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公开(公告)号：KR1020150073096A
公开(公告)日：2015-06-30
申请号：KR1020140182188
申请日：2014-12-17
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/383 , H01L21/425 , H01L21/441 , H01L21/465 , H01L21/477 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L29/78606
Abstract: 본발명은산화물반도체를사용한반도체장치에서, 전기특성을향상시킨다. 기판위에제공된제 1 게이트전극및 제 1 절연막위에제 1 산화물반도체막을형성하고제 1 산화물반도체막에산소를첨가한후, 제 1 산화물반도체막위에제 2 산화물반도체막을형성하고, 가열처리를수행하여제 1 산화물반도체막에포함되는산소의일부를제 2 산화물반도체막으로이동시킨다. 다음에제 1 절연막, 및산소가첨가된제 1 산화물반도체막및 제 2 산화물반도체막의각각일부를에칭하여, 볼록부를갖는제 1 게이트절연막, 에칭된제 1 산화물반도체막, 및에칭된제 2 산화물반도체막을형성한다. 다음에에칭된제 2 산화물반도체막위에한 쌍의전극을형성하고, 에칭된제 2 산화물반도체막및 한쌍의전극위에제 3 산화물반도체막을형성한다. 다음에제 3 산화물반도체막위에제 2 게이트절연막을형성하고, 제 2 게이트절연막위에제 2 게이트전극을형성하는반도체장치의제작방법이다.
Abstract translation: 本发明改善使用氧化物半导体的半导体器件中的电性能。 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在第一栅电极上方形成第一氧化物半导体膜，在衬底上形成第一绝缘膜，向第一氧化物半导体膜中加入氧，在第一氧化物半导体膜上方形成第二氧化物半导体膜 氧化物半导体膜，进行加热处理，将包含在第一氧化物半导体膜中的一部分氧气移动到第二氧化物半导体膜; 分别蚀刻第一绝缘膜的一部分，添加有氧的第一氧化物半导体膜和第二氧化物半导体膜，并且形成具有凸部的第一栅绝缘膜，第一蚀刻氧化物半导体膜和第二蚀刻氧化物半导体膜 蚀刻氧化物半导体膜; 在所述第二蚀刻氧化物半导体膜上形成一对电极，在所述第二蚀刻氧化物半导体膜上方形成第三氧化物半导体膜和一对电极; 在所述第三氧化物半导体膜上方形成第二栅极绝缘膜，以及在所述第二栅极绝缘膜的上方形成第二栅电极。
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公开(公告)号：KR1020150072345A
公开(公告)日：2015-06-29
申请号：KR1020140180295
申请日：2014-12-15
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
Inventor： 야마자키순페이 , 시모무라아키히사 , 사토유헤이 , 야마네야수마사 , 야마모토요시타카 , 수자와히데오미 , 타나카테츠히로 , 오카자키유타카 , 오쿠노나오키 , 이시야마다카히사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/78606 , H01L29/78696
Abstract: 본발명은도통시의전류값이큰 트랜지스터를제공한다. 과잉산소를포함하는제 1 절연체와, 제 1 절연체위의제 1 산화물반도체와, 제 1 산화물반도체위의제 2 산화물반도체와, 제 2 산화물반도체위에서간격을두고배치된제 1 도전체및 제 2 도전체와, 제 1 산화물반도체의측면, 제 2 산화물반도체의상면및 측면, 제 1 도전체의상면, 및제 2 도전체의상면에접촉하는제 3 산화물반도체와, 제 3 산화물반도체위의제 2 절연체와, 제 2 절연체및 제 3 산화물반도체를개재하여제 2 산화물반도체의상면및 측면과대향하는제 3 도전체를갖고, 제 1 산화물반도체는제 3 산화물반도체보다산소투과성이높은반도체장치이다.
Abstract translation: 在本发明中提供了一种在馈电过程中具有高电流的晶体管。 半导体器件包括包含过量氢的第一绝缘体; 位于第一绝缘体上的第一氧化物半导体; 位于第一氧化物半导体上的第二氧化物半导体; 在所述第二氧化物半导体上布置成一定距离的第一导体和第二导体; 与第一氧化物半导体的侧面接触的第三氧化物半导体，第二氧化物半导体的上表面和侧面，第一导体的上表面和第二导体的上表面; 位于所述第三氧化物半导体上的第二绝缘体; 以及第三导体，插入所述第二绝缘体和所述第三导体，所述第二绝缘体和所述第三导体插入所述第二绝缘体和所述第三氧化物半导体，并且面向所述第二氧化物半导体的上表面和侧表面，其中所述第一氧化物半导体具有比所述第三氧化物 半导体。
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公开(公告)号：KR1020150125555A
公开(公告)日：2015-11-09
申请号：KR1020150036640
申请日：2015-03-17
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L29/786 , H01L21/66 , H01L21/02
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/24
Abstract: [과제] 반도체장치에양호한전기특성을부여한다. [해결수단] 프로브직경의반값폭이 1nm인전자선을사용하여, 산화물반도체막의피형성면에대해막의위치와전자선의위치를상대적으로이동시키면서전자선을조사함으로써, 복수의전자회절패턴을관측하고, 복수의전자회절패턴은, 서로상이한개소에서관측된 50개이상의전자회절패턴을가지며, 50개이상의전자회절패턴중, 제 1 전자회절패턴을갖는비율과, 제 2 전자회절패턴을갖는비율의합이, 100%이고, 제 1 전자회절패턴을갖는비율은 50% 이상이고, 제 1 전자회절패턴은대칭성을갖지않는관측점, 또는원을그리듯이배치된복수의관측점을가지며, 제 2 전자회절패턴은육각형의정점에위치하는관측점을갖는산화물반도체막이다.
Abstract translation: 对半导体器件施加适当的电性能。 通过使用具有1nm的探针直径的半带宽度的电子束，通过发射电子射线，同时电子射线的位置和膜的位置相对于氧化物半导体膜的形成表面相对移动， 观察到多个电子衍射图。 电子衍射图包括不同单位观察到的大于等于50个电子衍射图。 如果将第一电子衍射图案与第二电子衍射图案的比例相加在一起等于50个电子衍射图案，则结果为100％。 第一电子衍射图的比率大于等于50％。 第一电子衍射图案包括布置成圆形形状的不对称观察点或多个观察点。 第二电子衍射图案是具有六边形顶点的观察点的氧化物半导体膜。
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公开(公告)号：KR102203921B1
公开(公告)日：2021-01-18
申请号：KR1020140182188
申请日：2014-12-17
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L29/786
Abstract: 본발명은산화물반도체를사용한반도체장치에서, 전기특성을향상시킨다. 기판위에제공된제 1 게이트전극및 제 1 절연막위에제 1 산화물반도체막을형성하고제 1 산화물반도체막에산소를첨가한후, 제 1 산화물반도체막위에제 2 산화물반도체막을형성하고, 가열처리를수행하여제 1 산화물반도체막에포함되는산소의일부를제 2 산화물반도체막으로이동시킨다. 다음에제 1 절연막, 및산소가첨가된제 1 산화물반도체막및 제 2 산화물반도체막의각각일부를에칭하여, 볼록부를갖는제 1 게이트절연막, 에칭된제 1 산화물반도체막, 및에칭된제 2 산화물반도체막을형성한다. 다음에에칭된제 2 산화물반도체막위에한 쌍의전극을형성하고, 에칭된제 2 산화물반도체막및 한쌍의전극위에제 3 산화물반도체막을형성한다. 다음에제 3 산화물반도체막위에제 2 게이트절연막을형성하고, 제 2 게이트절연막위에제 2 게이트전극을형성하는반도체장치의제작방법이다.
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