公开(公告)号：KR101724702B1

公开(公告)日：2017-04-10

申请号：KR1020100075002

申请日：2010-08-03

申请人： 엘지이노텍 주식회사

发明人： 서태원 ,  이종우

IPC分类号： H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  G02F1/1335 ,  F21V8/00

CPC分类号： H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/00014

摘要： 실시예에따른발광소자패키지는몸체; 상기몸체위에형성되는캐비티; 상기캐비티의바닥면에형성되는방열부, 상기방열부의측면에배치되고복수의제1 및제2 리드프레임을포함하는리드프레임; 및상기방열부위에형성되는발광소자;를포함하고, 상기복수의제1 및제2 리드프레임은상기방열부를기준으로대칭구조를갖도록형성된다.

公开(公告)号：KR101719644B1

公开(公告)日：2017-04-04

申请号：KR1020100048117

申请日：2010-05-24

申请人： 서울반도체 주식회사

发明人： 김방현

IPC分类号： H01L33/48 ,  H01L33/62

CPC分类号： H01L33/642 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/15 ,  H01L29/866 ,  H01L33/483 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2924/00014

摘要： 본발명은 LED칩과전기적으로연결되는리드프레임들에형성된융기부를감싸도록하우징이형성된구조에의해방열면적을최대로넓히면서리드프레임들사이의물리적인강도도강해지고흡습도방지할수 있는 LED 패키지에관한것이다. 이를위하여본 발명은 LED칩; 상기 LED칩과전기적으로접속되며, 서로이웃하는부분들에융기부들을구비한리드프레임들; 상기리드프레임들을지지하며상기 LED칩의수용을위한캐비티를구비하는외부하우징; 및상기캐비티내에서상기융기부들의적어도일부를감싸는내부하우징을포함하는 LED 패키지를제공한다.

摘要翻译： 本发明涉及一种物理ingang dodogang成为LED封装，可以防止neolhimyeonseo引线框架之间甚至水分最多由结构壳体的热辐射面积的被形成为围绕形成在引线框架电连接到所述LED芯片上的脊 。 LED芯片技术领域本发明涉及一种LED芯片， 引线框电连接到LED芯片并在相邻部分具有脊; 支撑引线框架并具有用于接收LED芯片的空腔的外壳; 以及将空腔中的至少一部分脊包围的内壳体。

公开(公告)号：KR1020170036635A

公开(公告)日：2017-04-03

申请号：KR1020160121918

申请日：2016-09-23

申请人： 서울바이오시스 주식회사

发明人： 이금주 ,  이섬근 ,  윤준호 ,  곽우철 ,  장삼석

IPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/36 ,  H01L33/62

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/36 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/00014

摘要： 발광소자및 발광장치가제공된다. 발광소자는, 제1 측면및 제1 측면보다짧은길이를갖는제2 측면을포함하는발광소자에있어서, 상면에형성된복수의돌출부들을포함하는기판; 및기판상에위치하며, 제1 도전형반도체층, 제2 도전형반도체층및 제1 및제2 도전형반도체층의사이에위치하는활성층을포함하는발광구조체를포함하고, 복수의돌출부들은벌집패턴으로배치되며, 복수의돌출부들은제1 돌출부, 제1 돌출부에인접하며, 제1 돌출부로부터동일한거리로이격된제2 내지제7 돌출부를포함하고, 제1 돌출부의중심으로부터제2 돌출부의중심으로향하는방향으로연장되는벡터선은제1 벡터선으로정의되고, 제1 돌출부의중심으로부터제4 돌출부의중심으로향하는방향으로연장되는벡터선은제2 벡터선으로정의되며, 제1 돌출부의중심으로부터제6 돌출부의중심으로향하는방향으로연장되는벡터선은제3 벡터선으로정의되며, 제1 벡터선과제2 벡터선이이루는각은 120°이고, 제2 벡터선과제3 벡터선이이루는각은 120°이며, 제1 내지제3 벡터선중 적어도하나의벡터선과제1 측면이이루는각θ는 15°이상 45°이하이다.

摘要翻译： 提供发光器件和发光器件。 在该发光元件的发光元件，并具有第一侧和与第一侧上的长度短的第二侧，所述衬底包括多个形成在上表面上突起的; 和位于该基板上，第一导电型半导体层，第二导电类型半导体层和所述第一mitje包括：发光结构，其包括位于第二导电类型半导体层之间的有源层，和多个突起的是蜂窝图案 放置，多个突起从所述第一投影，相邻的第一突起，中心第二投影中心和包括第二从所述第一投影在相同的距离间隔开的突起第七，第一突起 在前进方向延伸的矢量线被定义为第一向量线，在朝向与第一突出部的中心的第四凸部的中心的方向延伸的矢量线被定义为第二矢量线，从所述第一突出部的中心 在朝向投影方向的中央延伸的第六矢量线首先被定义为三矢量线，所述第一矢量线路分配和第二矢量线是角度120°，第二矢量线任务3矢量线的每个形成为 120°，以及第一至第三矢量线 各成形θ的至少一个矢量线路分配第一侧的是小于15°45°。

公开(公告)号：KR1020170032255A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：KR1020170030489

申请日：2017-03-10

申请人： 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤

发明人： 후지또모마사또 ,  다마끼히로또 ,  니시지마신지 ,  단다유이찌로 ,  미끼도모히데

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/52 ,  H01L23/00 ,  H01L33/48 ,  H01L33/56 ,  H01L33/22

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L24/97 ,  H01L25/167 ,  H01L31/02002 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/486 ,  H01L33/52 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012

摘要： 박형이며광 취출효율이높은광 반도체장치를제공하는것을목적으로한다. 본발명의광 반도체장치의제조방법은, 지지기판상에, 서로이격하는제1 및제2 도전부재를복수형성하는제1 공정과, 제1 및제2 도전부재사이에, 차광성수지로이루어지는기체를형성하는제2 공정과, 제1 및제2 도전부재상에광 반도체소자를재치시키는제3 공정과, 광반도체소자를, 투광성수지로이루어지는밀봉부재로피복하는제4 공정과, 지지기판을제거한후, 광반도체장치를개편화하는제5 공정을갖는것을특징으로한다. 또한, 제1 및제2 도전부재가, 도금인것을특징으로한다. 이에의해박형이며광 취출효율이높은광 반도체장치로할 수있다.

公开(公告)号：KR101718284B1

公开(公告)日：2017-03-20

申请号：KR1020160060677

申请日：2016-05-18

申请人： 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤

发明人： 후지또모마사또 ,  다마끼히로또 ,  니시지마신지 ,  단다유이찌로 ,  미끼도모히데

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/52 ,  H01L23/00 ,  H01L33/48 ,  H01L33/56 ,  H01L33/22

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L24/97 ,  H01L25/167 ,  H01L31/02002 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/486 ,  H01L33/52 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012

摘要： 박형이며광 취출효율이높은광 반도체장치를제공하는것을목적으로한다. 본발명의광 반도체장치의제조방법은, 지지기판상에, 서로이격하는제1 및제2 도전부재를복수형성하는제1 공정과, 제1 및제2 도전부재사이에, 차광성수지로이루어지는기체를형성하는제2 공정과, 제1 및제2 도전부재상에광 반도체소자를재치시키는제3 공정과, 광반도체소자를, 투광성수지로이루어지는밀봉부재로피복하는제4 공정과, 지지기판을제거한후, 광반도체장치를개편화하는제5 공정을갖는것을특징으로한다. 또한, 제1 및제2 도전부재가, 도금인것을특징으로한다. 이에의해박형이며광 취출효율이높은광 반도체장치로할 수있다.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种薄且具有高光提取效率的光学半导体器件。 根据本发明的制造光学半导体器件的方法包括：第一步骤，在支撑基板上形成彼此间隔开的多个第一和第二导电构件;形成气体的步骤 第三工序，将光半导体元件配置在第一导电部件和第二导电部件上;第四工序，利用由透光性树脂构成的密封部件覆盖光半导体元件;以及第二工序，除去支撑基板， 第五步是分离光学半导体器件。 此外，第一和第二导电构件被电镀。 结果，可以获得具有薄形状和高光提取效率的光学半导体装置。

公开(公告)号：KR1020170026204A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：KR1020160107696

申请日：2016-08-24

申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤

发明人： 이와야아끼히꼬

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49558 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 반도체장치의신뢰성을향상시킨다. 반도체장치 PKG1은, 복수의리드 LD1로이루어지는리드군 LDg1과, 복수의리드 LD2로이루어지는리드군 LDg2와, 리드군 LDg1과리드군 LDg2 사이에배치된현수리드 HL1을갖고있다. 또한, 반도체장치 PKG1은, 복수의리드 LD1 각각, 현수리드 HL1 및복수의리드 LD2 중일부에부착된테이프 TP1과, 복수의리드 LD2에부착된테이프 TP2를갖고있다. 또한, 테이프 TP1은, 복수의리드 LD1 각각에부착된리드보유지지부 TP11과, 현수리드 HL1 및복수의리드 LD2 중일부에부착되고, 또한리드보유지지부 TP11보다도와이어접합부로부터먼 위치에부착된테이프지지부 TP12를갖고있다.

摘要翻译： 半导体器件具有由多个第一引线构成的第一引线组，由多个第二引线构成的第二引线组和布置在第一引线组和第二引线组之间的第一悬置引线。 此外，半导体器件具有附接到每个第一引线，第一悬挂引线和一些第二引线中的第一条带，以及连接到每个第二引线的第二条带。 此外，第一带具有附接到每个第一引线的引线保持部分和附接到第一悬挂引线和一些第二引线的带支撑部分，并且附接到比引线保持件更远离线连接部的位置 部分。

公开(公告)号：KR1020170024923A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：KR1020150120547

申请日：2015-08-26

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 유하늘 ,  김용일 ,  노혜석 ,  심성현 ,  임완태 ,  차남구 ,  황경욱

IPC分类号： H01L33/50

CPC分类号： H01L33/60 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 본발명의발광소자패키지는발광구조물, 상기발광구조물상의광파장변환층, 및상기광파장변환층상의광 필터층을포함한다. 상기발광구조물은제1 도전형반도체층, 상기제1 도전형반도체층상의활성층및 상기활성층상의제2 도전형반도체층을포함하고제1 피크파장을갖는제1 광을방출한다. 상기광파장변환층은상기발광구조물로부터방출되는상기제1 광을흡수하고상기제1 피크파장과상이한제2 피크파장을갖는제2 광을방출한다. 상기광 필터층은상기광파장변환층상에배치되고, 상기발광구조물로부터방출되는상기제1 광을반사하고상기광파장변환층으로부터방출되는상기제2 광을투과한다.

摘要翻译： 发光二极管（LED）封装包括发光结构，发光结构上的光波长转换层和光波长转换层上的滤光层。 发光结构包括第一导电型半导体层，第一导电型半导体层上的有源层和有源层上的第二导电型半导体层，并且发射具有第一导电型半导体层的第一光 波长。 光波长转换层吸收从发光结构发射的第一光，并发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光。 光学滤波器层反射从发光结构发射的第一光，并透射从光波长转换层发射的第二光。

公开(公告)号：KR101711892B1

公开(公告)日：2017-03-03

申请号：KR1020160137532

申请日：2016-10-21

申请人： 주식회사 파인테크닉스 ,  주식회사 동부엘이디

发明人： 최민섭 ,  손종락 ,  황상원

IPC分类号： C08K3/08 ,  C08K3/04 ,  C08K3/22 ,  H01L33/64 ,  F21K9/20

CPC分类号： H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/181 ,  C08K3/08 ,  C08K3/04 ,  C08K3/22 ,  C08K7/14 ,  C08K2003/2237 ,  C08K2201/001 ,  C08L101/00 ,  F21K9/20 ,  F21Y2101/00 ,  H01L33/641 ,  H01L2933/0075 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 본발명은기존사출수지대비열전도율을획기적으로개선된 LED패키지의외형을구성하는플라스틱사출수지를성형하는열전도율이우수한플라스틱사출수지조성물및 이를적용한 LED패키지에관한것으로, 보다상세하게는유리섬유(Glass Fiber)와이산화티타늄(TiO2)를일정량함유하는고분자수지 100중량부에대하여, 열전도성필러 6~12중량부를혼합하여이루어지는것을특징으로하는열전도율이우수한플라스틱사출수지조성물및 이를적용한 LED패키지가제공된다.

公开(公告)号：KR101710818B1

公开(公告)日：2017-02-27

申请号：KR1020157022421

申请日：2013-11-21

申请人： 아사히 가세이 일렉트로닉스 가부시끼가이샤

发明人： 스쯔끼,겐지 ,  이마조,히데또 ,  다까기,다이고

IPC分类号： G01R15/20

CPC分类号： G01R15/207 ,  G01R19/0092 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 절연내성이우수한전류센서를제공하는것이다. 전류센서(1)는, 도체(10)와, 신호처리 IC(20)를지지하기위한지지부(30)와, 신호처리 IC(20)와전기적으로접속가능하게구성됨과함께도체(10)에흐르는전류로부터발생하는자계를검출하도록도체(10)의갭(10a)에배치된자전변환소자(13)와, 자전변환소자(13)를지지하는절연부재(14)를구비한다.

摘要翻译： 提供绝缘电阻优良的电流传感器。 电流传感器（1）包括导体（10）; 支撑部件（30），用于支撑信号处理IC（20）; 配置为可与信号处理IC（20）电连接并且布置在导体（10）的间隙（10a）中以便检测由流过导体的电流产生的磁场的磁电转换元件（13） （10）; 以及支撑所述磁电转换元件（13）的绝缘构件（14）。

公开(公告)号：KR1020170019422A

公开(公告)日：2017-02-21

申请号：KR1020177000883

申请日：2015-06-11

申请人： 제네럴 일렉트릭 컴퍼니

发明人： 가르시아플로렌시오 ,  세틀러아난트아치웃 ,  머피제임스에드워드 ,  시스타스리니바스프라사드

IPC分类号： C09K11/61 ,  H05B33/12 ,  H01L33/50

CPC分类号： C09K11/617 ,  C09K11/616 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/181 ,  H05B33/12 ,  H01L2924/00012 ,  H01L33/502

摘要： 본발명은 Mn도핑된인광체의합성방법으로서, 하기화학식 (I)의전구체를, 약 200℃∼ 약 700℃범위에있는임의의온도에서, 기체형태의불소함유산화제와접촉시키는단계, 온도를 1 시간이상의접촉시간동안유지하는단계, 및접촉시간후, 온도를분당≤5℃의속도로강하시키는단계를 포함하는합성방법을제공한다: A[MF]:Mn상기화학식에서, A는 Li, Na, K, Rb, Cs, 또는이들의조합이고, M은 Si, Ge, Sn, Ti, Zr, Al, Ga, In, Sc, Hf, Y, La, Nb, Ta, Bi, Gd, 또는이들의조합이며, x는 [MF] 이온의전하의절대값이고, y는 5, 6 또는 7이다.

摘要翻译： 用于合成Mn4 +掺杂荧光体的方法包括在约200℃至约700℃的任何温度下将含有式I的前体Ax [MFy]：Mn4 + I与气态的含氟氧化剂 形成; 在接触期间保持至少1小时的温度; 并且在接触期后以每分钟5℃的速度降低温度; 其中A为Li，Na，K，Rb，Cs或其组合; M是Si，Ge，Sn，Ti，Zr，Al，Ga，In，Sc，Hf，Y，La，Nb，Ta，Bi，Gd或它们的组合; x是[MFy]离子的电荷的绝对值; y是5,6或7。