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    Group iii-nitride layers with patterned surfaces
    1.
    发明专利
    Group iii-nitride layers with patterned surfaces 有权
    具有图案表面的III类氮化物层

    公开(公告)号：JP2004297070A

    公开(公告)日：2004-10-21

    申请号：JP2004092271

    申请日：2004-03-26

    申请人： Lucent Technol Inc ,  ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド

    发明人： CHOWDHURY AREF ,  NG HOCK MIN ,  SLUSHER RICHARD ELLIOTT

    IPC分类号： H01L21/205 ,  B81B1/00 ,  G02B6/122 ,  H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01L21/306

    CPC分类号： B82Y20/00 ,  B81B1/00 ,  G02B6/1225 ,  G02B2006/12035 ,  H01J1/304 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/30612

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a fabrication method for producing a mechanically patterned layer of group III-nitrides. SOLUTION: The method includes providing a crystalline substrate and forming a first layer of the group III-nitride on a planar surface of the substrate. The first layer has a single polarity and also has a pattern of holes or trenches that expose a portion of the substrate. The method includes then, epitaxially growing a second layer of a second group III-nitride over the first layer and the exposed portion of the substrate. The first and second group III-nitrides have different alloy compositions. The method also includes subjecting the second layer to an aqueous solution of a base to mechanically pattern the second layer. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种用于生产III族氮化物的机械图案化层的制造方法。 解决方案：该方法包括提供晶体衬底并在衬底的平坦表面上形成第III族氮化物的第一层。 第一层具有单一极性，并且还具有露出基板的一部分的孔或沟槽的图案。 该方法包括在第一层和基板的暴露部分上外延生长第二III族氮化物层的第二层。 第一和第二III族氮化物具有不同的合金组成。 该方法还包括使第二层经受基底的水溶液以机械地图案化第二层。 版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

    方向性結合器および合分波器デバイス
    2.
    发明专利
    方向性結合器および合分波器デバイス 有权
    方向耦合器和多路复用器/解复用器件

    公开(公告)号：JP2015162787A

    公开(公告)日：2015-09-07

    申请号：JP2014036586

    申请日：2014-02-27

    申请人： 国立大学法人大阪大学 ,  ローム株式会社

    发明人： 冨士田 誠之 ,  永妻 忠夫 ,  大西 大 ,  宮井 英次

    IPC分类号： G02B6/12 ,  H01P1/213 ,  H01P3/16 ,  H01P1/00 ,  H01P5/18

    CPC分类号： G02B6/12007 ,  G02B6/1225 ,  G02B6/124 ,  G02B6/125 ,  G02B2006/12035 ,  G02B2006/12061 ,  G02B2006/12078 ,  G02B2006/12147

    摘要： 【課題】広帯域かつ高信号分離度を有し、小型化可能な方向性結合器および合分波器デバイスを提供する。 【解決手段】方向性結合器は、2次元フォトニック結晶スラブ12内に周期的に配置され、フォトニックバンド構造のフォトニックバンドギャップ帯における光波、テラヘルツ波もしくはミリ波を、2次元フォトニック結晶スラブの面内での存在を禁止するために回折させる格子点12Aと、格子点の線欠陥により形成された第1の2次元フォトニック結晶導波路14 1 と、第1導波路14 1 とモード結合可能な第2の2次元フォトニック結晶導波路14 2 と、第1導波路14 1 と第2導波路14 2 との間に2列に配置され、半径が格子点の半径よりも小さい導波路間格子点を有する方向性結合部50とを備え、方向性結合部から入力ポート側の第1導波路14 1 と動作帯域を一致させるため、方向性結合部の分散曲線全体が高周波側に移動するように、第2導波路14 2 の幅を狭める。 【選択図】図5

    摘要翻译： 要解决的问题：提供具有宽带和高信号分离度并且可以小型化的定向耦合器，以及多路复用器/解复用器装置。解决方案：定向耦合器包括：周期性地布置在其内的光栅点12A 二维光子晶体板12，在光子带结构的光子带隙带中衍射光波，太赫兹波或毫米波，以禁止在二维光子晶体板的平面内的存在; 由光栅点的线缺陷形成的第一个二维光子晶体波导14; 第二二维光子晶体波导14可以与第一波导14进行模式耦合; 并且设置在第一波导14和第二波导14之间的两条线中的定向耦合部分50包括半径小于光栅点的波导间光栅点。 第二波导14的宽度变窄，使得定向耦合部分的整个扩散曲线移动到高频侧，以便在与方向耦合部分的输入端口侧匹配第一波导14的操作频带。

    半導体装置
    8.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018004754A

    公开(公告)日：2018-01-11

    申请号：JP2016127707

    申请日：2016-06-28

    申请人： 三菱電機株式会社

    发明人： 永尾 龍介 ,  笹畑 圭史 ,  石村 栄太郎

    IPC分类号： H01S5/026 ,  G02B6/12

    CPC分类号： G02B6/125 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/29344 ,  G02B6/2938 ,  G02B2006/12035 ,  G02B2006/12121 ,  H01S5/026 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/0687 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4056 ,  H01S5/4087 ,  H01S2301/02

    摘要： 【課題】波長可変光源として利用される半導体装置に関し、フォトダイオードの配置の自由度を向上できる半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置100は、前端面34と、後端面36と、前端面と後端面の両側に配置される側面32と、を備えた基板10と、基板に設けられた複数の半導体レーザー12と、基板に設けられ、複数の半導体レーザーの前方出力光を合波し、前端面に向けて出力する前方光合波器16と、基板に設けられ、複数の半導体レーザーの後方出力光を合波し、後端面に向けて出力する後方光合波器24と、基板に設けられ、後方光合波器の出力部に接続された複数の後方導波路29と、を備え、複数の後方導波路は、出力部の中央部に配置された主導波路28と、主導波路の両側に配置され、側面に向かって湾曲し、側面から側面に対して斜めに光を出力する複数の側部導波路30と、を含む。 【選択図】図1

    光デバイス
    9.
    发明专利
    光デバイス 有权
    光学设备

    公开(公告)号：JPWO2015037577A1

    公开(公告)日：2017-03-02

    申请号：JP2015536580

    申请日：2014-09-09

    申请人： 国立研究開発法人産業技術総合研究所

    发明人： 貴思 清水

    IPC分类号： G02B6/12 ,  G02B5/18

    CPC分类号： G02B6/122 ,  G02B1/005 ,  G02B2006/12035

    摘要： 光通信等の波長帯域において、優れた光学特性を示す光導波路や光フィルター等の光デバイスを提供する。光デバイスを、インジウム、ガリウム及び亜鉛を含むアモルファス酸化物で構成する。本発明の光デバイスを構成するInGaZnO系アモルファス酸化物は、波長480nm乃至1700nmにおける屈折率が1.6以上2.1以下で消衰係数が1×10−23以上1×10−4未満の光学特性を有する。また、InGaZnO系アモルファス酸化物により傾斜角が87度以上90度以下である断面構造の光導波路を実現する。

    摘要翻译： 在光通信的波长带提供了一种光学装置，例如光波导和光学滤光器表现出优异的光学特性。 光学装置由包含铟，镓及锌的非晶质氧化物构成。 InGaZnO构成本发明的光学装置类的非晶氧化物，消光系数具有小于1×10-4 1×10-23或更多的折射率的光学特性在480nm处的至1700nm的波长为1.6以上2.1以下。 此外，为了实现光波导的横截面结构的倾斜角是小于90度87度由基于InGaZnO非晶氧化物。

    Planar lightwave circuit and fabrication method thereof
    10.
    发明专利
    Planar lightwave circuit and fabrication method thereof 审中-公开
    平面照明电路及其制造方法

    公开(公告)号：JP2006146212A

    公开(公告)日：2006-06-08

    申请号：JP2005327268

    申请日：2005-11-11

    申请人： Samsung Electronics Co Ltd ,  三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.

    发明人： CHO JAE-GEOL

    IPC分类号： G02B6/13

    CPC分类号： G02B6/1228 ,  G02B6/13 ,  G02B2006/12035 ,  G02B2006/12038

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a planar lightwave circuit and its fabrication method in which step is made simpler compared with a conventional technique, control is made easier and low loss and high reproducibility are obtained. SOLUTION: In the fabrication method of the planar lightwave circuit having an optical waveguide, an initial optical waveguide having a predetermined pattern is formed on a substrate 910 and reflowing is conducted for the optical waveguide by applying heat to obtain a deformed optical wavegiude 1030. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

    摘要翻译： 要解决的问题：为了提供一种平面光波电路及其制造方法，其中步骤比传统技术更简单，控制变得更容易，并且获得低损耗和高再现性。 解决方案：在具有光波导的平面光波电路的制造方法中，在基板910上形成具有预定图案的初始光波导，通过加热来对光波导进行回流以获得变形的光波导 （C）2006年，JPO＆NCIPI