公开(公告)号：KR1020170007545A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：KR1020177000782

申请日：2013-12-10

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 뱅거트,슈테판 ,  슈외쓸러,우베 ,  디에구에츠-챔포,요제마누엘 ,  하아스,디에터

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/00 ,  C23C14/24 ,  C23C14/56 ,  C23C14/12 ,  C23C14/04

CPC classification number: C23C14/243 ,  C23C14/042 ,  C23C14/12 ,  C23C14/246 ,  C23C14/50 ,  C23C14/56 ,  C23C14/562 ,  C23C14/564 ,  C23C14/566 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/56

Abstract: 유기재료를위한증발소스가설명된다. 증발소스는, 증발도가니― 증발도가니는유기재료를증발시키도록구성됨―; 하나또는그 초과의배출구들을갖는분배파이프― 분배파이프는증발도가니와유체소통하고, 분배파이프는, 증발동안에, 축을중심으로회전가능함―; 및분배파이프를위한지지부를포함하며, 지지부는제 1 드라이브에연결가능하거나, 또는제 1 드라이브를포함하고, 제 1 드라이브는분배파이프및 지지부의병진이동에대해구성된다.

Abstract translation: 描述了有机材料的蒸发源。 蒸发源包括蒸发坩埚，其中蒸发坩埚构造成蒸发有机材料; 具有一个或多个出口的分配管，其中所述分配管与所述蒸发坩埚流体连通，并且其中所述分配管可以在蒸发期间围绕轴线旋转; 以及对所述分配管的支撑件，其中所述支撑件可连接到第一驱动器或包括所述第一驱动器，其中所述第一驱动器构造成用于所述支撑件和所述分配管的平移运动。

公开(公告)号：KR1020150129841A

公开(公告)日：2015-11-20

申请号：KR1020157029085

申请日：2014-03-10

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 쿠마르,하스카 ,  하아스,디에터

IPC: H01L51/52 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L51/5253

Abstract: 다층배리어구조를증착하기위한방법및 장치가본원에서개시된다. 일실시예에서, 유기반도체위에형성되는얇은배리어층은, 비-컨포멀한유기층, 비-컨포멀한유기층 위에형성되는무기층, 무기층 위에형성되는금속성층, 및금속성층 위에형성되는제 2 유기층을포함한다. 다른실시예에서, 배리어층을증착하는방법은, 기판의노출된표면위에유기반도체디바이스를형성하는단계, CVD를이용하여무기층을증착하는단계, ALD에의해무기층 위에하나또는그 초과의금속산화물또는금속질화물층들을포함하는금속성층을증착하는단계― 금속산화물또는금속질화물층들중 각각의층은금속을포함하며, 금속은알루미늄, 하프늄, 티타늄, 지르코늄, 실리콘, 또는이들의조합들로이루어진그룹으로부터선택됨―, 및금속성층 위에유기층을증착하는단계를포함한다.

Abstract translation: 本文公开了一种用于沉积多层阻挡结构的方法和装置。 在一个实施例中，形成在有机半导体上的薄势垒层包括非共形有机层，在非保形有机层上形成的无机层，形成在无机层上的金属层和形成在金属上的第二有机层 层。 在另一个实施例中，沉积阻挡层的方法包括在衬底的暴露表面上形成有机半导体器件，使用CVD沉积无机层，在无机层上沉积包括一个或多个金属氧化物或金属氮化物层的金属层 通过ALD，每个金属氧化物或金属氮化物层包含金属，其中金属选自铝，铪，钛，锆，硅或其组合，并在金属层上沉积有机层。