公开(公告)号：KR1020130107232A

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：KR1020130028586

申请日：2013-03-18

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 히로세요시로 ,  사사지마료타 ,  나카무라요시노부 ,  야마모토류지

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211

摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device, a substrate processing apparatus, and a recording medium are provided to improve the etching resistance of a thin film by adding carbon to the thin film. CONSTITUTION: A process furnace includes a heater (207). A reaction pipe (203) is arranged in the inner part of the heater. The reaction pipe is made of a heat-resistant material including silicon carbide. The process chamber (201) is formed in the open hollow part of the reaction pipe. A first, a second, and a third nozzle are installed in the process chamber.

摘要翻译： 目的：提供半导体器件，衬底处理设备和记录介质的制造方法，以通过向薄膜中添加碳来提高薄膜的抗蚀刻性。 构成：工艺炉包括加热器（207）。 反应管（203）布置在加热器的内部。 反应管由包括碳化硅的耐热材料制成。 处理室（201）形成在反应管的敞开的中空部分中。 第一，第二和第三喷嘴安装在处理室中。

公开(公告)号：KR101276953B1

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：KR1020110091879

申请日：2011-09-09

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 사사지마료따 ,  히로세요시로 ,  아까에나오노리 ,  가사하라오사무

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/683

CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/56

摘要： 카본 기재 또는 Si 함침 SiC 기재의 표면에 형성된 SiC막의 에칭을 억제하여, 처리실 내나 기판의 오염을 회피한다. 카본 기재 또는 Si 함침 SiC 기재의 표면에 SiC막의 코팅이 실시되어 이루어지는 기판 지지구의 표면에 Si 함유층을 형성하는 공정과, 감압 하에서 산소 함유 가스와 수소 함유 가스를 이용하여 Si 함유층을 SiO층으로 변화시키는 공정을 반복함으로써, 기판 지지구의 표면에 SiO막을 형성하는 공정과, 기판 지지구에 의해 기판을 지지한 상태에서, 기판 상에 박막을 형성하는 공정과, 기판 지지구에 부착된 박막을 포함하는 퇴적물을 불소 함유 가스를 이용하여 제거하는 공정과, 기판 지지구의 표면에 Si 함유층을 형성하는 공정과, 감압 하에서 산소 함유 가스와 수소 함유 가스를 이용하여 Si 함유층을 SiO층으로 변화시키는 공정을 반복함으로써, 기판 지지구의 표면에 SiO막을 재형성하는 공정을 갖는다.

摘要翻译： 蚀刻形成在碳基板或Si浸渍SiC基板表面上的SiC膜被抑制以避免处理室和基板的污染。 在碳衬底或Si浸渍SiC衬底的表面上涂覆SiC膜的衬底支撑体的表面上形成含Si层的步骤;以及将Si- 通过重复以下步骤在衬底支撑件的表面上形成SiO 2膜的步骤：通过重复以下步骤在衬底支撑件的表面上形成SiO 2膜：在由衬底支撑件支撑衬底的同时在衬底上形成薄膜; 通过在减压下使用含氧气体和含氢气体重复将含Si层变为SiO 2层的步骤，在衬底支撑体的表面上形成含有层， 以及在衬底支撑件的表面上重新形成SiO 2膜的步骤。

公开(公告)号：KR1020130057489A

公开(公告)日：2013-05-31

申请号：KR1020137010526

申请日：2011-12-16

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 오타요스케 ,  히로세요시로 ,  아카에나오노리 ,  타카사와유신

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  C23C16/40

CPC分类号： H01L21/0214 ,  C23C16/308 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45563 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02247

摘要： Provided: forming a specific element-containing layer by supplying a source gas to the substrate heated in a processing vessel, under a condition that a thermal decomposition reaction of the source gas is caused; changing the specific element-containing layer to a nitride layer by supplying a nitrogen-containing gas to the substrate; and changing the nitride layer to an oxynitride layer by supplying an oxygen-containing gas to the substrate, the source gas is sprayed in parallel to a surface of the substrate more strongly than a case of spraying the inert gas in parallel to the surface of the substrate in purging the inside of the processing vessel, by supplying an inert gas or a hydrogen-containing gas through the nozzle.

公开(公告)号：KR1020120125210A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：KR1020120108671

申请日：2012-09-28

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 히로세요시로 ,  타카사와유신 ,  카마쿠라츠카사 ,  나카무라요시노부 ,  사사지마료타

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/67069 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67017

摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device, a substrate processing method, and a substrate processing apparatus are provided to improve quality of a substrate device by forming an insulating layer having high insulation capacity. CONSTITUTION: Gas which contains a predetermined element is provided to a substrate. Carbon containing gas(C3H6) is provided to the substrate. Nitrogen containing gas(NH3) is provided to the substrate. A carbonitried layer is formed on the substrate. An oxidized carbonitried layer is formed on the carbonitried layer. A processing container accepts the substrate. [Reference numerals] (AA) First cycle; (BB) Second cycle; (CC) N cycle; (DD) Silicon containing gas(HCD); (EE) Carbon containing gas(C3H6); (FF) Nitrogen containing gas(NH3); (GG) Inactivity gas(N2)

摘要翻译： 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，衬底处理方法和衬底处理设备，以通过形成具有高绝缘能力的绝缘层来改善衬底器件的质量。 构成：将含有预定元素的气体提供给基板。 含碳气体（C 3 H 6）被提供给基材。 向基材提供含氮气体（NH 3）。 在基底上形成碳酸盐层。 在碳酸化层上形成氧化碳酸盐层。 处理容器接受基板。 （附图标记）（AA）第一循环; （BB）第二周期; （CC）N循环; （DD）含硅气体（HCD）; （EE）含碳气体（C3H6）; （FF）含氮气体（NH 3）; （GG）惰性气体（N2）

公开(公告)号：KR101189495B1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：KR1020110120253

申请日：2011-11-17

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 아카에나오노리 ,  히로세요시로 ,  타카사와유신 ,  오타요스케 ,  사사지마료타

IPC分类号： H01L21/314 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/31608 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

摘要： 저온 하(下)에서도, 높은 성막율을 유지하면서, 저비용으로 막 두께 균일성이 양호한 절연막을 형성한다.
기판을 처리 용기 내에 반입하는 공정; 각각 소정 원소를 포함하는 적어도 두 가지 유형(type)의 원료 가스들을 공급하여 상기 기판 상에 소정 원소 함유층을 형성하는 공정 및 상기 처리 용기 내에 상기 적어도 두 가지 유형의 원료 가스들과는 다른 반응 가스를 공급하여 상기 소정 원소 함유층을 개질하는 공정을 교호적으로 반복하여, 상기 기판 상에 막을 형성하는 처리를 수행하는 공정; 및 처리가 완료된 기판을 상기 처리 용기 내로부터 반출하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.

摘要翻译： 即使在低温（以下）下，也能以低成本形成具有良好膜厚均匀性的绝缘膜，同时保持高成膜速率。

公开(公告)号：KR101097754B1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：KR1020080127327

申请日：2008-12-15

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 아카에나오노리 ,  히로세요시로

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/022 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185

摘要： 기판을수용한처리용기내에소정원소를포함하는원료가스를공급함으로써, 기판상에소정원소함유층을형성하는공정과, 처리용기내에질소를포함하는가스를활성화하여공급함으로써, 소정원소함유층을질화층으로개질하는공정과, 처리용기내에산소를포함하는가스를활성화하여공급함으로써, 질화층을산화층으로개질하는공정을 1 사이클로하고, 이사이클을적어도 1회이상수행한다.

公开(公告)号：KR101089337B1

公开(公告)日：2011-12-02

申请号：KR1020110009324

申请日：2011-01-31

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 미즈노노리카즈 ,  카나야마켄지 ,  오쿠다카즈유키 ,  히로세요시로 ,  아사이마사유키

IPC分类号： H01L21/027

CPC分类号： C23C16/402 ,  C23C16/042 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608

摘要： 본 발명은 미세 피치의 패턴을 실현할 수 있어 패터닝 정밀도의 안정성을 향상시킬 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 반도체 장치의 제조 방법은, 기판 및 상기 기판의 일부 영역에 형성된 제1 기판 가공 패턴의 표면에 투과성 박막을 퇴적하는 제1 공정; 및 상기 박막 상에 있어서, 상기 제1 기판 가공 패턴이 형성되어 있지 않은 부위에, 제2 기판 가공 패턴을 형성하는 제2 공정;을 포함하고, 상기 제1 공정에서는, 상기 박막의 막 두께가 상기 제1 기판 가공 패턴의 하프 피치의 5%가 되도록 퇴적한다.

公开(公告)号：KR1020110056234A

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：KR1020100114821

申请日：2010-11-18

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 오타요스케 ,  아카에나오노리 ,  타카사와유신 ,  히로세요시로

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/31608 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645

摘要： PURPOSE: A method of manufacturing a semiconductor device, method of processing a substrate, and a substrate processing apparatus are provided to form an insulating layer having uniform thickness by increasing the flow rate of a source gas flowing in parallel with the surface of a substrate. CONSTITUTION: In a method of manufacturing a semiconductor device, method of processing a substrate, and a substrate processing apparatus, a source gas including a certain element is supplied within a reaction chamber accepting a substrate to form a layer including the certain element layer. The source gas is provided to the substrate through a nozzle installed which is installed in the lateral part of the substrate. A gas having oxygen and a gas having hydrogen are supplied within the reaction chamber to change the layer including certain element layer to an oxide layer. An inactive gas is supplied within the reaction chamber and is discharge therefrom to make the inside of the reaction chamber purged. An oxide film of a prescribed film thickness is formed on the substrate.

摘要翻译： 目的：提供半导体器件的制造方法，基板的处理方法以及基板处理装置，通过增加与基板的表面平行流动的源气体的流量，形成具有均匀厚度的绝缘层。 构成：在半导体装置的制造方法，基板的处理方法以及基板处理装置中，在接受基板的反应室内供给包含某一元素的源气体，形成包含该特定元件层的层。 源气体通过安装在基板的侧面部分中的喷嘴提供到基板。 在反应室内供给具有氧的气体和具有氢气的气体，将包含某一元素层的层变更为氧化物层。 在反应室内提供惰性气体，并从中排出，使反应室内部被清洗。 在基板上形成规定膜厚的氧化膜。

公开(公告)号：KR1020090117603A

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：KR1020090019920

申请日：2009-03-09

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 미즈노노리카즈 ,  가나야마켄지 ,  오쿠다카즈유키 ,  히로세요시로 ,  아사이마사유키

IPC分类号： H01L21/027

CPC分类号： C23C16/402 ,  C23C16/042 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/70466

摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor is provided to obtain stability of pattering accuracy by implementing a pattern with a fine pitch. CONSTITUTION: A photoresist processing unit forms a photoresist pattern in a part of a substrate. A substrate processing unit forms a thin film on a surface of the photoresist pattern. The photoresist processing unit includes a first photoresist processing unit and a second photoresist processing unit. The first photoresist processing unit forms a first photoresist pattern(603a) in the part of the substrate. The second photoresist processing unit forms a second photoresist pattern(603b) in the part in which the first photoresist pattern is not formed.

摘要翻译： 目的：提供一种制造半导体的方法，以通过实现具有精细间距的图案来获得图形精度的稳定性。 构成：光致抗蚀剂处理单元在基板的一部分中形成光刻胶图案。 基板处理单元在光致抗蚀剂图案的表面上形成薄膜。 光致抗蚀剂处理单元包括第一光致抗蚀剂处理单元和第二光致抗蚀剂处理单元。 第一光致抗蚀剂处理单元在基板的一部分中形成第一光致抗蚀剂图案（603a）。 第二光致抗蚀剂处理单元在未形成第一光致抗蚀剂图案的部分中形成第二光致抗蚀剂图案（603b）。

公开(公告)号：KR101573378B1

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：KR1020140054539

申请日：2014-05-08

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 사노아츠시 ,  히로세요시로

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/342 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02274

摘要： 본발명은저온영역에서 HF에대한내성이높고유전율이낮은박막을높은생산성으로형성한다.기판에대하여붕소및 할로겐원소를포함하는원료가스를공급하는공정; 및상기기판에대하여보라진화합물을포함하는반응가스를공급하는공정;을교호적으로수행하는사이클을상기보라진화합물에서의보라진환 골격이유지되는조건하에서 1회이상수행하는것에의해상기기판상에붕소및 보라진환 골격을포함하는박막을형성하는공정을포함한다.