公开(公告)号：JP6906780B2

公开(公告)日：2021-07-21

申请号：JP2016204395

申请日：2016-10-18

Applicant: 株式会社ユメックス

Inventor： 高村 秀一 ,  前中 志郎 ,  山田 耕平 ,  藤田 和宣

IPC: H05H1/24 ,  C30B29/06 ,  C30B33/12 ,  C30B29/62 ,  H01L31/0236

公开(公告)号：JP6699559B2

公开(公告)日：2020-05-27

申请号：JP2016561469

申请日：2015-11-04

Applicant: 住友電気工業株式会社

Inventor： 本家 翼 ,  沖田 恭子

IPC: C30B33/12 ,  H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  C30B29/36

公开(公告)号：JP2020015646A

公开(公告)日：2020-01-30

申请号：JP2018139497

申请日：2018-07-25

Applicant: 株式会社デンソー ,  東洋炭素株式会社 ,  豊田通商株式会社

Inventor： 長屋 正武 ,  神田 貴裕 ,  岡本 武志 ,  鳥見 聡 ,  野上 暁 ,  北畠 真

IPC: C30B33/00 ,  C30B33/12 ,  H01L21/304 ,  H01L21/302 ,  C30B29/36

Abstract: 【課題】高品質なSiCウェハの製造方法を提供することを課題とする。 【解決手段】SiCウェハ20を平坦化する平坦化工程S14と、前記平坦化工程S14の後に、Si蒸気圧下で加熱することで前記SiCウェハ20をエッチングするエッチング工程S21と、前記エッチング工程S21の後に、前記SiCウェハ20の表面を化学機械研磨加工する化学機械研磨工程S31を含むことを特徴とした。このような工程でSiCウェハ20を製造することにより、高品質なSiCウェハ20を製造することができる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6459801B2

公开(公告)日：2019-01-30

申请号：JP2015128495

申请日：2015-06-26

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 辻 雅之

IPC: H01L21/3065 ,  C30B33/12 ,  C30B29/06 ,  C23C16/02 ,  C23C16/458 ,  C23C16/24 ,  H01L21/205

公开(公告)号：JP2018034144A

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：JP2017045475

申请日：2017-03-09

Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社

Inventor： 藤金 正樹

IPC: C30B29/38 ,  C30B33/12 ,  H01L21/3065 ,  E03B3/28 ,  B01D5/00

CPC classification number: C30B29/406 ,  B01D53/261 ,  C30B33/005 ,  C30B33/04 ,  C30B33/08 ,  C30B33/12 ,  E03B3/28 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02664

Abstract: 【課題】水蒸気を容易に捕集して水を造り出すデバイス等を提供する。 【解決手段】本開示の一態様に係るデバイスは、c面から0.05°以上15°以下の範囲で傾斜した結晶面を有し、かつ窒化ガリウムを含む半導体基板を備え、前記半導体基板は、前記結晶面に凹凸部を有し、前記凹凸部の表面の、比抵抗が18MΩ・cm以上の純水に対する接触角が10°以下である。 【選択図】図4A

公开(公告)号：JP6151581B2

公开(公告)日：2017-06-21

申请号：JP2013125016

申请日：2013-06-13

Applicant: 東洋炭素株式会社

Inventor： 鳥見 聡 ,  矢吹 紀人 ,  野上 暁

IPC: C30B33/12 ,  H01L21/205 ,  C30B29/36

公开(公告)号：JPWO2015093406A1

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：JP2015523321

申请日：2014-12-12

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 周平 東原 ,  周平 東原 ,  岩井　真 ,  真 岩井 ,  克宏 今井 ,  克宏 今井

IPC: C30B29/38 ,  C30B33/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L33/34

CPC classification number: H01L33/0095 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B29/406 ,  C30B33/12 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L22/12 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/32

Abstract: 窒化ガリウム層を有する基板において、窒化ガリウム層の表面処理後の表面ダメージを低減し、その上に形成する機能素子の品質を改善する。少なくとも窒化ガリウム層を有する基板4を提供する。誘導結合式プラズマ発生装置を具備したプラズマエッチング装置を用い、規格化された直流バイアス電位を−10V/cm2以上としてフッ素系ガスを導入し、窒化ガリウム層3の表面3aをドライエッチング処理する。【選択図】図1

公开(公告)号：JP2016512341A

公开(公告)日：2016-04-25

申请号：JP2015560662

申请日：2014-03-04

Applicant: エレメント シックス テクノロジーズ リミテッド ,  エレメント シックス テクノロジーズ リミテッド

Inventor： ダニエル トゥウィッチェン ,  ダニエル トゥウィッチェン ,  アンドリュー マイケル ベネット ,  アンドリュー マイケル ベネット ,  エフゲニー ヴァシリエヴィチ アノイキン ,  エフゲニー ヴァシリエヴィチ アノイキン ,  ウィット ヘンドリクス ヘラルデュス マリア デ ,  ウィット ヘンドリクス ヘラルデュス マリア デ

IPC: G02B1/113 ,  C30B33/12

CPC classification number: G02B1/02 ,  G02B1/118

Abstract: 光学素子であって、合成ダイヤモンド材料と、合成ダイヤモンド材料の少なくとも1つの表面内に直接形成された反射防止表面パターンとを有し、光学素子は、室温で測定して10.6μmの波長で0.5cm-1以下の吸収係数を有し、光学素子は、少なくとも1つの表面のところに光学素子の動作周波数で2%以下の反射率を有し、光学素子は、次の特性のうちの一方又は両方を満たすレーザ誘導損傷しきい値を有し、これら特性は、レーザ誘導損傷しきい値がパルス持続時間を100ns、パルス繰り返し周波数を1〜10Hzの範囲として波長10.6μmのパルスレーザを用いて測定して少なくとも30Jcm-2であるという特性及びレーザ誘導損傷しきい値が波長10.6μmの連続波レーザを用いて測定して少なくとも1MW/cm2であるという特性であることを特徴とする光学素子。【選択図】図1

Abstract translation: 一种光学元件，包括合成金刚石材料，和至少一个防反射表面图案直接形成在合成金刚石材料的表面上，光学，0.5厘米的为10.6μm的波长为在室温下测定 -1具有以下的吸收系数，光学元件具有在在所述至少一个表面上的光学元件的操作频率的2％的反射率，光学元件，一个或两个以下特征 已经满足这些特性的激光诱导损伤阈值是使用脉冲激光与激光为10.6μm诱导损伤阈值的脉冲持续时间的波长100纳秒，脉冲重复频率为一个范围的1〜测量10Hz的 特征在于具有性质和至少30Jcm-2激光诱导损伤阈值的光学元件是指使用连续波激光器为10.6μm至少1MW /厘米2 Te中的波长下测量的特性。 点域1

公开(公告)号：JP5463542B2

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：JP2009055545

申请日：2009-03-09

Applicant: セイコーエプソン株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 広昭 結城 ,  和也 山村

IPC: C23F4/00 ,  C30B33/12

公开(公告)号：JP2013258408A

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：JP2013144230

申请日：2013-07-10

Applicant: Applied Materials Inc ,  アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated

Inventor： CHANG MEI ,  CAO CHEN TEK ,  LU XIN LIANG ,  GE ZHENBIN

IPC: H01L21/3205 ,  C30B33/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76877 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683 ,  H01L2221/1063

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus and method for processing semiconductor substrates.SOLUTION: Provided is a method and apparatus for trench and via profile modification prior to filling the trench and via. By exposing a trench structure 22 to an etchant 26, a sacrifice layer 25 is formed to pinch off a top opening 24 of the trench structure. In one embodiment, the etchant is prepared to remove a first material 23 by reacting with the first material and generating a by-product, which forms the sacrifice layer.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于处理半导体衬底的设备和方法。解决方案：提供了在填充沟槽和通孔之前进行沟槽和通孔轮廓修改的方法和装置。 通过将沟槽结构22暴露于蚀刻剂26，形成牺牲层25以夹住沟槽结构的顶部开口24。 在一个实施方案中，蚀刻剂被制备为通过与第一材料反应并产生形成牺牲层的副产物来除去第一材料23。