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    Three-dimensional microstructure manufacturing method and manufacturing device
    2.
    发明专利
    Three-dimensional microstructure manufacturing method and manufacturing device 审中-公开
    三维微结构制造方法及制造装置

    公开(公告)号：JP2004209626A

    公开(公告)日：2004-07-29

    申请号：JP2003060883

    申请日：2003-03-07

    Applicant: Seiko Instruments Inc ,  セイコーインスツルメンツ株式会社

    Inventor： IWASAKI KOJI

    IPC: B81C99/00 ,  C23C16/04 ,  C23C16/48 ,  H01J37/302 ,  B81C5/00

    CPC classification number: C23C16/047 ,  B33Y50/02 ,  H01J37/3023 ,  H01J2237/30411 ,  H01J2237/31737 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/31749

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a for a focused electrically-charged particle beam working method for realizing the formation of a fine three-dimensional structure near a designed shape as well as a focused electrically-charged particle beam device for realizing it by reducing the effects of etching and a deposition phenomenon varying in accordance with several conditions at the time of carrying out the working.
    SOLUTION: The three-dimensional microstructure manufacturing method is that a trial production structure is made by performing temporary working based on the data of the three-dimensionally designed shape data of the three-dimensional structure, by comparing the shape of the trial production structure with the above design shape and then this working is performed, compensating the working conditions so that the difference may be corrected under the control of the working conditions of the acceleration voltage of the electrically-charged particle, a beam current, scanning velocity, dot pitch values and dot latency time. The three-dimensionally designed shape data of the three-dimensional structure is used to seek a plurality of a two-dimensional shape data by a differential calculus using a CAD data, the working is carried out by controlling the irradiation position of the electrically-charged particle beam based on the plurality of the two-dimensional shape data.
    COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于实现在设计形状附近形成精细三维结构的聚焦带电粒子束加工方法以及用于实现它的聚焦带电粒子束装置 通过减少在进行加工时根据若干条件而变化的蚀刻效果和沉积现象。 解决方案：三维微结构制造方法是通过基于三维结构的三维设计的形状数据的数据，通过比较试验的形状来进行试制生产结构 具有上述设计形状的生产结构，然后执行该工作，补偿工作条件，使得可以在带电粒子的加速电压，束电流，扫描速度等的工作条件的控制下校正差异， 点间距值和点延迟时间。 使用三维结构的三维设计的形状数据来使用CAD数据通过微积分来寻找多个二维形状数据，通过控制带电的照射位置来进行加工 基于多个二维形状数据的粒子束。 版权所有（C）2004，JPO＆NCIPI

    Conditioning treatment method and device of electron gun
    4.
    发明专利
    Conditioning treatment method and device of electron gun 审中-公开
    电子枪的调节处理方法和装置

    公开(公告)号：JP2008078103A

    公开(公告)日：2008-04-03

    申请号：JP2006259373

    申请日：2006-09-25

    Applicant: Nuflare Technology Inc ,  株式会社ニューフレアテクノロジー

    Inventor： MIYAMOTO FUSAO

    IPC: H01J37/06 ,  H01L21/027

    CPC classification number: H01J37/063 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J9/445 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/30411

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conditioning treatment method and device of an electron gun in which a voltage resisting property of an electron gun is improved in a simple way by removing efficiently and effectively an electric discharging factor existing on the surface of an electrode or an insulator composing the electron gun.
    SOLUTION: The electron gun conditioning treatment device 10 is provided with a voltage supply part 11, a voltage adjusting part 12 to adjust an output voltage of the voltage supply part 11 and a current detecting part 13 to detect a leakage current flowing between electrodes of the electron gun. And, there are provided a vacuum exhausting part 15 to adjust the inside of the electron gun in a reduced pressure condition and a voltage detecting part 16. And, a personal computer, for instance, makes a data processing base on a comparison between a leakage current detected by the current detecting part 13 and a standard value and controls a voltage impressed between electrodes through a connection part 14 from the voltage supply part 11 by the voltage adjusting part 12.
    COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种电子枪的调理处理方法和装置，其中通过有效地有效地除去存在于电子枪表面上的放电系数，以简单的方式改善了电子枪的耐电压特性 构成电子枪的电极或绝缘体。 解决方案：电子枪调理处理装置10设有电压供应部分11，电压调节部分12，以调节电压供应部分11的输出电压和电流检测部分13，以检测在 电子枪的电极。 并且，在减压条件下设置有用于调整电子枪内部的真空排气部15和电压检测部16.例如，个人计算机进行基于泄漏 由电流检测部分13检测的电流和标准值，并且通过电压提供部分11通过电压调节部分12控制通过连接部分14施加在电极之间的电压。（C）2008年，JPO和INPIT

    High-energy ion implantation device controlling electrode voltage phase by applying digital frequency synthesis and phase synthesis, and method for correctly calibrating electrode voltage phase
    5.
    发明专利
    High-energy ion implantation device controlling electrode voltage phase by applying digital frequency synthesis and phase synthesis, and method for correctly calibrating electrode voltage phase 审中-公开
    通过应用数字频率合成和相位合成控制电极电压阶段的高能离子植入装置，以及正确校准电极电压相位的方法

    公开(公告)号：JP2007265966A

    公开(公告)日：2007-10-11

    申请号：JP2007009456

    申请日：2007-01-18

    Applicant: Axcelis Technologies Inc ,  アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド

    Inventor： BERNHARDT DAVID K

    IPC: H05H9/00 ,  G21K5/00 ,  G21K5/04 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H03B28/00

    CPC classification number: H01J37/3172 ,  H01J37/248 ,  H01J2237/2487 ,  H01J2237/30411

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an LINAC improved by utilizing direct digital synthesis (DDS) techniques to obtain precise frequency and phase control and automated electrode voltage phase calibration; and to provide an HE ion implantation system using it. SOLUTION: A DDS controller 130 may be used on an implantation process using a multi-stage linear accelerator to synchronize the frequency and phase of the electric fields to each electrode within each stage of the accelerator. The DDS controller includes digital phase synthesis (DPS) circuits 138 for modulating the phase of the electric field to the electrodes, and a master oscillator that uses digital frequency synthesis or DFS 134 to digitally synthesize a master frequency and a master phase applied to each of the DPS circuits. This method for automatically calibrating phase and amplitude of the RF electrode voltage of each stage is provided as well. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：通过利用直接数字合成（DDS）技术提供改进的LINAC，以获得精确的频率和相位控制和自动电极电压相位校准; 并提供使用它的HE离子注入系统。 解决方案：DDS控制器130可以在使用多级线性加速器的注入过程中用于使电场的频率和相位与加速器的每个阶段内的每个电极同步。 DDS控制器包括数字相位合成（DPS）电路138，用于将电场的相位调制到电极;以及主振荡器，其使用数字频率合成或DFS134来数字地合成主频率和主相， DPS电路。 还提供了用于自动校准每个级的RF电极电压的相位和幅度的方法。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

    Optimization of beam utilization
    7.
    发明专利
    Optimization of beam utilization 审中-公开

    公开(公告)号：JP2008522431A

    公开(公告)日：2008-06-26

    申请号：JP2007544357

    申请日：2005-11-08

    Applicant: アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド

    Inventor： マイケル グラフ ,  アンドリュー ライ

    IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317

    CPC classification number: H01L21/265 ,  H01J37/3023 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/20285 ,  H01J2237/30411

    Abstract: イオン注入を最適化する方法であって、基板がイオンビームを通過して二次元的に走査される。 この方法は、イオンビーム電流、イオンのドーズ量、及びスロースキャン方向にビームを通過する基板の数の１つまたはそれ以上を含む処理方法を提供する。 ビームは、処理方法に基づいてプロファイルされ、そして、ビームのサイズが決定される。 ファーストスキャン方向における複数の異なるスキャン速度の１つが、イオン注入の所望の均一性及び処理方法に基づいて選択される。 この処理方法は、所望の均一性、基板に対する処理能力時間、所望の最小イオンビーム電流、及び１つ以上の基板条件の１つまたはそれ以上に基づいて制御される。 スロースキャン方向における複数の速度の１つが注入のドーズ量に基づいて選択される。

    Device, method, and program for ion implantation simulation and computer readable recording medium with ion implantation simulation program recorded thereon
    9.
    发明专利
    Device, method, and program for ion implantation simulation and computer readable recording medium with ion implantation simulation program recorded thereon 审中-公开
    用于离子植入模拟的设备，方法和程序以及记录有离子植入模拟程序的计算机可读记录介质

    公开(公告)号：JP2005217230A

    公开(公告)日：2005-08-11

    申请号：JP2004022647

    申请日：2004-01-30

    Applicant: Toshiba Corp ,  株式会社東芝

    Inventor： AMAKAWA HIROTAKA

    IPC: H01J37/317 ,  G06F17/50 ,  H01L21/00 ,  H01L21/265

    CPC classification number: G06F17/5018 ,  G06F2217/10 ,  H01J2237/30411 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/26586

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ion implantation simulation device for computing an ion concentration distribution accurately at a high speed by incorporating a beam dispersion phenomenon of an ion implantation process imparting an important affection to characteristics of an advanced semiconductor device.
    SOLUTION: The ion implantation simulation device comprises a beam dispersion approximate function memory 121 for storing a beam dispersion approximate function approximating ion beam dispersion indicative of the spreading of an ion beam using a predetermined function; a beam intensity computation part 131 for computing region surface beam intensity indicative of the intensity of an ion beam on an implantation region surface indicative of the surface of a predetermined region of a device implanted with ions with the ion beam, on the basis of the beam dispersion approximate function stored in the beam dispersion approximate function memory 121; and an ion concentration distribution computation part 132 for computing the concentration distribution of ions implanted into the device by an ion beam from an implantation region surface using region surface beam intensity computed by the beam intensity computation part 131.
    COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种离子注入模拟装置，通过结合对先进半导体器件的特性具有重要影响的离子注入工艺的束散射现象，高精度地计算离子浓度分布。 解决方案：离子注入模拟装置包括光束色散近似函数存储器121，用于存储表示使用预定函数的离子束扩展的近似离子束色散的光束色散近似函数; 光束强度计算部分131，用于计算指示注入离子束的装置的预定区域的表面上的注入区表面上的离子束强度的区域表面光束强度，基于束 存储在波束色散近似函数存储器121中的色散近似函数; 以及离子浓度分布计算部132，用于通过使用由束强度计算部131计算出的区域表面光束强度来计算通过离子束从注入区域表面注入到器件中的离子的浓度分布。（C） 2005年，JPO＆NCIPI

    荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
    10.
    发明专利
    荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 有权

    公开(公告)号：JP2017152480A

    公开(公告)日：2017-08-31

    申请号：JP2016032156

    申请日：2016-02-23

    Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー

    Inventor： 本杉 知生

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: H01J37/3023 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/30411

    Abstract: 【課題】パターンの寸法ずれや位置ずれを防止し、スループットの低下を抑えつつ、LERを向上させる。 【解決手段】本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置は、ショットデータに定義された照射量が照射量下限値未満である場合に、ショットデータの照射量を該照射量下限値に変更する照射量再設定部116と、照射量の変更量に基づいてショットデータに定義されたショットサイズを変更するショットサイズ調整部117と、ショットサイズの変更量に基づいてショットデータに定義されたショット位置を変更するショット位置調整部118と、前記照射量、前記ショットサイズ、及び前記ショット位置が変更されたショットデータを用いて基板240上に荷電粒子ビームを照射して描画を行う描画部200と、を備える。 【選択図】図1

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