公开(公告)号：KR102108303B1

公开(公告)日：2020-05-11

申请号：KR1020130040334

申请日：2013-04-12

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 오카자키겐이치 ,  미야모토도시유키 ,  노무라마사후미 ,  하모치다카시 ,  야마자키슌페이 ,  사사키도시나리

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR1020130116204A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：KR1020130040334

申请日：2013-04-12

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 오카자키겐이치 ,  미야모토도시유키 ,  노무라마사후미 ,  하모치다카시 ,  야마자키슌페이 ,  사사키도시나리

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/47573 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/66742

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device are provided to reduce the amount of oxygen deficiency by supplying oxygen to an oxide semiconductor layer. CONSTITUTION: A gate insulating layer (18) covers a gate electrode. An oxide semiconductor layer (20) is overlapped with the gate electrode. A pair of electrodes (21) is in contact with the oxide semiconductor layer. A first oxidation insulating layer (23) covers the gate insulating layer, the oxide semiconductor layer and the pair of electrodes. A second oxidation insulating layer (24) covers the first oxidation insulating layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的半导体器件和方法，用于通过向氧化物半导体层提供氧来减少缺氧量。 构成：栅极绝缘层（18）覆盖栅电极。 氧化物半导体层（20）与栅电极重叠。 一对电极（21）与氧化物半导体层接触。 第一氧化绝缘层（23）覆盖栅极绝缘层，氧化物半导体层和一对电极。 第二氧化绝缘层（24）覆盖第一氧化绝缘层。

公开(公告)号：KR1020120016586A

公开(公告)日：2012-02-24

申请号：KR1020110078910

申请日：2011-08-09

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 노다고세이 ,  사사키도시나리

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/465 ,  H01L21/477 ,  H01L22/10 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/66742 ,  H01L21/324

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to reduce oxygen deficit which is included in an oxide semiconductor film by heating a part of oxygen included in an oxide insulation film and diffusing the oxygen to the oxide semiconductor film. CONSTITUTION: An oxide insulation film(53) is formed on the substrate(51). An oxide semiconductor film(57) is formed on the oxide insulation film. An oxide semiconductor film(59) of an island shape is formed by etching a part of the oxide semiconductor film. A pair of electrodes(61) is formed on the oxide semiconductor film of the island shape. A gate insulating layer(63) is formed on the oxide semiconductor film of the island shape and a pair of electrodes. A gate electrode overlapped with the oxide semiconductor film of the island shape is formed.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，通过加热包含在氧化物绝缘膜中的氧的一部分并将氧扩散到氧化物半导体膜来减少包含在氧化物半导体膜中的氧缺陷。 构成：在基板（51）上形成氧化物绝缘膜（53）。 氧化物半导体膜（57）形成在氧化物绝缘膜上。 通过蚀刻氧化物半导体膜的一部分来形成岛状氧化物半导体膜（59）。 在岛状氧化物半导体膜上形成一对电极（61）。 在岛状氧化物半导体膜上形成栅极绝缘层（63）和一对电极。 形成与岛状氧化物半导体膜重叠的栅电极。

公开(公告)号：KR102006172B1

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：KR1020110078910

申请日：2011-08-09

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 노다고세이 ,  사사키도시나리

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR101991690B1

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：KR1020110077182

申请日：2011-08-03

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 노다고세이 ,  엔도유타 ,  사사키도시나리

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

公开(公告)号：KR101961847B1

公开(公告)日：2019-03-25

申请号：KR1020120034833

申请日：2012-04-04

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 사토유헤이 ,  사토케이지 ,  사사키도시나리 ,  마루야마테츠노리 ,  이소베아츠오 ,  무라카와츠토무 ,  테즈카사치아키

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR1020150029000A

公开(公告)日：2015-03-17

申请号：KR1020157002061

申请日：2013-06-20

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 야마자키순페이 ,  사사키도시나리 ,  하모치다카시 ,  미야모토도시유키 ,  노무라마사후미 ,  고에즈카주니치 ,  오카자키켄이치

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78606

Abstract: 전기 특성들의 변화가 억제되고 신뢰도가 개선되는, 산화물 반도체를 포함하는 반도체 장치가 제공된다. 채널 형성 영역이 형성되는 산화물 반도체막을 포함하는 반도체 장치에서, 물의 진입을 억제하고 적어도 질소를 함유하는 절연막과, 절연막으로부터 방출된 질소의 진입을 억제하는 절연막이 산화물 반도체막 위에 제공된다. 산화물 반도체막으로 들어가는 물로서, 공기 중에 함유된 물, 물의 진입을 억제하는 절연막 위에 제공된 막 내의 물, 등이 주어질 수 있다. 더욱이, 물의 진입을 억제하는 절연막으로서, 질화 절연막이 사용될 수 있고, 질화 절연막으로부터 가열에 의해 방출된 수소 분자들의 양은 5.0×10
21 분자/㎤ 미만이다.

公开(公告)号：KR1020130082091A

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：KR1020127032556

申请日：2011-05-10

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 야마자키순페이 ,  사사키도시나리 ,  노다고세이

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/385 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78603

Abstract: 안정한 전기 특성 및 높은 신뢰성을 갖는, 산화물 반도체를 포함하는 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 트랜지스터의 채널 형성 영역으로 기능하는 산화물 반도체막은 200℃를 초과하는 온도에서 스퍼터링법에 의해 형성되어, 상기 산화물 반도체막으로부터 탈리된 물분자들의 수는 승온 탈리 분석에 따라 0.5/nm
3 이하이다. 산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터의 전기 특성의 변화를 유발하는 수소, 물, 수산기, 또는 수소화물과 같은 수소 원자를 포함하는 물질이 상기 산화물 반도체막에 혼입되는 것이 방지되어, 상기 산화물 반도체막이 고순도화되고 전기적으로 i-형(진성) 반도체가 될 수 있다.

公开(公告)号：KR102099445B1

公开(公告)日：2020-04-09

申请号：KR1020130070127

申请日：2013-06-19

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 야마자키슌페이 ,  오카자키겐이치 ,  고에즈카쥰이치 ,  사사키도시나리

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR1020150034251A

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：KR1020157003377

申请日：2013-07-09

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 고에즈카준이치 ,  사사키도시나리 ,  도치바야시가츠아키 ,  야마자키슌페이

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/78606 ,  G02F1/13306 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/121 ,  G06F3/0412 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/15 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/13069

Abstract: 반도체막으로서산화물반도체를포함하는트랜지스터위에층간절연막을포함하는반도체장치의전기특성변동을억제한다. 본구조는반도체막위의소스전극및 드레인전극에의해형성되는단차영역에공극부를포함하고, 산화실리콘을성분으로서포함하는제1 절연막과, 제1 절연막의공극부를피복하도록제1 절연막에접촉하여제공되는, 질화실리콘을포함하는제2 절연막을포함한다. 본구조는제1 절연막에생성된공극부가외측으로확대되는것을방지할수 있다.

Abstract translation: 抑制了包括作为半导体膜的氧化物半导体的晶体管上的层间绝缘膜的半导体器件的电特性的变化。 该结构包括第一绝缘膜，其包括在半导体膜上的源电极和漏电极形成的步进区域中的空隙部分，并且包含氧化硅作为部件，并且包含氮化硅的第二绝缘膜，其设置在 与第一绝缘膜接触以覆盖第一绝缘膜中的空隙部分。 该结构可以防止第一绝缘膜中产生的空隙部向外扩展。