公开(公告)号：KR1020180000302A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：KR1020170075750

申请日：2017-06-15

Applicant: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

Inventor： 아부라타니유키노리 ,  히야마신 ,  타케다츠요시 ,  오하시나오후미

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792

Abstract: 다른처리를반복해서막을처리하는방법에서는반도체장치의생산성이낮다는문제가존재한다. 전술한과제를해결하기위해서기판이처리되는처리용기; 상기처리용기에가스를공급하는가스공급부; 상기기판의온도를제어하는온도제어부; 및상기온도제어부가상기기판을제1 온도로유지하는것과함께상기가스공급부가상기처리용기에가스를공급하여제1층을형성하는처리를수행하도록제어하고, 상기온도제어부가상기기판을상기제1 온도와다른제2 온도로유지하는것과함께상기가스공급부가상기처리용기에가스를공급하여상기제1층과다른제2층을형성하는처리를수행하도록제어하는장치제어부를포함하는기술을제공한다.

Abstract translation: 通过重复其他处理，存在半导体装置的生产率低的问题。 一种处理容器，其中处理基板以解决上述问题; 气体供应单元，用于向处理容器供应气体; 温度控制器，用于控制基板的温度; 并且温度控制单元控制气体供应单元向处理容器供应气体以与保持在第一温度的基板一起形成第一层，并且温度控制单元控制基板 以及设备控制部分，用于控制气体供应部分向处理容器供应气体以形成与第一层不同的第二层，同时将第二温度保持在与第一温度不同的温度 的。

公开(公告)号：KR101568748B1

公开(公告)日：2015-11-12

申请号：KR1020147011330

申请日：2012-11-01

Applicant: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

Inventor： 아시하라히로시 ,  아마노토미히로 ,  히야마신 ,  사쿠마하루노부 ,  와다유이치 ,  타테노히데토

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/02236 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67207

Abstract: 본발명은실리콘함유막이형성된기판을처리실내에수용하는공정; 가스공급부로부터상기처리실내에가스를공급하여처리실내를대기압이상의압력으로하는공정; 처리액공급부로부터상기기판에과산화수소를포함하는처리액을공급하여상기실리콘함유막을산화하는산화공정; 및상기기판을가열하는열처리공정을포함하고, 상기열처리공정에서는, 상기처리실내에수분을포함하는가스를공급하면서상기기판을가열하고, 상기기판이제1 온도에달한후, 상기수분을포함하는가스의공급을정지하고, 상기처리실내에서상기수분을제거한후, 상기기판을상기제1 온도보다높은제2 온도로가열한다.

公开(公告)号：KR1020130007478A

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020120070581

申请日：2012-06-29

Applicant: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

Inventor： 아부라타니유키노리 ,  시마다토시야 ,  시노자키켄지 ,  아마노토미히로 ,  아시하라히로시 ,  야나이히데히로 ,  미야케마사히로 ,  히야마신

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67115 ,  C23C16/481 ,  F27B5/14 ,  F27B17/0025 ,  F27D2009/0056 ,  H01L21/324 ,  H05B3/0047 ,  H05B3/08

Abstract: PURPOSE: A substrate processing device and a method for manufacturing a semiconductor device are provided to prevent the temperature of a lamp sealing part from increasing by coating an external electric wiring of a socket with a block. CONSTITUTION: A lamp(81) comprises an electric wiring for the lamp and a sealing part. The sealing part embeds the electric wiring for the lamp to airtightly seal gas in the lamp. A lamp receiving part comprises a lamp, a socket(82), a block(83), and a lamp base. The block is made of a material of which heat conductivity is higher than the sealing part and coats around the sealing part. The external electric wiring is connected to the socket and supplies current to the socket.

Abstract translation: 目的：提供一种衬底处理装置和半导体装置的制造方法，以通过用块涂覆插座的外部电布线来防止灯泡密封部件的温度升高。 构成：灯（81）包括用于灯的电线和密封部分。 密封部分嵌入灯的电线以将气体气密地密封在灯中。 灯接收部分包括灯，插座（82），块（83）和灯座。 该块由导热率高于密封部分的材料制成，并且在密封部分周围涂覆。 外部电线连接到插座，并向插座提供电流。

公开(公告)号：KR1020140070633A

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：KR1020147011330

申请日：2012-11-01

Applicant: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

Inventor： 아시하라히로시 ,  아마노토미히로 ,  히야마신 ,  사쿠마하루노부 ,  와다유이치 ,  타테노히데토

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/02236 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67207

Abstract: 본 발명은 실리콘 함유막이 형성된 기판을 처리실 내에 수용하는 공정; 가스 공급부로부터 상기 처리실 내에 가스를 공급하여 처리실 내를 대기압 이상의 압력으로 하는 공정; 및 처리액 공급부로부터 상기 기판에 처리액을 공급하여 실리콘 함유막을 산화하는 산화 공정;을 포함한다.

公开(公告)号：KR101391301B1

公开(公告)日：2014-05-02

申请号：KR1020120070581

申请日：2012-06-29

Applicant: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

Inventor： 아부라타니유키노리 ,  시마다토시야 ,  시노자키켄지 ,  아마노토미히로 ,  아시하라히로시 ,  야나이히데히로 ,  미야케마사히로 ,  히야마신

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67115 ,  C23C16/481 ,  F27B5/14 ,  F27B17/0025 ,  F27D2009/0056 ,  H01L21/324 ,  H05B3/0047 ,  H05B3/08

Abstract: 기판을가열하기위한램프의수명을길게한다.기판을처리하는수광실(受光室); 상기수광실내에설치되고, 기판을지지하는기판지지부; 램프전기배선과, 상기램프전기배선을내포하여램프내의기체를기밀하게봉지하는봉지부를포함하고, 상기기판지지부에지지된기판에광을조사하는상기램프; 상기수광실외에설치되고, 냉매가흐르는냉각유로와, 상기램프와, 상기램프와연결되고상기램프전기배선에전류를공급하는램프연결부재와, 상기봉지부보다도열전도율이높은재료로구성되고상기봉지부의주위를피복하여상기봉지부에접촉하는흡열(吸熱) 부재와, 상기흡열부재에접촉하여상기흡열부재를고정하기위한기초부재를포함하는램프수용부; 및상기램프연결부재에접속되고, 상기램프연결부재에전류를공급하는외부전기배선;을구비하고, 상기흡열부재는, 내부형상이상기램프연결부재의외부형상과동일하고, 상기램프연결부재를덮어싸도록구성되는제1 공간; 및상기제1 공간하방에형성되고, 내부형상이상기봉지부와동일하고, 상기봉지부가덮어싸도록구성되는제2 공간;을포함하는기판처리장치를구성한다.

公开(公告)号：KR101300486B1

公开(公告)日：2013-09-02

申请号：KR1020110124033

申请日：2011-11-25

Applicant: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

Inventor： 야나이히데히로 ,  히야마신 ,  카쿠다토루 ,  시마다토시야 ,  아마노토미히로

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32458 ,  G03F7/427 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32633 ,  H01L21/31138

Abstract: 종래의 플라즈마를 생성하는 기판 처리 장치로는, 밀도가 높은 플라즈마를 생성하는 것이 어렵고, 그 결과, 기판 처리의 스루풋이 낮은 과제가 있었다. 상기 과제를 해결하기 위해서, 코일이 외주(外周)에 설치되고 통 형상으로 구성되는 반응 용기; 상기 반응 용기의 단부(端部)에 설치된 개부(蓋部); 상기 개부에 설치된 가스 도입구; 상기 가스 도입구와 상기 코일의 상단(上端)의 사이에 설치되며 구멍이 없는 판 형상을 가지는 제1 판; 상기 제1 판과 상기 코일의 상단의 사이에 설치되며 구멍이 없는 판 형상을 가지는 제2 판; 상기 반응 용기 내, 상기 개부와 다른 방향에 설치된 기판 처리실; 및 상기 기판 처리실에 접속된 가스 배기부를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020120059380A

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：KR1020110124033

申请日：2011-11-25

Applicant: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

Inventor： 야나이히데히로 ,  히야마신 ,  카쿠다토루 ,  시마다토시야 ,  아마노토미히로

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32458 ,  G03F7/427 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32633 ,  H01L21/31138

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, a baffle structure, and a manufacturing method of a semiconductor device are provided to enhance production efficiency of plasma by sending gas along the inner wall of a reaction container. CONSTITUTION: A coil is installed at the outer circumstance of a reaction container of cylinder shape. A gas induction hole(433) is installed at an opening(454a). A first board(460a) is installed between the gas induction hole and the upper side end of the coil. A second board(460b) is installed between the first board and the upper side end of the coil. A substrate processing chamber is installed at the other direction with the opening. A gas ventilation unit is connected with the substrate processing chamber.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，挡板结构和半导体装置的制造方法，以通过沿反应容器的内壁送气来提高等离子体的生产效率。 构成：在圆筒形状的反应容器的外部环境中安装有线圈。 气体导入孔（433）安装在开口（454a）处。 第一板（460a）安装在气体感应孔和线圈的上侧端之间。 第二板（460b）安装在第一板和线圈的上侧端之间。 基板处理室沿开口的另一方向安装。 气体通风单元与基板处理室连接。

公开(公告)号：KR1020130011916A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：KR1020120067552

申请日：2012-06-22

Applicant: 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 ,  가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

Inventor： 구도유타카 ,  히야마신

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/321

Abstract: PURPOSE: A plasma processing method and a plasma ashing apparatus are provided to perform a high-speed ashing process and to reduce the damage of a low k film. CONSTITUTION: A sample is plasma-ashed using a mixing gas. The mixing gas includes methane(CH4) gas(19) and argon(Ar) gas. The sample is plasma-ashed using carbon(C+) radicals(18) and hydrogen(H+) radicals(20). The sample has a Low-k film(15) including a resist mask, a carbon hard mask, and a reaction product(16).

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理方法和等离子体灰化装置，以执行高速灰化过程并减少低k膜的损伤。 构成：样品使用混合气体进行等离子体灰化。 混合气体包括甲烷（CH4）气体（19）和氩气（Ar）气体。 样品是使用碳（C +）自由基（18）和氢（H +）自由基（20）等离子体沉淀的。 样品具有包含抗蚀剂掩模，碳硬掩模和反应产物（16）的Low-k膜（15）。

公开(公告)号：KR101014811B1

公开(公告)日：2011-02-14

申请号：KR1020080087264

申请日：2008-09-04

Applicant: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

Inventor： 히야마신

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  G03F7/427 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207

Abstract: 본 발명은 고도즈 이온이 주입된 레지스트를 양호하게 제거할 수 있는 제거 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
적어도 산소 분자 및 수소 분자를 포함하는 반응 가스를 플라즈마 처리하고, 웨이퍼(600)로부터 레지스트 속의 유기 성분을 제거하는 제1 제거 공정과, 제1 제거 공정에 이어서, 적어도 수소 분자를 포함하는 반응 가스를 플라즈마 처리하고, 웨이퍼(600)로부터 도펀트 석출물을 제거하는 제2 제거 공정을 거쳐, 웨이퍼(600)로부터 고도즈 이온이 주입된 레지스트의 제거가 이루어진다.
도즈 이온, 플라즈마 처리, 도펀트 석출물

公开(公告)号：KR1020160024914A

公开(公告)日：2016-03-07

申请号：KR1020167000861

申请日：2013-07-26

Applicant: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

Inventor： 츠보타야스토시 ,  와다유이치 ,  카메다켄지 ,  히야마신

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/32135 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3345 ,  H01J2237/3346 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L27/10852

Abstract: 본발명은기판의면내에서높은선택성을가지는에칭을실현한다. 상기과제를해결하기위해서적어도실리콘을함유하는제1 막과상기제1 막보다실리콘함유율이적은제2 막이형성된기판이재치되는재치부; 상기재치부가설치된처리용기; 상기기판에에칭가스를공급하는가스공급계; 상기에칭가스를상기기판과접촉하는동안, 상기제2 막의에칭속도보다상기제1 막의에칭속도가높아지도록상기기판의온도를제어하는온도제어부; 및상기처리용기내의분위기를배기하는배기계;를포함하는기판처리장치를제공한다.