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    블록 코폴리머 층의 패턴 형성 방법 및 패턴화된 폴리머 구조물
    1.
    发明公开
    블록 코폴리머 층의 패턴 형성 방법 및 패턴화된 폴리머 구조물 审中-实审
    嵌段共聚物层和图案聚合物结构的方法

    公开(公告)号：KR1020140103570A

    公开(公告)日：2014-08-27

    申请号：KR1020130017103

    申请日：2013-02-18

    申请人： 삼성전자주식회사

    发明人： 고행덕 ,  김미정 ,  한인택

    IPC分类号： H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/0002 ,  Y10T428/24802 ,  G03F7/2051 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0273

    摘要： Provided is a pattern forming method of a block copolymer layer, that includes a step of providing a base member having a topography pattern including a trench and a mesa; a step of forming a lower layer, including a repetitive unit coming from an aromatic vinyl monomer having a single or heterogeneous aromatic ring, which is substituted or non-substituted, and including a polymer having a fixed group at an end, on a surface of the base member; a step of performing heat treatment to the lower layer; a step of obtaining a lower layer including a cross-linking polymer in which an intermolecular cross-linking bond is formed between carbon atoms of a polymer main chain by irradiating the treated lower layer with light; a step of forming a block copolymer layer on the lower layer including the cross-linking polymer; and a step of forming a self-assembly of the block copolymer induced by the topography pattern based on heat treatment to the block copolymer layer.

    摘要翻译： 提供了嵌段共聚物层的图案形成方法，其包括提供具有包括沟槽和台面的形貌图案的基底构件的步骤; 形成下层的步骤，包括来自具有单取代或未取代的具有单个或非均相芳香族芳族乙烯基单体的重复单元，并且包括末端具有固定基团的聚合物的表面上的步骤 基座; 对下层进行热处理的步骤; 获得包含交联聚合物的下层的步骤，其中通过将处理的下层照射光而在聚合物主链的碳原子之间形成分子间交联键; 在包含交联聚合物的下层上形成嵌段共聚物层的步骤; 以及通过基于对嵌段共聚物层的热处理形成由形貌图案诱导的嵌段共聚物的自组装步骤。

    블록 코폴리머 층의 패턴 형성 방법 및 패턴화된 구조물
    2.
    发明公开
    블록 코폴리머 층의 패턴 형성 방법 및 패턴화된 구조물 审中-实审
    块状共聚物层和图案结构的方法

    公开(公告)号：KR1020140090018A

    公开(公告)日：2014-07-16

    申请号：KR1020130002220

    申请日：2013-01-08

    申请人： 삼성전자주식회사 ,  연세대학교 산학협력단

    发明人： 김미정 ,  한인택 ,  허준 ,  정성준 ,  고행덕 ,  박연정

    IPC分类号： H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/0002 ,  B82B3/00 ,  B82B3/0066 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  Y10T428/24802 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3122 ,  H01L51/05

    摘要： Provided is a method of patterning a block copolymer layer, which comprises the steps of: providing a base material including a guide pattern; forming a block copolymer layer on the base material including the guide pattern; and inducing assembly of the block copolymer according to the guide pattern to form n/2 individual areas. The guide pattern includes a block copolymer patterning area having a 90 degrees deflection portion, wherein an outer apex and an inner apex of the 90 degree deflection portion are rounded to have a curvature radius of r1 and r2, respectively, and a width (W) of the patterning area and the curvature radius of r1 and r2 satisfy an inequation 1. In the inequation 1, n is an even number as the number of interfaces between the individual areas.

    摘要翻译： 提供一种图案化嵌段共聚物层的方法，其包括以下步骤：提供包括引导图案的基材; 在包括引导图案的基材上形成嵌段共聚物层; 并根据引导图案诱导嵌段共聚物的组装以形成n / 2个独立区域。 引导图案包括具有90度偏转部分的嵌段共聚物图案化区域，其中90度偏转部分的外顶点和内顶点分别为圆形，其曲率半径分别为r1和r2，宽度（W） 的图案化区域和曲率半径r1和r2满足不等式1.在不等式1中，n是单个区域之间的界面数量的偶数。

    블록 코폴리머 층의 패턴 형성 방법 및 패턴화된 폴리머 구조물
    3.
    发明公开
    블록 코폴리머 층의 패턴 형성 방법 및 패턴화된 폴리머 구조물 审中-实审
    嵌段共聚物层和图案聚合物结构的方法

    公开(公告)号：KR1020140086589A

    公开(公告)日：2014-07-08

    申请号：KR1020120157269

    申请日：2012-12-28

    申请人： 삼성전자주식회사

    发明人： 정성준 ,  김미정 ,  고행덕 ,  박연정

    IPC分类号： H01L21/027

    CPC分类号： H01L21/0273 ,  G03F7/0035

    摘要： A method for patterning a block copolymer layer is provided. The method for patterning a block copolymer layer comprises the steps of: providing a substrate having a topographic pattern; forming a block copolymer layer on a surface of the substrate; and performing heat treatment on the block copolymer layer and directing an assembly of the block copolymer according to the pattern. The block copolymer is separated into anisotropic individual regions by the heat treatment, and the anisotropic individual regions are oriented in a direction perpendicular to the substrate. A layer thickness (H) of the block copolymer satisfies the following condition: 1.08L_0

    摘要翻译： 提供了图案化嵌段共聚物层的方法。 图案化嵌段共聚物层的方法包括以下步骤：提供具有地形图案的基材; 在所述基材的表面上形成嵌段共聚物层; 并对嵌段共聚物层进行热处理，并根据图案引导嵌段共聚物的组合。 通过热处理将嵌段共聚物分离成各向异性各个区域，并且各向异性单个区域在垂直于衬底的方向上取向。 嵌段共聚物的层厚度（H）满足以下条件：1.08L_0

    나노물질 필러를 포함하는 발열체
    5.
    发明公开
    나노물질 필러를 포함하는 발열체 审中-实审
    一种包含纳米材料填充物的加热元件

    公开(公告)号：KR1020170068378A

    公开(公告)日：2017-06-19

    申请号：KR1020160139285

    申请日：2016-10-25

    申请人： 삼성전자주식회사

    发明人： 김세윤 ,  미즈사키소이치로 ,  고행덕 ,  김도윤 ,  김하진 ,  이창수 ,  한인택

    IPC分类号： H05B3/12 ,  H05B3/14 ,  C03C8/02 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

    摘要： 나노물질필러를포함하는발열체및 그제조방법과상기발열체를포함하는장치에관해개시되어있다. 개시된발열체는매트릭스(matrix) 재료와와 나노물질형태의필러를포함한다. 상기나노물질형태의필러는나노시트필러또는나노로드필러일수 있다. 상기나노시트필러는전기전도도가주어진값 이상, 예를들면 1,250S/m인나노시트일수 있다. 상기필러는산화물(oxide), 보라이드(boride), 카바이드(carbide), 칼코게나이드(chalcogenide) 중적어도하나혹은적어도둘을포함할수 있다. 상기매트릭스재료는유리물프리트일수 있다. 상기유리물프리트는일 예로실리콘산화물(silicon oxide)이거나실리콘산화물에첨가물이첨가된것일수 있다.

    摘要翻译： 一种包括纳米材料填充物的加热元件，其制造方法以及包括该加热元件的设备。 所公开的加热元件包括基体材料和纳米材料形式的填充物。 纳米材料型填料可以是纳米片填料或纳米棒填料。 纳米片填料可以是具有至少给定值，例如1250S / m的电导率的纳米片。 填料可以包括氧化物，硼化物，碳化物，硫族化合物中的一种或至少两种。 基质材料可以是玻璃棉玻璃料。 游离水熔料可以是例如氧化硅或氧化硅的添加剂。

    페이스트 조성물, 이를 이용한 발열 소자, 면상 발열체, 가열장치 및 이들의 제조방법
    6.
    发明公开
    페이스트 조성물, 이를 이용한 발열 소자, 면상 발열체, 가열장치 및 이들의 제조방법 审中-实审
    糊组合物，使用相同的，平面加热元件，所述加热装置和它们的制备方法所述发热装置

    公开(公告)号：KR1020170066078A

    公开(公告)日：2017-06-14

    申请号：KR1020150172654

    申请日：2015-12-04

    申请人： 삼성전자주식회사

    发明人： 고행덕 ,  김하진 ,  김세윤 ,  미즈사키소이치로

    IPC分类号： H01B1/22 ,  H01B13/00 ,  H05B3/10

    CPC分类号： C09K5/14 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/174 ,  C01B2202/22 ,  C08K3/041 ,  C09D5/24 ,  C09D7/70 ,  H05B3/145 ,  H05B3/20 ,  H05B2203/013 ,  H05B2203/017 ,  H05B2214/04 ,  Y10S977/745 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/932

    摘要： 금속전구체및 계면활성제를포함하는마이크로에멀젼(microemulsion)이표면에흡착된탄소나노튜브; 및유기비히클(organic vehicle);을포함하는페이스트조성물이개시된다. 탄소나노튜브표면에마이크로에멀젼의흡착에의한자발적코팅은상기페이스트조성물의소결과동시에탄소나노튜브표면을금속산화물로페시베이션시킬수 있으며, 고온소결에도열화가일어나지않고내산화성을향상시킬수 있다. 상기페이스트조성물을소결하여얻은결과물은가열장치의발열소재로적용될수 있으며, 기타반도체소자, 터치센서, 가스배리어, CNT 가스센서등에도다양하게적용될수 있다.

    摘要翻译： 吸附在含有金属前体和表面活性剂的微乳液表面上的碳纳米管; 并公开了一种有机载体。 自愿涂层由微乳液到碳纳米管表面的吸附可以sikilsu提高耐氧化性的结果作为一个小的碳纳米管，所述糊剂组合物和金属氧化物的sikilsu拯救通道的表面上，不会发生在高温烧结的恶化。 结果是通过烧结该糊剂组合物可以被施加到加热装置的生热材料，在其它的半导体器件，等等，触摸传感器，所述阻隔气体，气体传感器CNT可以不同地应用获得。

    블록 코폴리머 층의 패턴 형성 방법
    9.
    发明公开
    블록 코폴리머 층의 패턴 형성 방법 审中-实审
    块状共聚物层的方法

    公开(公告)号：KR1020140087904A

    公开(公告)日：2014-07-09

    申请号：KR1020120158701

    申请日：2012-12-31

    申请人： 삼성전자주식회사

    发明人： 박연정 ,  고행덕 ,  김미정 ,  정성준

    IPC分类号： H01L21/027

    CPC分类号： H01L21/02118 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/027 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/0273 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0274

    摘要： The present invention relates to a method of forming a pattern of a block copolymer layer which includes a step of obtaining a trench which is defined by the surface of a bottom surface and both sidewalls and has a constant width over the entire length and a substrate which has a surface having a guide pattern which includes a vertical-type wall which is vertically placed in the longitudinal direction of the trench; a step of forming a block copolymer layer on the surface of the substrate; and a step of inducing the assembly of the block copolymer in the trench by annealing the block copolymer. The block copolymer has a cycle λo in the trench by the annealing process and becomes micro-phase separated into arranged anisotropic individual regions.

    摘要翻译： 本发明涉及一种形成嵌段共聚物层的图案的方法，该方法包括获得由底表面和两个侧壁表面限定的沟槽并且在整个长度上具有恒定宽度的步骤，以及基板 具有引导图案的表面，该引导图案包括在沟槽的纵向方向上垂直放置的垂直型壁; 在基材的表面上形成嵌段共聚物层的步骤; 以及通过退火嵌段共聚物来诱导嵌段共聚物在沟槽中的组装的步骤。 嵌段共聚物通过退火工艺在沟槽中具有周期λo，并且被微相分离成排列的各向异性各个区域。

    리소그라피용 블록 코폴리머
    10.
    发明公开
    리소그라피용 블록 코폴리머 无效
    嵌入式嵌段共聚物

    公开(公告)号：KR1020140027807A

    公开(公告)日：2014-03-07

    申请号：KR1020120093872

    申请日：2012-08-27

    申请人： 삼성전자주식회사

    发明人： 고행덕 ,  김미정 ,  박연정 ,  정성준

    IPC分类号： C08F297/04 ,  C08F279/06 ,  G03F7/004

    CPC分类号： C08F297/042 ,  C08F279/06 ,  C08F297/04 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0047

    摘要： Provided is a block copolymer for lithography, having 3,000-30,000 of an average molecular weight number comprising: a first polymer block comprising a first monomer selected from a diene monomer, an aromatic vinyl monomer, a heteroaromatic vinyl monomer; and a second polymer block comprising a second monomer selected from a (meth)acrylate derivative, wherein the first polymer block and the second polymer block have at least 0.2 of an interaction parameter (χ) indicated by the mathematical formula 1 below: ′Mathematical Formula 1′ (In the formula above, χ refers to an interaction parameter, Vm to the molar volume of major polymer blocks, R to a gas constant, T to a temperature (K), δ_A to a solubility parameter of a homopolymer comprising the first monomer, and δ_B to a solubility parameter of a homopolymer comprising the second monomer).

    摘要翻译： 提供了一种用于光刻的嵌段共聚物，其具有3,000-30,000的平均分子量数，其包含：第一聚合物嵌段，其包含选自二烯单体，芳族乙烯基单体，杂芳族乙烯基单体的第一单体; 和包含选自（甲基）丙烯酸酯衍生物的第二单体的第二聚合物嵌段，其中所述第一聚合物嵌段和所述第二聚合物嵌段具有至少0.2个以下数学式1表示的相互作用参数（χ）：“数学式 1'（在上式中，χ是指相互作用参数Vm与主要聚合物嵌段的摩尔体积，R与气体常数T相对于温度（K），δ_A与包含第一聚合物嵌段的均聚物的溶解度参数 单体和δ_B与包含第二单体的均聚物的溶解度参数）。