 , C07B33/00 , C07D295/15 , C11D11/02 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/32 , C11D3/349 , C11D3/3902 , C11D3/391 , C11D3/3917 , C11D3/392 , C11D3/3927 , C11D3/3942 , C11D3/3945 , C11D3/3947 , C11D7/3263 , C11D7/3281 , C11D7/34 , D06L4/10 , D06L4/12 , B01J2231/70 , C11D3/3481
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公开(公告)号:JP2016500159A
公开(公告)日:2016-01-07
申请号:JP2015543032
申请日:2013-04-24
发明人: ダルトン ピーターズ リチャード , ダルトン ピーターズ リチャード , アクラ トラビス , アクラ トラビス , カオ ユアンメイ , カオ ユアンメイ , エリック ホッシュステトラー スペンサー , エリック ホッシュステトラー スペンサー , トッド フェニス マイケル , トッド フェニス マイケル , ドナ ポラード キンバリー , ドナ ポラード キンバリー
IPC分类号: G03F7/42 , C11D7/32 , C11D7/50 , H01L21/304
CPC分类号: G03F7/422 , C11D7/3218 , C11D7/3263 , C11D7/3281 , C11D7/5009 , C11D7/5013 , C11D11/0047 , G03F7/425
摘要: 基板、例えばフォトレジストウエハーから有機および有機金属物質を除去するために有用である組成物が記載されている。無機基板に対しコーティングとして最小体積の組成物を塗布し、これにより充分な熱が加えられ、有機または有機金属物質が洗い流しにより完全に除去されることになる方法が提示されている。組成物および方法は、ポジ型およびネガ型のフォトレジスト、そして厳密にはネガ型ドライフィルムフォトレジストを電子デバイスから除去し、一部の場合においては完全に溶解させるために好適であることができる。
摘要翻译: 衬底,例如,是有用的用于去除光致抗蚀剂的晶片有机和有机金属材料的组合物进行说明。 该组合物的最小体积是作为涂层施加到无机基底,从而足够的热量被施加,这将通过洗涤有机或有机金属材料被完全去除被提出的方法。 组合物和方法可以是正性作用和负性作用光刻胶,并严格负型干膜光致抗蚀剂被从电子装置中取出时,优选在某些情况下完全溶解 。
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公开(公告)号:JP2015518014A
公开(公告)日:2015-06-25
申请号:JP2015514404
申请日:2013-05-13
申请人: エボニック インダストリーズ アクチエンゲゼルシャフトEvonik Industries AG , エボニック インダストリーズ アクチエンゲゼルシャフトEvonik Industries AG
发明人: ビンドル マーティン , ビンドル マーティン , ヘルマン ローラント , ヘルマン ローラント , クナウプ ギュンター , クナウプ ギュンター
IPC分类号: C07C231/12 , C07C237/10 , C07C237/14 , C07C237/20
CPC分类号: C07C231/02 , C07C227/18 , C07C2601/14 , C11D3/32 , C11D7/3263 , C11D17/003 , C07C237/10 , C07C237/20
摘要: 本発明は、式Iによる化合物の合成方法であって、以下の段階:a) 式IIによるデーン塩、および式IIIによるデーン塩を、カップリング試薬と反応させる段階、b) 式IVによるジアミンを、反応混合物に添加する段階、およびc) 酸を前記反応混合物に添加して、反応のpH値を
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公开(公告)号:JP5606925B2
公开(公告)日:2014-10-15
申请号:JP2010543508
申请日:2009-01-23
发明人: オリビエール・ジェンツェール , マッシモ・ギグリエリ
IPC分类号: C07C233/05 , A01N25/00 , A01N33/22 , A01N37/22 , A01N43/653 , A01N47/22 , A01N53/08 , A01N57/12 , A01N57/16 , A01P3/00 , A01P7/04 , A01P13/00 , C07C231/02 , C07C231/10
CPC分类号: A01N25/02 , C07C231/02 , C07C231/14 , C07C233/05 , C07C235/74 , C08K5/20 , C09D7/001 , C09D7/20 , C09D9/005 , C09D11/033 , C11D3/32 , C11D3/43 , C11D7/3263 , C11D7/5013 , A01N33/22 , A01N37/26 , A01N43/653 , A01N47/22 , A01N47/24 , A01N53/00 , A01N57/12 , A01N57/16
摘要: Use of ester amide compound (I) or its mixture, as solvent or coalescence agent, is claimed. Use of ester amide compound of formula (R 1>OOC-A-CONR 2>R 3>) (I) or its mixture, as solvent or coalescence agent, is claimed. R 1> : optionally cyclic, aromatic 1-36C hydrocarbon; either R 2>, R 3> : optionally cyclic, aromatic 1-36C hydrocarbon (optionally substituted); or R 2>+R 3> : optionally substituted ring comprising optionally a heteroatom; and A : 2-12C, preferably 2-4C divalent alkyl. Independent claims are included for: (1) the ester amide compound (I) with the exception of 2-ethyl-N,N-dimethyl-succinamic acid methyl ester, N,N-dimethyl-succinamic acid methyl ester, 4-dimethylcarbamoyl-butyric acid methyl ester, 4-dimethylcarbamoyl-3-methyl-butyric acid methyl ester, N,N-diethyl-2-methyl-succinamic acid ethyl ester, N,N-diethyl-2-methyl-succinamic acid methyl ester, mixture of N,N-diethyl-2-methyl-succinamic acid phenyl ester and 4-diethylcarbamoyl-butyric acid phenyl ester, N,N-diethyl-2-methyl-succinamic acid 1-methoxy-ethyl ester, N,N-diethyl-2-methyl-succinamic acid cyclohexyl ester, N,N-diethyl-2-methyl-succinamic acid phenethyl ester, N,N-diethyl-2-methyl-succinamic acid p-tolyl ester, mixture of 2,N,N-triethyl-succinamic acid propyl ester, 4-diethylcarbamoyl-2-methyl-butyric acid propyl ester and 5-diethylcarbamoyl-pentanoic acid propyl ester, and 4-butylcarbamoyl-3-methyl-butyric acid methyl ester; and (2) the preparations of (I).
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公开(公告)号:JP5539705B2
公开(公告)日:2014-07-02
申请号:JP2009278844
申请日:2009-12-08
申请人: シェブロン・ベルジャム・エヌ.ブイ.
发明人: アルド・マルテンス , グラハム・ナンスキーヴィル , デヤエフヘーレ ルドー・
IPC分类号: F02B39/16
CPC分类号: F02B39/16 , C11D7/247 , C11D7/3263 , C11D7/3281 , C11D7/5027 , C11D11/0041 , F01D25/002 , F02B77/04 , F04D29/701
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公开(公告)号:JP2014501230A
公开(公告)日:2014-01-20
申请号:JP2013543656
申请日:2011-12-08
发明人: ローヴェル,ハオケ , ワグナー,バーバラ , ウェンデボーン,フレデリック , ミステリ,カタリーナ
CPC分类号: B01J31/0271 , B01J31/0202 , B01J31/0204 , B01J31/0218 , B01J31/0245 , B01J31/0247 , B01J31/18 , B01J2231/70 , B08B3/08 , C07B33/00 , C07D295/15 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/32 , C11D3/3481 , C11D3/349 , C11D3/3902 , C11D3/391 , C11D3/3917 , C11D3/392 , C11D3/3927 , C11D3/3942 , C11D3/3945 , C11D3/3947 , C11D7/3263 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D11/02 , D06L4/10 , D06L4/12
摘要: 本発明は、特定のアシルヒドラゾン化合物、その酸化触媒としての使用、並びに織物及び硬表面の染み及び汚れを除去するための方法に関する。 本発明の化合物は、アシル基に隣接した特定の環状アンモニウム基で置換されている。 本発明の別の態様は、そのような化合物を含む組成物又は調合物である。
摘要翻译: 本发明涉及具体的酰腙化合物,它们作为氧化催化剂的用途以及去除织物和硬表面上的污渍和污垢的方法。 化合物被与酰基相邻的特定的环状铵基取代。 本发明的其它方面是包含这些化合物的组合物或制剂。
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公开(公告)号:JP5290321B2
公开(公告)日:2013-09-18
申请号:JP2010537987
申请日:2008-12-12
发明人: ムイ・デビッド・エス.エル. , スリニバサン・サティシュ , ペン・グラント , ズー・ジ , コン・シン−チャン , ポドレスニク・ドラガン , メンディラッタ・アージュン
IPC分类号: H01L21/304
CPC分类号: C11D7/5009 , C11D3/3723 , C11D3/3765 , C11D3/3773 , C11D7/261 , C11D7/3263 , C11D7/34 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , Y10S134/902
摘要: The embodiments of the present invention provide improved materials for cleaning patterned substrates with fine features. The cleaning materials have advantages in cleaning patterned substrates with fine features without substantially damaging the features. The cleaning materials are fluid, either in liquid phase, or in liquid/gas phase, and deform around device features; therefore, the cleaning materials do not substantially damage the device features or reduce damage all together. The cleaning materials containing polymers of a polymeric compound with large molecular weight capture the contaminants on the substrate. In addition, the cleaning materials entrap the contaminants and do not return the contaminants to the substrate surface. The polymers of one or more polymeric compounds with large molecular weight form long polymer chains, which can also be cross-linked to form a network (or polymeric network). The long polymer chains and/or polymer network show superior capabilities of capturing and entrapping contaminants, in comparison to conventional cleaning materials.
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公开(公告)号:JP2013535552A
公开(公告)日:2013-09-12
申请号:JP2013522315
申请日:2011-08-05
发明人: クリシュナムーシー、コタンダム
CPC分类号: C11D7/3263 , B08B3/08 , C09D9/005 , C11D3/38 , C11D3/386 , C11D11/0047 , Y02P20/582
摘要: 本発明は、基材を損傷することなく基材からポリマー熱硬化物を除去する方法に関する。 本発明は、基材の物理的および化学的特性を維持した状態で、基材からポリマー熱硬化物を除去する方法に関する。 より詳細には、本発明は、ポリマー熱硬化物の開裂のための生体分子の使用、およびその開裂を実施する方法に関する。
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公开(公告)号:JP4753986B2
公开(公告)日:2011-08-24
申请号:JP2008280900
申请日:2008-10-31
发明人: チェン−ピン・シャーマン・シュ
IPC分类号: C11D3/26 , H01L21/304 , C11D3/00 , C11D3/02 , C11D3/20 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/32 , C11D3/33 , C11D3/42 , C11D3/43 , C11D7/08 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D7/34 , C11D7/36 , C11D7/50 , C11D11/00 , C23G1/18 , C23G1/20 , C23G5/036 , G03F7/42 , H01L21/306
CPC分类号: C11D7/261 , C11D3/0073 , C11D3/042 , C11D3/2068 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/32 , C11D3/33 , C11D3/43 , C11D7/08 , C11D7/263 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3263 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D7/5009 , C11D7/5013 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , C23G1/20 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02052
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