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    通信モジュール
    3.
    发明专利
    通信モジュール 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018067752A

    公开(公告)日：2018-04-26

    申请号：JP2016203517

    申请日：2016-10-17

    申请人： 株式会社村田製作所

    发明人： 岸本 健

    IPC分类号： H04B1/00 ,  H04B1/40

    CPC分类号： H04B1/0483 ,  H03F1/565 ,  H03F3/19 ,  H03F3/195 ,  H03F3/21 ,  H03F3/245 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/111 ,  H03F2200/246 ,  H03F2200/451 ,  H03F2203/7209 ,  H03F2203/7239 ,  H03H7/38 ,  H04B1/0057 ,  H04B1/0458 ,  H04B2001/0408

    摘要： 【課題】複数の入力端子間のアイソレーション特性の向上を図ることができる通信モジュールを提供すること。 【解決手段】 通信モジュールは、第1周波数帯域の第1信号が入力される第1入力端子と、第2周波数帯域の第2信号が入力される第2入力端子と、第1信号を増幅した増幅信号を出力する増幅器と、増幅信号及び/又は第2信号が入力され、第1及び/又は第2周波数帯域の出力信号を出力するダイプレクサと、第2信号の高調波を短絡する高調波終端回路と、を備え、高調波終端回路は、一端が第2入力端子とダイプレクサとの間に接続され、他端が接地位置において接地され、平面視において、第1入力端子と高調波終端回路の接地位置との距離は、第1入力端子と第2入力端子との距離より長い。 【選択図】図1

    高周波半導体増幅回路
    5.
    发明专利
    高周波半導体増幅回路 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018042029A

    公开(公告)日：2018-03-15

    申请号：JP2016173002

    申请日：2016-09-05

    申请人： 株式会社東芝 ,  東芝デバイス&ストレージ株式会社

    发明人： 瀬下 敏樹 ,  栗山 保彦

    IPC分类号： H03F3/195

    CPC分类号： H03F1/0205 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/223 ,  H03F3/193 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/111 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/555 ,  H03F2203/7209 ,  H03F2203/7239

    摘要： 【課題】高周波入力信号を増幅して出力するか、増幅せずに出力するかの切替を行う回路を電気的特性を犠牲にせずに簡略化する。 【解決手段】高周波半導体増幅回路1は、高周波入力信号を増幅する第1トランジスタFET1と、SOI基板上に配置され、FET1にカスコード接続されてソース接地の第2トランジスタFET SW1 と、FET1のゲートを駆動するバイアス電圧VB1と、FET SW1 のオンまたはオフを切替制御する制御電圧C ON と、FET1のドレイン電圧を設定するのに用いられる電圧Vdd_intと、を生成するバイアス生成回路2と、を備える。バイアス生成回路2は、第1モード時には、FET SW1 がオンするように制御電圧C ON を生成し、第2モード時には、電圧Vdd_intを接地電位とし、かつ、FET SW1 がオフするように制御電圧C ON を生成し、さらに、バイアス電圧VB1を第1モード時よりも高電位にする。 【選択図】図1A

    電力増幅モジュール
    9.
    发明专利
    電力増幅モジュール 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017103655A

    公开(公告)日：2017-06-08

    申请号：JP2015236095

    申请日：2015-12-02

    申请人： 株式会社村田製作所

    发明人： 大山 寧 ,  筒井 孝幸 ,  中井 一人

    IPC分类号： H03F3/24

    CPC分类号： H03G1/0094 ,  H03F1/56 ,  H03F3/19 ,  H03F3/213 ,  H03F3/245 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/111 ,  H03F2200/165 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/387 ,  H03F2203/7209 ,  H03G2201/106 ,  H03G2201/40

    摘要： 【課題】送受信周波数間隔が狭い周波数帯域において、受信周波数帯域のノイズの発生を抑制する電力増幅モジュールを提供する。 【解決手段】電力増幅モジュール100Aは、第1の周波数帯域における第1の送信信号が入力される第1の入力端子IN1と、第1の周波数帯域よりも送受信周波数間隔が狭い第2の周波数帯域における第2の送信信号が入力される第2の入力端子IN2と、第1の送信信号が入力され、第1の送信信号を増幅した第1の増幅信号を出力する第1の増幅回路PA3と、第2の送信信号が入力され、第2の送信信号を増幅した第2の増幅信号を出力する第2の増幅回路PA4と、第1又は第2の増幅信号が入力され、第1又は第2の増幅信号を増幅した出力信号を出力する第3の増幅回路PA5と、第2の入力端子と第2の増幅回路との間に設けられ、第2の周波数帯域における受信周波数帯域の成分を減衰させる減衰回路MN4とを備える。 【選択図】図1

    送信装置及び送信方法
    10.
    发明专利
    送信装置及び送信方法 审中-公开
    发送装置和发送方法

    公开(公告)号：JPWO2014185459A1

    公开(公告)日：2017-02-23

    申请号：JP2015517112

    申请日：2014-05-14

    申请人： 日本電気株式会社

    发明人： 慎吾 山之内 ,  篤史 本田

    IPC分类号： H03F3/68 ,  H03F1/02 ,  H03F3/24 ,  H04B1/04

    CPC分类号： H03F3/211 ,  H03F1/0277 ,  H03F1/0288 ,  H03F1/07 ,  H03F3/19 ,  H03F3/245 ,  H03F3/602 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/111 ,  H03F2200/39 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/541 ,  H03F2203/21142 ,  H03F2203/21157 ,  H03F2203/7209 ,  H03F2203/7215 ,  H03F2203/7236 ,  H04B1/005

    摘要： 送信装置をマルチバンド化した場合において、出力合成素子の個数増加を抑制すると共に、省電力化を実現する送信装置を提供する。送信装置は、少なくとも2以上のバンドに配置されたRF信号を増幅する、複数の増幅部と、送信するRF信号の電力総和に応じて、複数の増幅部のうち、増幅動作を行う増幅部を選択する第1の制御部と、送信するRF信号のバンドごとの電力比に応じて、選択された増幅部のそれぞれにおいて、入力するRF信号の電力総和を一定に保持しつつ、バンドごとのRF信号の電力比を変更する第2の制御部と、選択された増幅部が出力するRF信号を合成する合成部と、を備える。

    摘要翻译： 在多频带传输系统的情况下，同时抑制了输出组合元件数量的增加，用于实现节电提供的发送装置。 发送装置，它放大其被布置在至少两个或更多个频带的RF信号，多个放大部，根据RF信号的总功率的多个放大器的，用于放大操作放大单元之间被传输， 其选择，根据该RF信号的每个频带的功率比的第一控制单元被传输，在每个所选择的放大单元的，同时保持所述输入RF信号恒定的总功率，RF的每个频带的 包括第二控制单元，用于改变信号的功率比，并用于组合RF信号放大单元合成单元输出所选择的和。