公开(公告)号：JP6157911B2

公开(公告)日：2017-07-05

申请号：JP2013086524

申请日：2013-04-17

Applicant: 富士通株式会社 ,  日本電気株式会社

Inventor： 羽鳥 伸明 ,  石坂 政茂 ,  清水 隆徳

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/42 ,  H01S5/022

CPC classification number: G02B6/12 ,  G02B6/42 ,  G02B6/4266 ,  H01S5/005 ,  H01S5/068 ,  G02B2006/12038 ,  G02B2006/12061 ,  G02B2006/12107 ,  G02B2006/12121 ,  G02B2006/12128 ,  G02B2006/12147 ,  G02B6/4202 ,  G02B6/4224 ,  G02B6/4238 ,  H01L29/127

公开(公告)号：JPWO2014142040A1

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：JP2015505449

申请日：2014-03-09

Applicant: 国立研究開発法人科学技術振興機構

Inventor： 真島　豊 ,  豊 真島 ,  寺西　利治 ,  利治 寺西 ,  康男 東 ,  康男 東 ,  雅典 坂本 ,  雅典 坂本 ,  伸也 加納 ,  伸也 加納 ,  エドゥアルド ウルタド サリナス ダニエル ,  エドゥアルド ウルタド サリナス ダニエル

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L29/7613 ,  B82Y10/00 ,  G11C7/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/127 ,  H01L29/413 ,  H01L51/0098

Abstract: 金属ナノ粒子を用いなくても、スイッチングやメモリとして機能する電子素子を提供する。電子素子が、ナノギャップを有するように配置された一方の電極及び他方の電極5A,5Bと、一方の電極5Aと他方の電極5Bとの間で少なくとも何れかの電極上に設けられたハロゲンイオン6と、を備える。一方の電極5Aと他方の電極5Bとの間に電圧を正の値から負の値まで、負の値から正の値まで連続的に繰り返し変化させると、一方の電極5Aと他方の電極5Bとの間に流れる電流波形が非対称となる。一方の電極5Aと他方の電極5Bとの間に印加する電圧の値に応じてハロゲンイオン6の状態を変化させ、一方の電極5Aと他方の電極5Bとの間に流れる電流の値に対応させて情報の書き込み状態と情報の消去状態とを維持する。

Abstract translation: 在不使用金属纳米粒子，是提供一种电子装置，其功能是作为一个开关或存储器。 电子设备，其被布置为具有纳米间隙，而另一电极5A，5B和设在所述一个电极5A和另一方的电极5B之间的电极中的至少一个卤素离子的电极中的一个 它包括一个如图6所示，一个。 到从所述一个电极5A和另一方的电极5B之间的正值负值电压时从负值如果连续地反复变为正值，并且电极5A中的一个，而另一个电极5B 之间流动的电流波形变得不对称。 在根据所述一个电极5A和另一方的电极5B之间施加的电压的值来改变卤化物离子6的状态下，以对应于流过的电流的电极5A中的一个，而另一个电极5B之间的值 特保持写状态的擦除状态和信息的信息。

公开(公告)号：JPWO2014142039A1

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：JP2015505448

申请日：2014-03-09

Applicant: 国立研究開発法人科学技術振興機構

Inventor： 真島　豊 ,  豊 真島 ,  寺西　利治 ,  利治 寺西 ,  松本　和彦 ,  和彦 松本 ,  兼三 前橋 ,  兼三 前橋 ,  友文 須崎 ,  友文 須崎 ,  恭秀 大野 ,  恭秀 大野 ,  功佑 松崎 ,  功佑 松崎 ,  ヒューベル フレデリック ハケンベルジェ ギョーム ,  ヒューベル フレデリック ハケンベルジェ ギョーム

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7613 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/127 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66439

Abstract: 3以上の入力の論理演算を一つのユニークなデバイスで実現する論理演算素子を提供する。論理演算素子30は、ナノギャップを有するように設けられた一方の電極5A及び他方の電極5Bと、一方の電極5Aと他方の電極5Bとの間に絶縁して配置された金属ナノ粒子7と、金属ナノ粒子7の電荷を調整するための複数のゲート電極5C,5D,11,11A,11Bと、を備え、3つ以上のゲート電極5C,5D,11,11A,11bに印加される電圧に従って一方の電極5Aと他方の電極5Bとの間に流れる電流が制御される。

Abstract translation: 3的上述输入的逻辑操作，以提供一个逻辑运算元件来实现一个单一的独特装置。 逻辑运算元件30，电极5A中的一个，并布置成具有纳米间隙，金属纳米粒子7设置在电极5A的一个和另一个电极5B之间绝缘的另一个电极5B 用于调节电荷的金属纳米粒子7，图5D，11，11A的多个栅电极5C的，包括图11B所示，所述三个或更多栅电极5C，5D，11，11A，电压施加到11B 所述一个电极5A和另一方的电极5B是根据控制之间流动的电流。

公开(公告)号：JP2014502417A

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：JP2013537841

申请日：2011-11-03

Applicant: デ,ロシェモント,エル.,ピエール

Inventor： デ，ロシェモント，エル．，ピエール

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/208 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/66 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/127 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02672 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/151 ,  H01L29/16 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/34

Abstract: 三次元多結晶半導体物質は、５０ｎｍ以下の公称最大粒径を有する個々の結晶粒を形成する主要成分と、前記個々の結晶粒間に境界を形成する副成分と、を含む。
【選択図】図６Ｂ

公开(公告)号：JPWO2011074492A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：JP2011546088

申请日：2010-12-10

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 村山　浩二 ,  浩二 村山

IPC: H01L51/50 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/06 ,  H01L31/04 ,  H05B33/10

CPC classification number: G06F17/30312 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/127

Abstract: 原料溶液作製工程(11)ではInP/ZnS分散溶液等の原料溶液を作製する。量子ドット分散溶液作製工程(12)では原料溶液に電子輸送性界面活性剤を添加して量子ドットの表面に電子輸送性界面活性剤を配位させ(電子輸送性界面活性剤添加処理(12a))、真空乾燥して分散溶媒を蒸発させた後(真空乾燥処理(12b))、正孔輸送性界面活性剤を含有した溶媒に浸漬させ、電子輸送性界面活性剤の一部を正孔輸送性界面活性剤で置換した量子ドット分散溶液を作製する(配位子置換処理(12c))。塗布工程(13)では、量子ドット分散溶液を基板に塗布して正孔輸送層と量子ドット層とを同時に作製し、二層構造の薄膜を得る。これにより量子ドットの表面に機能の異なる2種類の界面活性剤が配位した量子ドット層を含む薄膜を高効率で作製する。

公开(公告)号：JP2013046008A

公开(公告)日：2013-03-04

申请号：JP2011184588

申请日：2011-08-26

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： KURAMACHI TERUHIKO

IPC: H01L31/052 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L31/055 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/127 ,  H01L29/152 ,  H01L29/154 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a quantum dot structure in which quantum dots are distributed uniformly with high density while having a three-dimensional periodicity, and to provide a wavelength conversion element, a light-to-light converter and a photoelectric converter in which light-to-light conversion efficiency and photoelectric conversion efficiency do not decrease with time.SOLUTION: The quantum dot structure has a matrix layer, and first and second quantum dots provided in the matrix layer. The second quantum dots are arranged periodically so as to be held between the first quantum dots in the thickness direction of the matrix layer, and the first quantum dot is smaller than the second quantum dot. The first quantum dot and second quantum dot have different compositions, and the electronegativities A and B of the first and second quantum dots satisfy a relation A

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供量子点以高密度均匀分布的量子点结构，同时具有三维周期性，并且为了提供波长转换元件，提供光 - 光转换器和光电 转换器，其中光 - 光转换效率和光电转换效率不随时间降低。 解决方案：量子点结构具有矩阵层，第一和第二量子点设置在矩阵层中。 第二量子点周期性地布置成在矩阵层的厚度方向上保持在第一量子点之间，并且第一量子点小于第二量子点。 第一量子点和第二量子点具有不同的组成，第一和第二量子点的电负性A和B满足关系A

公开(公告)号：JP5095260B2

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：JP2007123592

申请日：2007-05-08

Applicant: 富士通株式会社 ,  国立大学法人 東京大学

Inventor： 泰彦 荒川 ,  ドゥニ ギマール ,  史郎 塚本 ,  広治 江部 ,  充 菅原

IPC: H01S5/343 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/127 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/66977 ,  H01L33/06 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3412 ,  H01S2304/04

公开(公告)号：JP4866534B2

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：JP2002578556

申请日：2002-02-01

Applicant: エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド

Inventor： マイケル エー． トッド ,  マーク アール． ホーキンス

IPC: C23C16/24 ,  H01L21/205 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C30B25/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/316 ,  H01L21/331 ,  H01L21/337 ,  H01L21/425 ,  H01L21/469 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/51 ,  H01L29/737 ,  H01L29/78 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

CPC classification number: C23C16/0272 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/325 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/56 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/32055 ,  H01L28/84 ,  H01L29/127 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/66242 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/933

Abstract: Silicon alloys and doped silicon films are prepared by chemical vapor deposition and ion implantation processes using Si-containing chemical precursors as sources for Group III and Group V atoms. Preferred dopant precursors include (H3Si)3-xMRx, (H3Si)3N, and (H3Si)4N2, wherein R is H or D, x=0, 1 or 2, and M is selected from the group consisting of B, P, As, and Sb. Preferred deposition methods produce non-hydrogenated silicon alloy and doped Si-containing films, including crystalline films.

公开(公告)号：JP4864202B2

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：JP2000555299

申请日：1999-06-18

Applicant: キネティック リミテッド

Inventor： ジョン ヘンリー ジェファーソン ,  ティモシー ジョナサン フィリップス

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/66 ,  H01L29/76 ,  H01L29/775 ,  H01L29/80

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L29/125 ,  H01L29/127 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/775 ,  Y10S977/937

Abstract: A quantum wire field-effect transistor having at least one, one-dimensional, elongate conducting means (14) provided by at least a first semiconductor layer surrounded by a wider bandgap, second semiconductor layer (12, 13) and extending between source (24) and drain (26) electrodes, and in which there is provided a backgate structure (8, 23) to control conduction in the elongate conducting means. The transistor can be a Single Electron Transistor (SET) wherein two adjacent gate electrode (16, 18) are disposed over the elongate conducting means to induce a quantum dot (17) therein, and it can be made with the first semiconductor layer material as GaAs and the second semiconductor layer material as AlGaAs. A method of making the transistor involves preferentially growing the elongate conducting means at the bottom of a groove (6) lined with second semiconductor layer (12).

公开(公告)号：JP4740862B2

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：JP2006532489

申请日：2004-04-28

Applicant: インディアナ ユニヴァーシティ リサーチ アンド テクノロジー コーポレイション

Inventor： ニー、シャミン ,  イー． ベイリー、ロバート

IPC: G01N33/58 ,  G01N21/64 ,  H01L20060101 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/2203 ,  A61K47/6923 ,  A61K49/0067 ,  B82Y5/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B19/002 ,  C01B19/007 ,  C01B21/0632 ,  C01P2002/01 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/84 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/84 ,  C09K11/565 ,  C09K11/62 ,  C09K11/883 ,  C09K11/89 ,  G01N33/588 ,  H01L29/127 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/03529 ,  Y02E10/50 ,  Y10S435/967