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    레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 및 신규 화합물
    2.
    发明公开
    레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 및 신규 화합물 有权
    耐蚀组合物，形成耐火图案的方法和新化合物

    公开(公告)号：KR1020120064028A

    公开(公告)日：2012-06-18

    申请号：KR1020110128393

    申请日：2011-12-02

    申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤

    发明人： 우츠미요시유키 ,  미야시타겐이치로 ,  가와우에아키야

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/00

    CPC分类号： C07D213/79 ,  C07D213/80 ,  C07D215/48 ,  C07D215/50 ,  C07D215/54 ,  C07D219/04 ,  C07D221/10 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/121 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123 ,  G03F7/0392

    摘要： PURPOSE: A resist composition, a method for forming resist patterns, and noble compounds are provided to improve the rectangularity and the resolution of the resist patterns. CONSTITUTION: A resist composition includes a base material, a nitrogen-containing organic compound, and an acid generating agent. The acid generating agent generates acid by exposure. The dissolution of the base material to a developing solution is changed by the action of acid. The nitrogen-containing organic compound contains a compound represented by chemical formula 1. The acid generating agent excludes the compound represented by chemical formula 1. In chemical formula 1, RN is nitrogen-containing heterocyclic group with/without a substituted group; X0 is a C1 to C10 linear or branched divalent aliphatic hydrocarbon group, a C3 to C20 cyclic or partially cyclic divalent aliphatic hydrocarbon group, or a group in which a part or whole of hydrogen atoms of the preceding hydrocarbon groups is substituted with fluorine atoms; and M^+ is organic cation.

    摘要翻译： 目的：提供抗蚀剂组合物，形成抗蚀剂图案的方法和贵金属化合物以提高抗蚀剂图案的矩形性和分辨率。 构成：抗蚀剂组合物包括基材，含氮有机化合物和酸发生剂。 酸产生剂通过暴露产生酸。 通过酸的作用改变了基材对显影液的溶解。 含氮有机化合物含有化学式1表示的化合物。酸产生剂不包括化学式1表示的化合物。在化学式1中，RN为具有/不具有取代基的含氮杂环基; X 0为C1〜C10直链状或支链状的二价脂肪族烃基，C3〜C20环状或部分环状的二价脂肪族烃基，前述烃基的一部分或全部氢原子被氟原子取代的基团; 而M ^ +是有机阳离子。

    신규 화합물 및 그 제조 방법, 산발생제, 레지스트 조성물및 레지스트 패턴 형성 방법
    3.
    发明授权
    신규 화합물 및 그 제조 방법, 산발생제, 레지스트 조성물및 레지스트 패턴 형성 방법 有权
    新型化合物，其制造方法，酸发生器，耐蚀组合物和形成耐蚀图案的方法

    公开(公告)号：KR100964523B1

    公开(公告)日：2010-06-21

    申请号：KR1020080068190

    申请日：2008-07-14

    申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤

    发明人： 하다히데오 ,  이와이다케시 ,  세시모다케히로 ,  가와우에아키야 ,  이시두카게이타

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/00

    摘要： 레지스트 조성물용 산발생제로서 유용한 하기 일반식 (b1-1) 로 나타내는 신규 화합물 및 그 제조 방법, 그 화합물의 전구체로서 유용한 화합물 및 그 제조 방법, 산발생제, 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법이 제공된다.
    [화학식 1]

    [식 중, R
    1 은 치환기를 갖고 있어도 되는 아릴기 또는 알킬기이고, R3 은 수소 원자 또는 알킬기이고, n1 은 0 또는 1 이고, n1 이 1 인 경우, R
    1 및 R
    3 은 서로 결합하여, 당해 R
    1 이 결합된 탄소 원자 및 R
    3 이 결합된 탄소 원자와 함께 3 ∼ 7 원자 고리 구조의 고리를 형성해도 되고, A 는, 당해 A 가 결합된 황 원자와 함께 3 ∼ 7 원자 고리 구조의 고리를 형성하는 2 가의 기이고, 상기 고리는 치환기를 갖고 있어도 된다. R
    2 는 치환기를 갖고 있어도 되는 방향족기, 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬형 또는 분기형 알킬기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2 ∼ 10 의 직사슬형 또는 분기형 알케닐기이고, n 은 0 또는 1 이고, Y
    1 은 불소 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬렌기이다]

    레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 화합물 및산발생제
    4.
    发明公开
    레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 화합물 및산발생제 有权
    抗菌组合物，形成耐药性图案，化合物和酸产生剂的方法

    公开(公告)号：KR1020080109629A

    公开(公告)日：2008-12-17

    申请号：KR1020080054049

    申请日：2008-06-10

    申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤

    发明人： 이와이다케시 ,  하다히데오 ,  이시두카게이타 ,  가와우에아키야 ,  시미즈히로아키 ,  오시타교코 ,  나카무라츠요시 ,  히라하라고메이 ,  스즈키유이치 ,  세시모다케히로

    IPC分类号： G03F7/004

    CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0047

    摘要： A resist composition, a method for forming a resist pattern by using the composition, and a novel acid generator used in the composition are provided to obtain a satisfactory pattern shape and to improve lithographic characteristics. A resist composition comprises a base component whose solubility in an alkali developer by the action of an acid; and an acid generator component which generates by exposure, wherein the acid generator component comprises an acid generator comprising a compound represented by the formula 1, wherein R7'' to R9'' are independently an aryl group or an alkyl group; any two groups of R7'' to R9'' can be combined to form a ring together with the sulfur atom of the formula; at least one of R7'' to R9'' is an aryl group whose some or all hydrogen atoms are substituted with an alkoxyalkyloxy group or an alkoxycarbonylalkyloxy group; and X- is an anion.

    摘要翻译： 提供抗蚀剂组合物，通过使用该组合物形成抗蚀剂图案的方法和用于组合物中的新型酸发生剂，以获得令人满意的图案形状并改善光刻特性。 抗蚀剂组合物包含通过酸的作用在碱性显影剂中的溶解度的碱成分; 以及通过曝光产生的酸发生剂组分，其中所述酸产生剂组分包含含有由式1表示的化合物的酸产生剂，其中R 7“至R 9”独立地为芳基或烷基; R 7“至R 9”的两个基团可以与式的硫原子一起形成环; R 7“至R 9”中的至少一个为其一部分或全部氢原子被烷氧基烷氧基或烷氧基羰基烷氧基取代的芳基; 而X-是阴离子。

    레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 화합물 및산발생제
    5.
    发明公开
    레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 화합물 및산발생제 有权
    抗菌组合物，形成耐药性图案，化合物和酸产生剂的方法

    公开(公告)号：KR1020080091713A

    公开(公告)日：2008-10-14

    申请号：KR1020080032101

    申请日：2008-04-07

    申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤

    发明人： 이와이다케시 ,  하다히데오 ,  다케시타마사루 ,  가와우에아키야 ,  이시두카게이타 ,  시미즈히로아키 ,  오시타교코 ,  나카무라츠요시 ,  히라하라고메이 ,  스즈키유이치 ,  세시모다케히로 ,  마츠자와겐스케

    IPC分类号： G03F7/004

    CPC分类号： C07D333/76 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/123 ,  G03F7/0047 ,  G03F7/20

    摘要： A resist composition is provided to exhibit good photolithography characteristics, to form a resist pattern having excellent pattern straightness and rectangularness, and to enable high contrast in exposed/unexposed portions. A resist composition includes (A) a base material component of which solubility in an alkali developer is changed by an action of an acid, and (B) an acid generator component which generates an acid upon exposure. The acid generator component contains (B1) an acid generator comprising a compound represented by the following formula (1), or (B1') an acid generator comprising a compound represented by the following formula (2). In the formula (1), R^401 is an acid-dissociable group, each of R^41-R^43 is a halogen atom, halogenated alkyl group, alkyl group, acetyl group, alkoxy group, carboxyl group, or hydroxyalkyl group, Q is a bivalent linker or single bond, n0 is an integer of 1-3, each of n1-n3 is an integer of 0-3, with the proviso that n0+n1 is 5 or smaller, X^- is an anion. In the formula (2), each of R^41 to R^43 is a halogen atom, halogenated alkyl group, alkyl group, acetyl group, alkoxy group, carboxy group, or hydroxyalkyl group, each of R^402 and R^403 is a hydrogen atom, alkyl group, or halogenated alkyl group, R^404 is an alkyl group or halogenated alkyl group, R^403 and R^404 are bound to each other to form a ring structure, n0 is an integer of 1-3, each of n1-n3 is an integer of 0-3, with the proviso that n0+n1 is 5 or smaller, and X^- is an anion.

    摘要翻译： 提供抗蚀剂组合物以表现出良好的光刻特性，以形成具有优异图案直度和矩形的抗蚀剂图案，并且能够在曝光/未曝光部分实现高对比度。 抗蚀剂组合物包括（A）通过酸的作用改变碱性显影剂的溶解度的基材成分，（B）曝光时产生酸的酸发生剂成分。 酸产生剂组分含有（B1）含有由下式（1）表示的化合物的酸产生剂或（B1'）含有由下式（2）表示的化合物的酸产生剂。 在式（1）中，R 401是酸解离基，R 41 -R 43中的每一个是卤素原子，卤代烷基，烷基，乙酰基，烷氧基，羧基或羟烷基 Q为二价连接基或单键，n0为1-3的整数，n1-n3分别为0-3的整数，条件是n0 + n1为5以下，X ^ - 为阴离子 。 在式（2）中，R 41〜R 43中的每一个为卤素原子，卤代烷基，烷基，乙酰基，烷氧基，羧基或羟烷基，R ^ 402和R ^ 403 是氢原子，烷基或卤代烷基，R 404是烷基或卤代烷基，R 104和R 404彼此结合形成环结构，n0是1- 如图3所示，n1-n3中的每一个为0-3的整数，条件是n0 + n1为5以下，X ^ - 为阴离子。

    레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 화합물 및 고분자 화합물
    10.
    发明公开
    레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 화합물 및 고분자 화합물 审中-实审
    耐蚀组合物，形成耐火图案，化合物和聚合物的方法

    公开(公告)号：KR1020130111370A

    公开(公告)日：2013-10-10

    申请号：KR1020130032523

    申请日：2013-03-27

    申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤

    发明人： 가와우에아키야 ,  우츠미요시유키 ,  요코야지로

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/0388 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/027 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/203 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

    摘要： PURPOSE: A resist composition has the resist patter which has high size uniformity from developing with an alkali developer and excellent lithography properties. CONSTITUTION: A resist composition generates a base from an exposure and contains a material component (A) in which the solubility about the developer is changed according to the actions of an acid. The material component (A) contains a polymer compound (A1) which has a group unit which is induced from a compound which is represented as following chemical formula (a0-m); R^1 is a polymerizing radical; Y^1 is substituted or nonsubstituted C1-30 hydrocarbon radical; L^1 is single bond or carbonyl group; Y^2 is divelent coupler; R^2 is hydrogen, or substituted or nonsubstituted hydrocarbon radical; Y^2 and R^2 are able to form a link with nitrogen atom; R^3 is hydrogen, or substituted or nonsubstituted hydrocarbon radical; Y^3 is a radical which forms aromatic ring with two carbon atoms.

    摘要翻译： 目的：抗蚀剂组合物具有抗蚀剂图案，该抗蚀剂图案具有高的均匀度，并且由碱性显影剂显影和优异的光刻性能。 构成：抗蚀剂组合物从暴露产生碱，并含有根据酸的作用改变显影剂的溶解度的材料成分（A）。 材料成分（A）含有具有由以化学式（a0-m）表示的化合物诱发的基团单元的高分子化合物（A1）。 R 1是聚合基团; Y 1是取代的或非取代的C 1-30烃基; L ^ 1是单键或羰基; Y ^ 2是潜在耦合器; R 2是氢或取代或未取代的烃基; Y ^ 2和R ^ 2能够形成与氮原子的连接; R 3是氢或取代或非取代的烃基; Y ^ 3是形成具有两个碳原子的芳环的基团。