公开(公告)号：JP5937006B2

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：JP2012526004

申请日：2010-08-17

申请人： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション ,  INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

发明人： シア・フェンニアン ,  アヴォリス・フェドン ,  ミュラー・トーマス ,  リン・ユミン

IPC分类号： G01J1/02 ,  H01L31/10

CPC分类号： H01L51/428 ,  H01L29/1606 ,  Y02E10/549

公开(公告)号：JP5046095B2

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：JP2007055631

申请日：2007-03-06

申请人： 独立行政法人産業技術総合研究所

发明人： 学 吉田 ,  俊英 鎌田

IPC分类号： H01L31/0248 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L51/055 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/428 ,  Y02E10/549

公开(公告)号：JP4260368B2

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：JP2000545197

申请日：1999-04-16

申请人： ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド

发明人： シリングホース、ヘニング ,  テスラー、ニール ,  フレンド、リチャード、ヘンリー

IPC分类号： H01L51/05 ,  G11C13/02 ,  H01L27/088 ,  H01L27/15 ,  H01L27/28 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L31/153 ,  H01L51/00 ,  H01L51/30 ,  H01L51/50 ,  H05B33/26

CPC分类号： B82Y10/00 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/141 ,  C08G2261/212 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/92 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  H01L27/305 ,  H01L27/3274 ,  H01L31/153 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/428 ,  Y02E10/549

公开(公告)号：JP2007525814A

公开(公告)日：2007-09-06

申请号：JP2006501941

申请日：2004-02-24

申请人： ソニー ドイチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

发明人： ネレス、ガブリエーレ ,  ロッセリ、シルビア ,  章夫 安田

IPC分类号： H01L51/42 ,  G02F1/1343 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L51/428 ,  G02F1/134363 ,  G02F2201/124 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0076 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/4206 ,  H01L51/445 ,  Y02E10/549

摘要： 本発明は、ディスコティック液晶材料に基づく電子素子、このような電子素子の製造方法及びその使用方法を提供する。

公开(公告)号：JP2006526279A

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：JP2006508111

申请日：2004-05-18

申请人： ハーン−マイトネル−インスチツート ベルリン ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

发明人： ウリャーシン アレクサンダー ,  ペトロフ アレクサンダー ,  ファールナー ヴォルフガング ,  ザントキューラー ウルリヒ ,  ホッペ クルト ,  フィンク ディートマー ,  シュタンスキ ベルンハルト

IPC分类号： H01L29/06 ,  B82B1/00 ,  G01N27/00 ,  G01N27/12 ,  G01N27/414 ,  H01L21/316 ,  H01L29/772 ,  H01L29/86 ,  H01L31/10 ,  H01L51/00 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L51/0508 ,  B82Y10/00 ,  G01N27/129 ,  H01L21/31695 ,  H01L29/772 ,  H01L29/86 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/428 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 公知のパラメタライズされた半導体複合構造体はモノファンクショナルに作動する。 同時に最大の普遍性において最大の柔軟性を実現するために、本発明のパラメタライズされた半導体複合構造体（ＴＥＭＰＯＳ）は、ドーピングチャネルとしてナノスケールの細孔（ＶＰ）及び電気的絶縁材料から成る層（ＥＩＬ）の表面において細孔（ＶＰ）の間に導電性材料から成る高オーミック被覆層（ＥＣＭ）を有し、電気的抵抗が発生され、この電気的抵抗は付加的な電荷担体の移動を半導体複合構造体（ＰＳＣ）内の垂直方向にサポートし、しかし同じ側面の電極（ｏ，ｗ）の間で水平方向に阻止する。 微分負性抵抗特性（ＮＥＲＰＯＳ）も含みうる半導体複合構造体（ＴＥＭＰＯＳ）の機能調整のための基本的なパラメータは、細孔（ＶＰ）及び導電性材料（ＥＣＭ）の形成に関連する。 有利には、細孔（ＶＰ）はイオン照射とその後のエッチングによって作られ、エッチング持続時間が細孔深度及び細孔直径を決定する。 導電性材料（ＥＣＭ）は有利には導電性ナノクラスタ（ＤＮＰ）又は湿度感応性フラーレン（ＭＯＳＢＩＴ）から成りうる。 使用はアナログ及びデジタル方式のアクティブ及びパッシブな、熱的な、抵抗性の、容量性の、周波数依存性の、化学的な及び／又はradiation-resistantな特性を有する電子的な、オプトエレクトロニクス的な、hygroscopic electronicな及びセンサ半導体構成素子を含む。

公开(公告)号：JP6160852B1

公开(公告)日：2017-07-12

申请号：JP2017519595

申请日：2016-10-21

申请人： パナソニックIPマネジメント株式会社

发明人： 玉置 徳彦

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L31/10 ,  H04N5/3745 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L51/428 ,  H01L27/146 ,  H01L27/307 ,  H01L31/00 ,  H01L31/10 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/447 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/359 ,  H04N5/3698 ,  H04N5/378 ,  Y02E10/549

摘要： 本開示の光センサは、半導体層と、半導体層上の、光電変換層を含むゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、半導体層内のソース領域およびドレイン領域のうちの一方と、ゲート電極との間に電圧を印加する電圧供給回路と、ソース領域およびドレイン領域のうちの他方に接続された信号検出回路と、を備える。光電変換層は、逆方向バイアス電圧の増大に従って出力電流密度の絶対値が増大する第1電圧範囲と、順方向バイアス電圧の増大に従って出力電流密度が増大する第2電圧範囲と、第1電圧範囲と第2電圧範囲との間の、バイアス電圧に対する出力電流密度の変化率の絶対値が第1電圧範囲および第2電圧範囲よりも小さい第3電圧範囲と、を有する光電流特性を有する。電圧供給回路は、光電変換層に印加されるバイアス電圧が第3電圧範囲内となるように電圧を印加する。信号検出回路は、入射光による光電変換層の容量の変化に対応する電気信号を検出する。

公开(公告)号：JP6021913B2

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：JP2014523308

申请日：2012-07-31

申请人： フンダシオ インスティチュート デ サイエンセズ フォトニクス

发明人： ゲラシモス、コンスタンタトス ,  フランク、コッペン

IPC分类号： H01L31/10

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/42364 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/112 ,  H01L31/113 ,  H01L51/428 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/4213 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/549

公开(公告)号：JP2014522117A

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：JP2014523308

申请日：2012-07-31

申请人： フンダシオ インスティチュート デ サイエンセズ フォトニクス

发明人： ゲラシモス、コンスタンタトス ,  フランク、コッペン

IPC分类号： H01L31/10

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/42364 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/112 ,  H01L31/113 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/4213 ,  H01L51/428 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/549

摘要： 本発明は、炭素系伝導層（２）と、上面上の、光吸収材料としてのコロイド状量子ドットの層（１）と、を備えた光電子プラットフォームである。 炭素系伝導層は、グラフェンまたは還元酸化グラフェンまたはカーボンナノチューブから形成され得る。 低電圧の操作を維持した場合であっても、１０６のオーダーで光導電性の増幅が可能である。 当該プラットフォームは、トランジスタとして用いられ得る。

公开(公告)号：JP5405040B2

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：JP2008095402

申请日：2008-04-01

申请人： プラスティック ロジック リミテッド

发明人： テスラー、ニール ,  シリングホース、ヘニング ,  フレンド、リチャード、ヘンリー

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  G11C13/02 ,  H01L27/088 ,  H01L27/15 ,  H01L27/28 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L31/153 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/26

CPC分类号： B82Y10/00 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/141 ,  C08G2261/212 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/92 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  H01L27/305 ,  H01L27/3274 ,  H01L31/153 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/428 ,  Y02E10/549

公开(公告)号：JP2010040783A

公开(公告)日：2010-02-18

申请号：JP2008202296

申请日：2008-08-05

申请人： Sony Corp ,  ソニー株式会社

发明人： MURATA MASAKI

IPC分类号： H01L51/42

CPC分类号： H01L27/305 ,  H01L51/428 ,  Y02E10/549

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoelectric conversion device incorporated with a new photoelectric conversion element including a photoelectric conversion material layer having high sensitivity and a high S/N ratio.
SOLUTION: The photoelectric conversion device includes: (a-1) a first electrode 21 and a second electrode 22 that are spaced apart at an interval; and (a-2) a photoelectric conversion material layer 30 provided between the first electrode 21 and the second electrode 22. The photoelectric conversion device also includes a photoelectric conversion element 11 and (b) a current detection circuit 40. The photoelectric conversion element is configured such that a current generated by the photoelectric conversion material layer 30 is changed with an elapse of irradiation time when a fixed amount of light is irradiated to the photoelectric conversion material layer 30 in a state that a voltage is applied between the first electrode 21 and the second electrode 22. The current detection circuit detects the current changes.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种结合有具有高灵敏度和高S / N比的光电转换材料层的新的光电转换元件的光电转换装置。 光电转换装置包括：（a-1）间隔隔开的第一电极21和第二电极22; 和（a-2）设置在第一电极21和第二电极22之间的光电转换材料层30.光电转换装置还包括光电转换元件11和（b）电流检测电路40.光电转换元件 被配置为使得当光电转换材料层30在第一电极21和第二电极21之间施加电压的状态下照射光量转换材料层30时，由光电转换材料层30产生的电流随着照射时间的变化而改变 电流检测电路检测电流变化。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT