公开(公告)号：JP2018074172A

公开(公告)日：2018-05-10

申请号：JP2017238378

申请日：2017-12-13

Applicant: アールエフエイチアイシー コーポレイション

Inventor： ナーサル−フェーイリ フィローズ

IPC: C01B32/26 ,  C23C16/27 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/314 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/27 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/31111 ,  H01L23/3732 ,  H01L29/2003 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 【課題】デバイスの活性層に直接結合したダイヤモンドヒートスプレッダを生成する製造方法を提供する。 【解決手段】III−V化合物半導体材料の層を含む基板を準備する工程、200nm以下の平均粒径及び500nm以下のD90粒径のナノ結晶ダイヤモンド粉末を使用して基板表面上のダイヤモンド成長中のボイド形成を低減するシード処理工程、CVDダイヤモンド成長と非ダイヤモンド炭素エッチングの交互工程を用いて、非ダイヤモンド相に対するダイヤモンド核生成層内のダイヤモンド相の比率を高めたダイヤモンド核生成層を作成する工程、ダイヤモンド核生成層の上に多結晶CVDダイヤモンド材料のより厚い層を成長させる工程、より成る。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP2016539510A

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：JP2016540296

申请日：2014-08-29

Applicant: アールエフエイチアイシー コーポレイション ,  アールエフエイチアイシー コーポレイション

Inventor： フィローズ ナーサル−フェーイリ ,  フィローズ ナーサル−フェーイリ

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/04 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/27 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/31111 ,  H01L23/3732 ,  H01L29/2003 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: III-V化合物半導体材料の層;多結晶性CVDダイヤモンド材料の層;及びIII-V化合物半導体材料の層と多結晶性CVDダイヤモンド材料の層との間の界面領域(この界面領域には、多結晶性CVDダイヤモンド成長の初期核生成段階中にIII-V化合物半導体材料の層を含む基板の上に形成される多結晶性CVDダイヤモンドのダイヤモンド核生成層が含まれる)を含んでなり、ダイヤモンド核生成層は、ダイヤモンド核生成層を含む領域に焦点を合わせたレーザーによって生じたラマン信号が1332cm-1に5.0cm-1以下の半値全幅を有するsp3炭素ピークを示すものであり、ダイヤモンド核生成層は前記ラマン信号がさらに下記特徴:(i)633nmのラマン励起源を使用するときはバックグラウンド減算後の1332cm-1のsp3炭素ピークの高さの20%以下である高さを有する1550cm-1のsp2炭素ピーク;及び(ii)1332cm-1のsp3炭素ピークは785nmのラマン励起源を用いるラマンスペクトルの局所バックグラウンド強度の10%以上である;の一方又は両方を示すものであり、かつダイヤモンド核生成層の核生成表面の平均核生成密度は1×108cm-2以上、1×1012cm-2以下である、半導体デバイス構造体。【選択図】図1

Abstract translation: 化合物半导体材料的III-V层;金刚石材料的多晶CVD层;界面区域（层和多晶CVD金刚石材料的层和III-V族化合物半导体材料之间的界面区域，多 它包括多晶CVD金刚石的过程中结晶的CVD金刚石生长，金刚石晶核的初始成核阶段形成该衬底包括III-V族化合物半导体材料的层上包含层金刚石成核） 产生层，其示出了由激光产生的sp 3碳峰的拉曼信号集中在该区域包括金刚石成核层具有5.0厘米-1或半最大值小于全宽度的至1332厘米-1，金刚石成核层 拉曼信号的特征还在于：（ⅰ）1550厘米-1用633nm的拉曼激发源的20％或更低的高度为背景扣除后的1332厘米-1 sp 3碳峰的高度时使用 的sp 2碳峰;及 （二）1332厘米-1 sp 3碳峰是局部背景是10％或更多使用拉曼激发源785处的拉曼光谱的强度;以及指示一个或两个，以及用于金刚石成核层的核 平均表面成核密度1×108厘米-2以上且1×1012厘米-2或更小，所述半导体器件结构的。 点域1

公开(公告)号：JP5074510B2

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：JP2009532869

申请日：2007-10-16

Applicant: アッシュ・ウー・エフ

Inventor： フィリップ・モーラン−ペリエ ,  フローラン・レドラピエール ,  ローラン・オーゼ

IPC: F16C33/12 ,  F16C33/32 ,  F16C33/34 ,  F16C33/62 ,  F16C33/64

CPC classification number: C23C16/0254 ,  C23C16/26 ,  Y10T428/12472 ,  Y10T428/12958 ,  Y10T428/30

公开(公告)号：JP2007039742A

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：JP2005225476

申请日：2005-08-03

Applicant: Permelec Electrode Ltd ,  ペルメレック電極株式会社

Inventor： HOSONUMA MASASHI ,  UNO MASAHARU ,  SHIBATA TOMOYASU ,  NISHIKI YOSHINORI ,  FURUTA TSUNETO

IPC: C25B11/12 ,  C01B31/06 ,  C02F1/46 ,  C23C16/27

CPC classification number: C23C16/278 ,  B82Y30/00 ,  C02F1/46104 ,  C02F2001/46138 ,  C02F2001/46152 ,  C02F2101/30 ,  C02F2101/303 ,  C02F2101/34 ,  C02F2305/08 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/271 ,  C25B11/0478

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrode for electrolysis having a base body with a surface shape useful for prolonging the electrolysis life of the electrode, which is produced by using, as the base body, a material selected from valve metals, valve metal-based alloys, silicon and carbon and covering the surface of the base body with an electroconductive diamond layer by especially, a CVD method; and to provide a method for producing the same.
SOLUTION: The service life of the electrode for electrolysis, in which the electroconductive diamond layer 21 is formed on the surface of an electroconductive base body 17, can be prolonged by increasing the surface area of the electrode by forming large ridge-and-valley parts 18, middle ridge-and-valley parts 19, and fine ridge-and-valley parts 20 while maintaining the arithmetical average height (Ra) of roughness curve and the average length (RSm) of roughness curve element of the electroconductive base body within respective certain ranges.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种电解用电极，其具有可延长电极的电解寿命的表面形状的基体，该基体通过使用选自阀金属的材料作为基体， 阀金属基合金，硅和碳，并通过CVD方法用导电金刚石层覆盖基体的表面; 并提供其制造方法。 解决方案：通过增加电极的表面积，可以延长导电基体17的表面上形成导电金刚石层21的电解电极的使用寿命， 同时保持粗糙度曲线的算术平均高度（Ra）和导电基体的粗糙度曲线元素的平均长度（RSm），同时保留了粗糙度曲线的算术平均高度（Ra）和粗糙度曲线元素的平均长度（RSm） 身体在一定范围内。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP3728464B2

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：JP31597494

申请日：1994-11-25

Applicant: 株式会社神戸製鋼所

Inventor： 浩一 宮田 ,  宏司 小橋 ,  義廣 新谷 ,  嘉宏 横田 ,  武史 橘 ,  耕造 西村

IPC: C30B29/04 ,  C23C16/02 ,  C23C16/27 ,  C30B25/02 ,  H01L31/10 ,  H03H3/08

CPC classification number: C23C16/274 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0254 ,  C30B25/02 ,  C30B29/04

Abstract: A method is presented to manufacture substrates for growing monocrystalline diamond films by chemical vapor deposition (CVD) on large area at low cost. The substrate materials are either Pt or its alloys, which have been subject to a single or multiple cycle of cleaning, roller press, and high temperature annealing processes to make the thickness of the substrate materials to 0.5 mm or less, or most preferably to 0.2 mm or less, so that either (111) crystal surfaces or inclined crystal surfaces with angular deviations within +/-10 degrees from (111), or both, appear on the entire surfaces or at least part of the surfaces of the substrates. The annealing is carried out at a temperature above 800 DEG C. The present invention will make it possible to markedly improve various characteristics of diamond films, and hence put them into practical use.\!

公开(公告)号：JPS61124573A

公开(公告)日：1986-06-12

申请号：JP24454084

申请日：1984-11-21

Applicant: Toshiba Tungaloy Co Ltd

Inventor： HORIE NORITOSHI

IPC: C04B41/87 ,  B32B18/00 ,  C23C16/02 ,  C23C16/26 ,  C23C16/27 ,  C30B25/02

CPC classification number: C23C16/0254 ,  C30B25/02 ,  C30B29/04

Abstract: PURPOSE:To produce a diamond-coated base material which is dense and has excellent adhesiveness by using grinding stone or abrasive grains contg. cubic boron nitride to roughen the surface of the base material to specific roughness. CONSTITUTION:The surface of the base material consisting of a sintered alloy, ceramics, tool steel, composite material, etc. is roughened to average

Abstract translation: 目的：生产使用研磨石或磨料颗粒密实且具有优异粘合性的金刚石涂层基材。 立方氮化硼将基材的表面粗糙化成具体的粗糙度。 构成：由烧结合金，陶瓷，工具钢，复合材料等组成的基材的表面通过磨石或磨料颗粒粗糙化至平均<= 1,000A表面粗糙度。 立方氮化硼和/或金刚石。 然后将由金刚石和/或类金刚石碳组成的硬膜涂覆在经处理的基材的表面上。 上述硬膜的膜厚优选为0.01-20μm，平均粒径为1.0μm。 因此，具有精细，致密和高粘合性硬膜的金刚石涂覆的基材和优异的剥离性。

公开(公告)号：JP6262352B2

公开(公告)日：2018-01-17

申请号：JP2016540296

申请日：2014-08-29

Applicant: アールエフエイチアイシー コーポレイション

Inventor： ナーサル−フェーイリ フィローズ

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/04 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/27 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/31111 ,  H01L23/3732 ,  H01L29/2003 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP6153975B2

公开(公告)日：2017-06-28

申请号：JP2015156551

申请日：2015-08-07

Applicant: 株式会社日立国際電気

Inventor： 雅則 中山 ,  雅則 中山 ,  菊池　俊之 ,  俊之 菊池 ,  敦彦 須田 ,  敦彦 須田 ,  豊田　一行 ,  一行 豊田 ,  俊 松井 ,  俊 松井

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/42 ,  C23C16/507 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L22/20 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68742 ,  H01L22/12

公开(公告)号：JP5839289B2

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：JP2012539108

申请日：2011-12-05

Applicant: 住友電工ハードメタル株式会社

Inventor： 金岡 秀明 ,  岡田 吉生 ,  小島 周子 ,  パサート・アノンサック ,  岩井 恵里香 ,  森本 浩之

IPC: B23B27/14

CPC classification number: B23B27/00 ,  B23B27/146 ,  B23B27/148 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/30 ,  C23C28/042 ,  C23C28/044 ,  C23C30/005 ,  Y10T407/27 ,  Y10T407/28 ,  Y10T428/265

公开(公告)号：JP2015009358A

公开(公告)日：2015-01-19

申请号：JP2014132416

申请日：2014-06-27

Applicant: サンドビック インテレクチュアル プロパティー アクティエボラーグ ,  Sandvik Intellectual Property Ab ,  サンドビック インテレクチュアル プロパティー アクティエボラーグ

Inventor： AAKE OESTLUND ,  JONNY EDMAN ,  ERIK LINDAHL ,  JAN ENGQVIST

IPC: B23B27/14

CPC classification number: B23B27/148 ,  B23B2200/00 ,  B23B2224/04 ,  B23B2224/32 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/36 ,  C23C16/403 ,  C23C16/56 ,  C23C30/005 ,  Y10T407/27

Abstract: 【課題】基材及び被膜を備えた被覆切削工具を提供する。【解決手段】基材及び被膜を備えた被覆切削工具において、被膜がMTCVD TiCN層及びα−Al2O3層を備え、α−Al2O3層がCuKα放射線を用いて測定されるX線回折パターンを示し、使用される(hkl)反射が(012)、(104)、(110)、(113)、(116)、(300)、(214)及び(0012)であり、TC(0012)が5を超え、α−Al2O3の(0012)面のロッキングカーブピークの半値全幅(FWHM)が30?未満である。【選択図】なし

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种包括基底和涂层的涂层切削工具。解决方案：涂层切削工具包括基底和涂层，其中涂层包含MTCVD TiCN层和α-AlO层。 α-AlO层表现出使用CuKα辐射测量的X射线衍射图。 使用的（hkl）反射是（012），（104），（110），（113），（116），（300），（214）和（0012），并且TC（0012）高于5。 α-AlO的（0012）面的摇摆曲线峰值的全宽半最大值（FWHM）小于30°。