公开(公告)号：KR101399147B1

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：KR1020137016655

申请日：2011-12-22

申请人： 니찌아스 카부시키카이샤

发明人： 키타하라히데키 ,  모찌다타카히토 ,  나카지마타카시

IPC分类号： D01F9/08 ,  C03C13/00

CPC分类号： C04B35/6224 ,  C03C13/00 ,  C03C2213/02 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/5264 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/727 ,  C04B2235/96

摘要： 이하의 조성을 가지는 무기 섬유. SiO
2 71 중량%~80 중량%, CaO 18 중량%~27 중량%, MgO 0~3 중량%, Al
2 O
3 1.1 중량%~3.4 중량, 단, ZrO
2 , R
2 O
3 (R은 Sc, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y 또는 이러한 혼합물로부터 선택된다)는 각각 0.1 중량%이하이며, 알칼리 금속 산화물은 각각 0.2 중량%이하이며, SiO
2 , CaO, MgO, Al
2 O
3 의 합계는 99 중량%이상이다.

公开(公告)号：KR1020140031860A

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：KR1020137024841

申请日：2012-03-28

申请人： 니찌아스 카부시키카이샤

发明人： 와타나베카즈히사 ,  나카야마마사키 ,  호리우치오사무

IPC分类号： C03B35/18 ,  C03B17/06 ,  C04B35/16 ,  C04B35/18 ,  C04B35/80 ,  B28B1/52

CPC分类号： C03B17/068 ,  C03B35/181 ,  C03B35/185 ,  C04B33/28 ,  C04B33/36 ,  C04B35/636 ,  C04B35/82 ,  C04B2235/5228 ,  C04B2235/5264 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  F16C13/00

摘要： 45μm 이상의 쇼트가 5중량%이하인, 알루미나 40중량%이상 60중량%이하와 실리카 40중량%이상 60중량%이하를 포함한 알루미나 실리케이트 섬유 20~38중량%와 기부시 점토 10~30중량%와, 벤트나이트 2~20중량%와 마이카 20~40중량%를 포함한 디스크 롤 용 기본 재료.

公开(公告)号：KR1020140026632A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：KR1020147001936

申请日：2012-07-26

申请人： 가부시끼가이샤 도시바 ,  도시바 마테리알 가부시키가이샤

发明人： 나바다카유키 ,  사토히데키 ,  호시노마사노리 ,  고모리타히로시

IPC分类号： C04B37/02 ,  H05K3/20 ,  H01L23/15

CPC分类号： H01L23/3735 ,  C04B37/021 ,  C04B37/025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/54 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/86 ,  F27B9/243 ,  H01L21/4871 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/202 ,  H01L2924/00

摘要： 산화물계 세라믹스 기판 상에 동판을 배치하여 적층체를 형성하는 공정과, 얻어진 적층체를 가열하는 공정에 의해, 산화물계 세라믹스 기판과 동판을 일체로 접합하는 산화물계 세라믹스 회로 기판의 접합 방법에 있어서, 상기 가열하는 공정은, 1065 내지 1085℃의 사이에 가열 온도의 극대값을 갖는 제1 가열 영역에서 적층체를 가열하는 공정과, 다음에 1000 내지 1050℃의 사이에 가열 온도의 극소값을 갖는 제2 가열 영역에서 적층체를 가열하는 공정과, 또한 1065 내지 1120℃의 사이에 가열 온도의 극대값을 갖는 제3 가열 영역에서 적층체를 가열하여 접합체를 형성하는 공정을 가지며, 그 후 접합체를 냉각 영역에서 냉각하는 것을 특징으로 한다. 상기 구성에 따르면, 내열 사이클(TCT) 특성이 우수한 산화물계 세라믹스 회로 기판이 얻어진다.

公开(公告)号：KR101363807B1

公开(公告)日：2014-02-17

申请号：KR1020130063456

申请日：2013-06-03

申请人： 니찌아스 카부시키카이샤

发明人： 와타나베가즈히사 ,  미하라데츠야 ,  시라토리다이치

IPC分类号： C03B35/18 ,  B65G49/06 ,  C04B14/06 ,  C04B14/38

CPC分类号： C04B33/36 ,  C03B35/181 ,  C03B35/189 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/349 ,  C04B2235/5228 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/612 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  Y10T29/49554

摘要： The objective of the present invention is provided to a disk roll with improved abrasion resistance and balance of diameter change rate without mica as an essential component and a base material thereof. The base material for a disk roll of the present invention includes a ceramic fiber, an inorganic binder, and a flake type silica. The inorganic binder is bentonite and Kibush clay. [Reference numerals] (AA,DD) Secondary aggregates; (BB) Primary particle; (CC) Third coagulant

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种具有改善的耐磨性的圆盘辊和不具有云母作为基本成分的直径变化率的平衡。 本发明的盘卷的基材包括陶瓷纤维，无机粘合剂和片状二氧化硅。 无机粘合剂是膨润土和Kibush粘土。 （附图标记）（AA，DD）二次聚集体; （BB）一次粒子; （CC）第三凝结剂

公开(公告)号：KR101356374B1

公开(公告)日：2014-01-27

申请号：KR1020097010921

申请日：2007-10-26

申请人： 미츠비시 마테리알 가부시키가이샤

发明人： 다지마이쯔로 ,  와루도요아흐마디에코 ,  후꾸나가오사무

IPC分类号： C04B35/52

CPC分类号： C04B35/52 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/427 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9692

摘要： 본 발명은, 양도전성을 갖는 동시에, 경도, 열전도성, 내열성, 화학 안정성 등에 대해서도 천연 다이아몬드에 필적하는 특성을 구비한 다이아몬드 소결체 및 그 제조 방법을 제공한다. 붕소 도프량이 1 내지 10wt%인 붕소 도프 다이아몬드 분말 90 내지 99.9wt%와, 결합상 성분으로서, Mg, Ca, Sr, Ba의 탄산염 및 이들의 2종 이상의 복합 탄산염 중 1종 또는 2종 이상으로 이루어지는 탄산염 분말 0.1 내지 10wt%가 원료 분말로 하고, 상기 원료 분말을 초고압 고온 하에서 소결하고, 결합상 성분을 용융시켜 붕소 도프 다이아몬드 분말 입자 간극에 용침 충전시킴으로써, 양도전성과 내열성을 갖는 붕소 도프 다이아몬드 소결체를 얻는다.
알칼리 토류 탄산염, 다이아몬드 소결체, 붕소 도프 다이아몬드, 초고압 고온 장치, 양도전성

公开(公告)号：KR1020140008462A

公开(公告)日：2014-01-21

申请号：KR1020137033618

申请日：2012-05-21

申请人： 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤

发明人： 기시모토다카오미 ,  가시와기고우조우 ,  사카구치오사무

IPC分类号： B23K35/30 ,  B23K35/40 ,  C22C5/06 ,  C22F1/14

CPC分类号： B23K35/3006 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/40 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/368 ,  C22C5/08 ,  C22F1/14

摘要： 본 발명은 20~40 중량%의 Cu, 1.0~3.0 중량%의 Ti, 1.2~6.0 중량%의 Sn, 잔부가 Ag인 Ag-Cu-Ti-Sn 합금으로 이루어지고, Ag-Cu 합금 매트릭스 중에 Sn-Ti 금속간화합물 또는 Cu-Ti 금속간화합물이 분산되는 금속 조직을 갖는 활성 금속 납재로서, Ti 및 Sn의 중량비 Sn/Ti가 1.2 이상이고, 또한 상기 금속간화합물의 입자경이 20 ㎛ 이하인 활성 금속 납재이다. 본 발명에 따른 활성 금속 납재는 종래부터 알려져 있는 Ag-Cu-Ti 합금 활성 금속 납재의 가공성을 개선하는 것으로 높은 가공률로 미소 치수의 가공이 가능하다. 본 발명은 상기 조성의 Ag-Cu-Ti-Sn 합금을 용해 주조한 후에 가공률 90% 이상의 소성 가공을 실시함으로써 금속간화합물을 미세화하여 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130140196A

公开(公告)日：2013-12-23

申请号：KR1020137030283

申请日：2012-04-13

申请人： 생-고뱅 생트레 드 레체르체 에 데투드 유로삐엔

发明人： 히스,크리스티앙 ,  빌레르모,프랑셀린 ,  샴피옹,티볼 ,  라핀,니콜라스 ,  산미구엘,라우리

IPC分类号： C04B35/12 ,  C04B35/42 ,  C04B35/48 ,  F22B1/18

CPC分类号： C04B35/12 ,  C04B35/10 ,  C04B35/482 ,  C04B35/49 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/62823 ,  C04B35/66 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/349 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9692 ,  C10J3/72 ,  C10J3/74 ,  F22B1/18 ,  F27D1/0006

摘要： Sintered refractory product including, in percentages by weight on the basis of the oxides, -more than 10% of chromium oxide Cr2O3, -more than 2% of hafnium oxide HfO2, -more than 1% of zirconium oxide ZrO2, the total content of chromium, hafnium and zirconium oxides Cr2O3+HfO2+ZrO2 being greater than 70%.

公开(公告)号：KR1020130137029A

公开(公告)日：2013-12-13

申请号：KR1020137027479

申请日：2012-07-13

申请人： 가부시끼가이샤 도시바 ,  도시바 마테리알 가부시키가이샤

发明人： 호시노마사노리 ,  나카야마노리타카 ,  나바다카유키 ,  사토히데키 ,  고모리타히로시

IPC分类号： C04B35/111 ,  C04B37/02 ,  H01L23/15

CPC分类号： C04B35/111 ,  C04B35/638 ,  C04B37/021 ,  C04B37/026 ,  C04B38/00 ,  C04B2111/00844 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/54 ,  C04B2237/59 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/86 ,  H01L23/15 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  C04B38/0054

摘要： A ceramic circuit board having a metal circuit board joined onto an alumina substrate, wherein the alumina substrate contains at least 99.5 mass% of alumina (Al2O3) and less than 0.5 mass% of a sintering aid-derived component generated from a sintering aid admixed before sintering, the sintering aid-derived component is an inorganic oxide containing sodium, the sodium in terms of sodium oxide (Na2O) in the sintering aid-derived component is contained at 0.001-0.1 mass% for every 100 mass% of the alumina substrate, and the alumina substrate has a maximum void size of no greater than 12 µm, an average void size of no greater than 10 µm, and a Vickers hardness of at least 1500.

摘要翻译： 1。一种陶瓷电路基板，其特征在于，在氧化铝基板上接合有金属电路基板，所述氧化铝基板含有至少99.5质量％的氧化铝（Al 2 O 3）和小于0.5质量％的由烧结助剂衍生的成分 烧结助剂来源成分为含有钠的无机氧化物，烧结助剂来源成分中的钠以氧化钠（Na 2 O）计的钠以氧化铝基材100质量％计含有0.001〜0.1质量％ 并且氧化铝基体具有不大于12微米的最大空隙尺寸，不大于10微米的平均空隙尺寸和至少1500的维氏硬度。

公开(公告)号：KR1020130133018A

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：KR1020137025870

申请日：2011-06-28

申请人： 토쿄 요교 가부시키가이샤

发明人： 코이케,야스타 ,  아치하,타카시 ,  카미야,타카히로

IPC分类号： C04B35/64 ,  C04B35/101 ,  F27D3/12 ,  H01M4/04

CPC分类号： F27D5/0068 ,  B32B18/00 ,  C04B35/1015 ,  C04B35/117 ,  C04B35/18 ,  C04B35/443 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/3481 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9692 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/58 ,  F27D1/0006 ,  F27D3/12 ,  H01M4/139 ,  H01M10/0525 ,  Y10T428/1314

摘要： 본 발명의 리튬 함유 화합물용 열처리 용기는, 60~95 질량%로 알루미나를 함유하는 베이스부; 20~80 질량%로 스피넬을 함유하여 이루어지고, 베이스부와 일체로 형성된 표면부를 구비하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 제조 방법은, 알루미나계 분말을 배치하는 공정; 스피넬계 분말을 알루미나계 분말의 상방에 배치하는 공정; 압축하여 성형하는 공정; 소성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

摘要翻译： 本发明的锂离子电池用正极活性物质的热处理容器的特征在于，具有含有60〜95质量％的氧化铝的基材，含有20〜80质量％的尖晶石的表面部 并与基部一体形成。 此外，本发明的制造方法的特征在于，包括以下步骤：放置氧化铝基粉末，将尖晶石基粉末放置在氧化铝基粉末上方的步骤，通过压缩粉末形成压块的步骤，以及 发射小巧的一步。

公开(公告)号：KR1020130133017A

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：KR1020137025869

申请日：2011-06-28

申请人： 토쿄 요교 가부시키가이샤

发明人： 코이케,야스타 ,  아치하,타카시 ,  카미야,타카히로

IPC分类号： C04B35/64 ,  C04B35/101 ,  F27D3/12 ,  H01M4/04

CPC分类号： C04B35/10 ,  C01G45/1228 ,  C01G51/50 ,  C01G53/50 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/101 ,  C04B35/1015 ,  C04B35/117 ,  C04B35/185 ,  C04B35/195 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/3481 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  F27D1/0006 ,  H01M4/0471 ,  H01M10/052 ,  Y10T428/131

摘要： 본 발명의 리튬 함유 화합물용 열처리 용기는, 리튬 함유 화합물을 열처리할 때 리튬 함유 화합물이 배치되는 리튬 함유 화합물용 열처리 용기에 있어서, 전체를 100 질량%로 했을 때, 60~95 질량%로 알루미나를 함유하고, 또한 기공율이 10~30%인 것을 특징으로 하는 것이다.