高輝度発光ダイオードのための高スループット高温試験方法およびシステム
    6.
    发明专利
    高輝度発光ダイオードのための高スループット高温試験方法およびシステム 有权
    高通量热测试的方法和系统,用于高亮度发光二极管

    公开(公告)号:JP2014535175A

    公开(公告)日:2014-12-25

    申请号:JP2014542380

    申请日:2012-11-13

    摘要: ウエハレベルのパッケージ化された高輝度蛍光体変換型発光ダイオード(pc−HBLED)の高温試験を実施する方法は、レーザを用いて、蛍光体層において既定の温度勾配を提供するように、蛍光体層の部分を選択的に加熱するステップを含む。選択的に加熱するステップは、シリコーンベースの蛍光体層におけるシリコーンを直接加熱できるし、あるいは、LumiramicTMベースの蛍光体における蛍光体の活性イオンもしくはシリコーンベースの蛍光体層の活性イオンでさえも直接加熱できる。電流は、InGaNフィルムに流されて、既定の温度をInGaNフィルム接合部に確立し、フィルム接合部が蛍光体層に隣接する。選択的に加熱するステップの後、かつ、エレクトロルミネッセント電流を流す間、光度測定がHBLED上で実施される。本方法は、HBLEDにおいて、動作時の製品レベルHBLEDの温度および温度勾配と一致する温度および温度勾配を迅速に確立し、それによって、HBLEDの正確なビニングを確保する。

    摘要翻译: 如何实现晶片级封装的高亮度荧光体的高温测试转换发光二极管(PC-HBLED),使用激光,从而提供在荧光体层的预定的温度梯度,所述磷光体 包括所述层的选择性地加热部分的步骤。 的选择性地加热步骤在基于有机硅的荧光体层直接被加热的有机硅,甚至可以直接由在基于LumiramicTM荧光磷光体活性离子或基于有机硅的荧光体层的活性离子加热 它可以是。 电流流至InGaN膜,默认的温度建立InGaN膜接合区,膜结合部是邻近于所述荧光体层。 进行选择性的加热和同时使电致发光的电流的步骤之后,光强度的测量是在HBLED执行。 在HBLED的方法,迅速地建立的温度和温度梯度在操作期间HBLED产品水平的温度和温度梯度一致,从而确保准确的分级HBLED。