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公开(公告)号：KR101920333B1
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：KR1020167018445
申请日：2013-12-10
Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Inventor： 뱅거트,슈테판 , 슈외쓸러,우베 , 디에구에츠-챔포,요제마누엘 , 하아스,디에터
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/042 , C23C14/12 , C23C14/246 , C23C14/50 , C23C14/56 , C23C14/562 , C23C14/564 , C23C14/566 , H01L51/001 , H01L51/0011 , H01L51/56
Abstract: 유기재료를위한증발소스가설명된다. 증발소스는, 증발도가니― 증발도가니는유기재료를증발시키도록구성됨―; 하나또는그 초과의배출구들을갖는분배파이프― 분배파이프는증발도가니와유체연통하고, 분배파이프는, 증발동안에, 축을중심으로회전가능함―; 및분배파이프를위한지지부를포함하며, 지지부는제 1 드라이브에연결가능하거나, 또는제 1 드라이브를포함하고, 제 1 드라이브는분배파이프및 지지부의병진이동에대해구성된다.
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公开(公告)号：KR20180037277A
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：KR20187007939
申请日：2016-05-10
Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Inventor： 다이구에즈-캠포,요제마누엘 , 방게르트,슈테판 , 로프,안드레아스 , 부르슈터,하랄트 , 하아스,디에터
CPC classification number: C23C14/12 , C23C14/042 , C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/564 , H01L51/56
Abstract: 증착장치를동작시키는방법이제공된다. 방법은: 증발된소스재료를증발소스(20)의하나또는그 초과의배출구들(22)로부터기판(10)을향해안내함으로써, 기판(10) 상에증발된소스재료를증착하는것 ―증발된소스재료의일부는하나또는그 초과의배출구들(22)과기판(10) 사이에배열된차폐디바이스(30)에의해차단되고그리고차폐디바이스(30)에부착됨―, 및, 이어서, 부착된소스재료의적어도일부를차폐디바이스(30)로부터릴리즈하기위해차폐디바이스(30)를적어도국부적으로가열함으로써차폐디바이스(30)를세정하는것을포함한다. 추가의양상에따르면, 설명된방법들에따라동작될수 있는증착장치가제공된다.
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3.发明公开캐리어에 의해 지지되는 기판 상에 하나 또는 그 초과의 층들을 증착하기 위한 시스템 및 그러한 시스템을 사용하는 방법 审中-实审具有蒸发源的有机材料蒸发源的有机材料的蒸发源与有机材料的蒸发源和用于有机材料的蒸发源的方法有关的沉积物
公开(公告)号：KR1020160118251A
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：KR1020167020830
申请日：2014-02-04
Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Inventor： 뱅거트,슈테판 , 슈외클러,우베 , 디에구에츠-챔포,요제마누엘 , 하아스,디에터
CPC classification number: H01L51/56 , B05D1/60 , C23C14/042 , C23C14/12 , C23C14/243 , C23C14/246 , C23C14/505 , C23C14/56 , C23C14/562 , C23C14/564 , C23C14/566 , C23C14/568 , H01L21/67173 , H01L21/67196 , H01L21/67271 , H01L21/67712 , H01L21/67718 , H01L21/67727 , H01L21/67742 , H01L21/67748 , H01L21/6776 , H01L51/001 , H01L51/0011 , C23C14/50
Abstract: 하나또는그 초과의층들, 특히층들에유기재료들을포함하는층들을증착하기위한시스템이설명된다. 시스템은, 프로세싱될기판을로딩하기위한로드락 챔버, 기판을운송하기위한이송챔버, 이송챔버와로드락 챔버사이에제공된진공스윙모듈, 적어도하나의증착장치― 적어도하나의증착장치는, 적어도하나의증착챔버의진공챔버에서재료를증착하기위한것이고, 적어도하나의증착장치는이송챔버에연결됨―, 프로세싱된기판을언로딩하기위한추가적인로드락 챔버, 기판을운송하기위한추가적인이송챔버, 추가적인이송챔버와추가적인로드락 챔버사이에제공된추가적인진공스윙모듈, 및추가적인진공스윙모듈로부터진공스윙모듈로의캐리어리턴트랙을포함하며, 여기에서, 캐리어리턴트랙은, 진공조건들하에서, 그리고/또는제어되는비활성분위기하에서, 캐리어를운송하도록구성된다.
Abstract translation: 描述了一种用于在其中沉积一层或多层，特别是其中包括有机材料的层的系统。 该系统包括用于加载要处理的基板的负载锁定室，用于输送基板的传送室，设置在负载锁定室和传送室之间的真空摆动模块，至少一个用于在真空室中沉积材料的沉积设备 的至少一个沉积室，其中所述至少一个沉积设备连接到所述传送室; 用于卸载已经被处理的基底的另外的负载锁定室，用于输送基板的另外的传送室，设置在另外的负载锁定室和另外的传送室之间的另外的真空摆动模块，以及来自另外的真空的载体返回轨道 摆动模块到真空摆动模块，其中载体返回轨道构造成在真空条件下和/或在受控的惰性气氛下运输载体。
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公开(公告)号：KR101927925B1
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：KR1020177000782
申请日：2013-12-10
Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Inventor： 뱅거트,슈테판 , 슈외쓸러,우베 , 디에구에츠-챔포,요제마누엘 , 하아스,디에터
Abstract: 유기 재료를 위한 증발 소스가 설명된다. 증발 소스는, 증발 도가니(crucible) ― 증발 도가니는 상기 유기 재료를 증발시키도록 구성됨 ―; 하나 또는 그 초과의 배출구들을 갖는 분배 파이프(distribution pipe) ― 분배 파이프는 증발 도가니와 유체 소통하고, 분배 파이프는, 증발 동안에, 축을 중심으로 회전가능함 ―; 및 유기 재료를 실딩(shielding)하기 위한 적어도 하나의 측면 실드(shield)를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170081714A
公开(公告)日：2017-07-12
申请号：KR1020177018039
申请日：2014-02-04
Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Inventor： 뱅거트,슈테판 , 슈외클러,우베 , 디에구에츠-챔포,요제마누엘 , 하아스,디에터
CPC classification number: H01L51/56 , B05D1/60 , C23C14/042 , C23C14/12 , C23C14/243 , C23C14/246 , C23C14/505 , C23C14/56 , C23C14/562 , C23C14/564 , C23C14/566 , C23C14/568 , H01L21/67173 , H01L21/67196 , H01L21/67271 , H01L21/67712 , H01L21/67718 , H01L21/67727 , H01L21/67742 , H01L21/67748 , H01L21/6776 , H01L51/001 , H01L51/0011 , C23C14/50
Abstract: 하나또는그 초과의층들, 특히층들에유기재료들을포함하는층들을증착하기위한시스템이설명된다. 시스템은, 프로세싱될기판을로딩하기위한로드락 챔버, 기판을운송하기위한이송챔버, 이송챔버와로드락 챔버사이에제공된진공스윙모듈, 적어도하나의증착장치― 적어도하나의증착장치는, 적어도하나의증착챔버의진공챔버에서재료를증착하기위한것이고, 적어도하나의증착장치는이송챔버에연결됨―, 프로세싱된기판을언로딩하기위한추가적인로드락 챔버, 기판을운송하기위한추가적인이송챔버, 추가적인이송챔버와추가적인로드락 챔버사이에제공된추가적인진공스윙모듈, 및추가적인진공스윙모듈로부터진공스윙모듈로의캐리어리턴트랙을포함하며, 여기에서, 캐리어리턴트랙은, 진공조건들하에서, 그리고/또는제어되는비활성분위기하에서, 캐리어를운송하도록구성된다.
Abstract translation: 描述了用于沉积一个或多个层，特别是层中包含有机材料的层的系统。 该系统包括用于装载待处理基板的装载锁定室，用于传送基板的传送室，设置在传送室与装载锁定室之间的真空摆动模块，至少一个沉积装置， 至少一个沉积设备连接到传送室，用于卸载处理后的衬底的附加负载锁定室，用于传送衬底的附加传送室，用于传送衬底的附加传送室， 在腔室和附加负载锁定腔室之间提供附加的真空摆动模块，以及从附加真空摆动模块到真空摆动模块的载体返回轨道，其中载体返回轨道处于真空条件下和/ 在惰性气氛下运输载体。
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7.发明公开유기 재료를 위한 증발 소스, 진공 챔버에서 유기 재료를 증착하기 위한 증착 장치, 및 유기 재료를 증발시키기 위한 방법 审中-实审有机材料的蒸发源，有机材料蒸发源的装置，有机材料蒸发源的蒸发沉积装置的系统，以及有机材料的蒸发源操作方法
公开(公告)号：KR1020160098333A
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：KR1020167018445
申请日：2013-12-10
Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Inventor： 뱅거트,슈테판 , 슈외쓸러,우베 , 디에구에츠-챔포,요제마누엘 , 하아스,디에터
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/042 , C23C14/12 , C23C14/246 , C23C14/50 , C23C14/56 , C23C14/562 , C23C14/564 , C23C14/566 , H01L51/001 , H01L51/0011 , H01L51/56
Abstract: 유기재료를위한증발소스가설명된다. 증발소스는, 증발도가니― 증발도가니는유기재료를증발시키도록구성됨―; 하나또는그 초과의배출구들을갖는분배파이프― 분배파이프는증발도가니와유체소통하고, 분배파이프는, 증발동안에, 축을중심으로회전가능함―; 및분배파이프를위한지지부를포함하며, 지지부는제 1 드라이브에연결가능하거나, 또는제 1 드라이브를포함하고, 제 1 드라이브는분배파이프및 지지부의병진이동에대해구성된다.
Abstract translation: 描述了有机材料的蒸发源。 蒸发源包括蒸发坩埚，其中蒸发坩埚构造成蒸发有机材料; 具有一个或多个出口的分配管，其中所述分配管与所述蒸发坩埚流体连通，并且其中所述分配管可以在蒸发期间围绕轴线旋转; 以及对所述分配管的支撑件，其中所述支撑件可连接到第一驱动器或包括所述第一驱动器，其中所述第一驱动器构造成用于所述支撑件和所述分配管的平移运动。
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公开(公告)号：KR101930522B1
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：KR1020187007939
申请日：2016-05-10
Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Inventor： 다이구에즈-캠포,요제마누엘 , 방게르트,슈테판 , 로프,안드레아스 , 부르슈터,하랄트 , 하아스,디에터
Abstract: 증착 장치를 동작시키는 방법이 제공된다. 방법은: 증발된 소스 재료를 증발 소스(20)의 하나 또는 그 초과의 배출구들(22)로부터 기판(10)을 향해 안내함으로써, 기판(10) 상에 증발된 소스 재료를 증착하는 것 ― 증발된 소스 재료의 일부는 하나 또는 그 초과의 배출구들(22)과 기판(10) 사이에 배열된 차폐 디바이스(30)에 의해 차단되고 그리고 차폐 디바이스(30)에 부착됨 ―, 및, 이어서, 부착된 소스 재료의 적어도 일부를 차폐 디바이스(30)로부터 릴리즈하기 위해 차폐 디바이스(30)를 적어도 국부적으로 가열함으로써 차폐 디바이스(30)를 세정하는 것을 포함한다. 추가의 양상에 따르면, 설명된 방법들에 따라 동작될 수 있는 증착 장치가 제공된다.
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公开(公告)号：KR101701257B1
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：KR1020157029085
申请日：2014-03-10
Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
CPC classification number: H01L51/5253
Abstract: 다층배리어구조를증착하기위한방법및 장치가본원에서개시된다. 일실시예에서, 유기반도체위에형성되는얇은배리어층은, 비-컨포멀한유기층, 비-컨포멀한유기층 위에형성되는무기층, 무기층 위에형성되는금속성층, 및금속성층 위에형성되는제 2 유기층을포함한다. 다른실시예에서, 배리어층을증착하는방법은, 기판의노출된표면위에유기반도체디바이스를형성하는단계, CVD를이용하여무기층을증착하는단계, ALD에의해무기층 위에하나또는그 초과의금속산화물또는금속질화물층들을포함하는금속성층을증착하는단계― 금속산화물또는금속질화물층들중 각각의층은금속을포함하며, 금속은, 알루미늄, 하프늄, 티타늄, 지르코늄, 실리콘, 또는이들의조합들로이루어진그룹으로부터선택됨―, 및금속성층 위에유기층을증착하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本文公开了一种用于沉积多层阻挡结构的方法和装置。 在一个实施例中，形成在有机半导体上的薄势垒层包括非共形有机层，在非保形有机层上形成的无机层，形成在无机层上的金属层和形成在金属上的第二有机层 层。 在另一个实施例中，沉积阻挡层的方法包括在衬底的暴露表面上形成有机半导体器件，使用CVD沉积无机层，在无机层上沉积包括一个或多个金属氧化物或金属氮化物层的金属层 通过ALD，每个金属氧化物或金属氮化物层包含金属，其中金属选自铝，铪，钛，锆，硅或其组合，并在金属层上沉积有机层。
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