公开(公告)号：KR101680921B1

公开(公告)日：2016-11-29

申请号：KR1020120145944

申请日：2012-12-14

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 와따나베,다께루 ,  고바야시,도모히로 ,  하따께야마,준 ,  가따야마,가즈히로 ,  긴쇼,다께시

IPC分类号： G03F7/26 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/004 ,  C08F20/10 ,  C08F220/28 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  C08F2220/283 ,  C08F220/20 ,  C08F222/06

摘要： 본발명은산의작용에의해락톤환을형성함으로써유기용제에대한용해성이저하되는고분자화합물, 산발생제, 유기용제를포함하는레지스트조성물을기판상에도포하고, 가열처리후에고에너지선으로상기레지스트막을노광하고, 가열처리후에유기용제현상액을이용하여미노광부를용해시키고, 노광부가용해되지않는네거티브형패턴을얻는패턴형성방법에관한것이다. 산의작용에의해락톤환을형성하는고분자화합물과산발생제를포함하는포토레지스트막은, 유기용제에의한현상에있어서의포지티브네거티브반전의화상형성에있어서, 미노광부분의용해성이높고, 노광부분의용해성이낮아용해콘트라스트가높은특징을갖는다. 이포토레지스트막을이용하여노광하고, 유기용제현상을행함으로써고콘트라스트의네거티브형패턴을형성하는것이가능해진다.

摘要翻译： 通过将抗蚀剂组合物施加到基材上，预烘烤，暴露于高能辐射，烘烤（PEB）和在有机溶剂显影剂中显影曝光的抗蚀剂膜以溶解抗蚀剂膜的未曝光区域来形成负图案。 抗蚀剂组合物包含适于在酸的作用下形成内酯环的聚合物，使得聚合物可降低其在有机溶剂显影剂，酸产生剂和有机溶剂中的溶解度，显示在 促进溶解和暴露区域的抑制溶解。

公开(公告)号：KR101570262B1

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：KR1020120099070

申请日：2012-09-07

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 고바야시,도모히로 ,  하따께야마,준 ,  이이오,마사시 ,  수까,유끼 ,  하세가와,고지 ,  하라다,유지

IPC分类号： G03F7/26 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325

摘要： 본발명은산불안정기에의해수산기가보호된구조를갖는반복단위를함유하는고분자화합물과, 광산발생제와, 유기용제와, 불소원자를갖는반복단위를함유하며수산기를함유하지않는고분자첨가제를포함하고, 고분자첨가제의함유량이전체고분자화합물의함유량에대하여 1 내지 30 질량%인레지스트조성물을기판에도포하고, 도포후 가열처리를하여제작한레지스트막을고에너지선으로노광하고, 노광후 가열처리를실시한후에유기용제를함유하는현상액에의해레지스트막의미노광부분을선택적으로용해시키는네거티브형패턴형성방법에관한것이다. 본발명의레지스트조성물은, 액침노광가능한높은후퇴접촉각을나타냄과아울러유기용제네거티브현상과조합함으로써높은해상성, 미세트렌치패턴이나홀 패턴의넓은초점심도를나타내고, 라인패턴측벽의수직성을높이고, 패턴붕괴내성을향상시키는것이가능하다.

公开(公告)号：KR101438844B1

公开(公告)日：2014-09-05

申请号：KR1020090103378

申请日：2009-10-29

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 와따나베,다께루 ,  시나찌,사또시 ,  긴쇼,다께시 ,  하세가와,고지 ,  하라다,유지 ,  하따께야마,준 ,  마에다,가즈노리 ,  고바야시,도모히로

IPC分类号： C07D307/10 ,  C07D309/02 ,  C07D319/06

CPC分类号： G03F7/11 ,  C07D307/04 ,  C07D307/77 ,  C07D315/00 ,  C07D319/06 ,  C08F14/18 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  C08F2/00

摘要： 본 발명은 화학식 (1)로 표시되는 환상 아세탈 구조를 갖는 불소 함유 단량체를 제공한다.

(R은 수소 원자의 일부가 할로겐 원자로 치환될 수도 있으며, 메틸렌기의 일부가 산소 원자 또는 카르보닐기로 치환될 수도 있는 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, Z는 양끝에서 결합하는 알킬렌옥시기와 함께 오원환 또는 육원환을 형성하고, 중합성 불포화기를 포함하는 2가의 유기기)
본 발명에 의해 광기능성 재료, 코팅 재료 등의 원료로서 유용한 환상 아세탈 구조를 갖는 신규 불소 함유 단량체가 제공된다. 그 중에서도, 상기 단량체를 이용한 중합체는 파장 200 nm 이하의 방사선에 대하여 우수한 투명성을 갖고, 또한 우수한 발수성을 가짐과 동시에 구조의 선택에 따라 발수성, 지용성, 산분해성, 가수분해성 등 각종 성능의 조정이 가능하다.
불소 함유 단량체, 고분자 화합물, 레지스트 보호막 재료, 레지스트 재료

公开(公告)号：KR101276486B1

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：KR1020080101899

申请日：2008-10-17

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 ,  미쯔이가가꾸가부시끼가이샤

发明人： 고바야시,도모히로 ,  긴쇼,다께시 ,  와따나베,다께루 ,  스나가,다다히로 ,  오까와,유이찌

IPC分类号： C07D493/04

CPC分类号： G03F7/0395 ,  C08G61/08 ,  Y10S430/106

摘要： 본 발명은, 하기 화학식 1의 구조 단위[A]와, 하기 화학식 3의 구조 단위[B] 및/또는 하기 화학식 4의 구조 단위[C]로 구성되고, 몰비로 [A]/([B]+[C])=1/99 내지 100/0의 개환 복분해 중합체 수소 첨가물에 관한 것이다.


(R
1 내지 R
4 중 하나 이상이 화학식 2의 알콕시메틸에스테르를 갖는 관능기, X
1 은 -O- 또는 -CR
7
2 -(R
7 은 H 또는 알킬기), j는 0 내지 3)


(W
1 은 단결합 또는 OR
5 로 치환될 수도 있는 2가 탄화수소기, R
5 는 H, 알킬, 알콕시알킬 또는 아실, R
6 은 알킬)


(R
8 내지 R
11 은 H 또는 알킬, X
2 는 -O- 또는 -CR
12
2 -(R
12 는 H 또는 알킬), m은 0 내지 3)


(R
13 내지 R
16 은 H 또는 알킬, X
3 은 -O- 또는 -CR
17
2 -(R
17 은 H 또는 알킬), Y
1 및 Y
2 는 한쪽이 -(C=O)-, 다른 쪽은 -CR
18
2 -(R
18 은 H 또는 알킬). n은 0 내지 3)
본 발명에 따르면, 한계 해상성이 우수하고, 소밀 치수차를 감소시킨 수지가 제공된다.
개환 복분해 중합체, 레지스트 재료, 패턴 형성 방법, 한계 해상성, 소밀 치수차

公开(公告)号：KR1020130054926A

公开(公告)日：2013-05-27

申请号：KR1020120129910

申请日：2012-11-16

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 고바야시,도모히로 ,  가따야마,가즈히로 ,  하따께야마,준 ,  후나쯔,겐지 ,  다찌바나,세이이찌로

IPC分类号： G03F7/26 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/38 ,  C08F220/34 ,  C08F220/36 ,  C08F226/06 ,  C08F226/10 ,  C08F228/02 ,  C08F228/06 ,  C08F2220/343 ,  C08F2220/365 ,  C08F2220/382 ,  C08F2220/385 ,  C08F2220/387 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/038 ,  G03F7/26

摘要： PURPOSE: A negative resist composition which includes a polymer structure of a specific structure, photoacid generator, and an organic solvent, is provided to prevent formation of insoluble surface layer by using the resist composition in combination with an organic solvent negative phenomenon. CONSTITUTION: A negative patterning process comprises a step of spreading a resist composition, which includes a polymer compound, a photoacid generator, and an organic solvent, on a substrate; a step of heat treating and exposing the resist film under high energy rays; and a step of selectively dissolving unexposed parts of a resist film, by a development containing organic solvent after the exposure. The polymer compound contains a repeating unit having a structure that carbxoyl group is protected by acid-instable group; and a repeating unit which includes one or more structures selected from an amino group, amino bond, carbamate bond, and nitrogen-containing heterocycle. [Reference numerals] (A) Apply photoresist; (B) Exposure the photoresist; (C) Develop with an organic solvent

摘要翻译： 目的：提供包含特定结构的聚合物结构，光致酸发生剂和有机溶剂的负性抗蚀剂组合物，以通过使用抗蚀剂组合物与有机溶剂阴性现象结合来防止形成不溶性表面层。 构成：负图案化工艺包括在基材上铺展包括聚合物化合物，光致酸发生剂和有机溶剂的抗蚀剂组合物的步骤; 在高能量射线下热处理和曝光抗蚀剂膜的步骤; 以及通过在曝光后含有有机溶剂的显影剂选择性地溶解抗蚀剂膜的未曝光部分的步骤。 高分子化合物含有具有碳酰基被酸不稳定基团保护的结构的重复单元; 和包含一个或多个选自氨基，氨基键，氨基甲酸酯键和含氮杂环的结构的重复单元。 （附图标记）（A）涂布光致抗蚀剂; （B）曝光光刻胶; （C）用有机溶剂显影

公开(公告)号：KR1020120033260A

公开(公告)日：2012-04-06

申请号：KR1020110097888

申请日：2011-09-28

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 하세가와,고지 ,  와따나베,다께루 ,  고바야시,도모히로 ,  긴쇼,다께시

IPC分类号： C07C69/708 ,  C07C69/675 ,  C08F22/18 ,  G03F7/004

CPC分类号： C07C69/675 ,  C07C69/67 ,  C07C69/708 ,  C08F220/18 ,  C08F220/24 ,  C08F220/30 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/0047

摘要： PURPOSE: A fluorinated alcohol compound is provided to have excellent transparency in the wavelength of 500nm or less, especially in the wavelength of 300nm or less, and is very useful as a monomer for manufacturing a base resin of a radiation-sensitive resist with good developing ability. CONSTITUTION: A fluorinated alcohol compound comprises a structure in chemical formula 1. In chemical formula 1, R^1 is hydrogen, or a C1-20 linear, branched or cyclic monovalent hydrocarbon group, -CH2- consisting of the monovalent hydrocarbon group is able to be substituted by -O- or -C(=O)-, and Aa is a C1-20 linear, branched or cyclic (k^1+1)-valent hydrocarbon group(k^1 is the integer of 1-3).

摘要翻译： 目的：提供氟化醇化合物，其波长在500nm以下，特别是在300nm以下的波长下具有优异的透明性，并且作为用于制造具有良好显影性的辐射敏感性抗蚀剂的基础树脂的单体是非常有用的 能力。 构成：氟化醇化合物包括化学式1的结构。在化学式1中，R 1是氢或C 1-20直链，支链或环状一价烃基，由一价烃基组成的-CH 2 被-O - 或-C（= O） - 取代，并且A a是C 1-20直链，支链或环状（k-1 + 1）价烃基（k ^ 1是1-3的整数 ）。

公开(公告)号：KR1020100114840A

公开(公告)日：2010-10-26

申请号：KR1020100034570

申请日：2010-04-15

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 하라다,유지 ,  하따께야마,준 ,  하세가와,고지 ,  고바야시,도모히로

IPC分类号： G03F7/004 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/004 ,  G03F7/202 ,  H01L21/027 ,  H01L21/0271

摘要： PURPOSE: A resist material and a method for forming pattern using the same are provided to ensure excellent transparency to radiation of under 200nm of wave length. CONSTITUTION: A resist material contains: a polymer compound having repetitive unit of chemical formula 1; polymer compound which is soluble in alkali developing solution; compound generating acid by light exposure of high energy; and an organic solvent. In chemical formula 1, R1 is hydrogen or methyl group; R2 is straight, branched or cyclic alkylene group or fluorinated alkylene group of 1-15 carbon atoms; and R3 is straight, branched or cyclic fluorinated alkyl group of 1-15 carbon atoms.

摘要翻译： 目的：提供抗蚀剂材料和使用其形成图案的方法，以确保200nm波长以下的良好的辐射透明度。 构成：抗蚀材料含有：具有化学式1重复单元的高分子化合物; 可溶于碱显影液的高分子化合物; 通过高能量曝光产生酸的化合物; 和有机溶剂。 在化学式1中，R 1是氢或甲基; R2是1-15个碳原子的直链，支链或环状亚烷基或氟化亚烷基; R3是1-15个碳原子的直链，支链或环状的氟化烷基。

公开(公告)号：KR100585365B1

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：KR1020010019492

申请日：2001-04-12

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 니시,쯔네히로 ,  긴쇼,다께시 ,  나구라,시게히로 ,  고바야시,도모히로 ,  와따나베,사또시

IPC分类号： G03F7/004

摘要： 본 발명은 하기 화학식으로 표시되는 것과 같은 개환 메타세시스 중합체의 수소 첨가물을 베이스 수지로서 함유하는 것을 특징으로 하는 레지스트 재료에 관한 것이다.

본 발명에서 사용하는 개환 메타세시스 중합체의 수소 첨가물은 내열성, 내열분해성, 광 투과성 등에 우수한 자외선이나 원자외선을 사용한 반도체 미세 가공용 포토레지스트에 적합한 중합체이며 공업적으로 매우 가치가 있다. 이것을 베이스 수지로서 사용한 본 발명의 레지스트 재료는 고에너지선에 감응하고 감도, 해상성 및 에칭 내성이 우수하다.
개환 메타세시스 중합체의 수소 첨가물, 미세 가공 포토레지스트, 해상성, 에칭 내성.

摘要翻译： 本发明涉及一种抗蚀剂材料，其特征在于含有由下式表示的开环易位聚合物的氢化产物作为基础树脂。

公开(公告)号：KR100509541B1

公开(公告)日：2005-08-23

申请号：KR1020010075854

申请日：2001-12-03

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 니시,쯔네히로 ,  나까시마,므쯔오 ,  고바야시,도모히로

IPC分类号： G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0395 ,  C08F32/08 ,  G03F7/0045

摘要： 본 발명은 하기 화학식 1-1 또는 1-2로 표시되는 반복 단위를 함유하는 것을 특징으로 하는 중량 평균 분자량 1,000 내지 500,000의 고분자 화합물에 관한 것이다.




(식 중, R
1 , R
2 , R
3 , R
4 는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 15의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기를 나타내고, R
1 과 R
2 , R
3 과 R
4 는 각각 결합하여 환을 형성할 수도 있으며, 그 경우에는 R
1 과 R
2 , R
3 과 R
4 의 조합으로 탄소수 2 내지 15의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬렌기를 나타내고, R
5 와 R
6 은 수소 원자, 탄소수 1 내지 15의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기, 아실기 또는 알킬술포닐기, 또는 탄소수 2 내지 15의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알콕시카르보닐기 또는 알콕시알킬기를 나타내고, 구성 탄소 원자 상의 수소 원자 중 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환될 수도 있으며, k는 0 또는 1이다)
또한, 본 발명의 고분자 화합물을 베이스 수지로 한 레지스트 재료는 고에너지선에 감응하고, 감도, 해상성, 에칭 내성이 우수하기 때문에 전자선 및 원자외선에 의한 미세 가공에 유용하다. 특히 ArF 엑시머 레이저, KrF 엑시머 레이저의 노광 파장에서 흡수가 적기 때문에, 미세하고도 기판에 수직인 패턴을 쉽게 형성할 수 있다는 특징을 갖는다.

公开(公告)号：KR100503192B1

公开(公告)日：2005-07-25

申请号：KR1020000015272

申请日：2000-03-25

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 와따나베,오사무 ,  다께다,다까노부 ,  하따께야마,준 ,  고바야시,도모히로 ,  이시하라,도시노부 ,  와따나베,준

IPC分类号： G03F7/004

CPC分类号： C08F257/02 ,  C08F290/04 ,  C08F297/02

摘要： 본 발명은 페놀 유도체의 덴폴리머(denpolymer) 또는 하이퍼브랜치 폴리머(hyper branched polymer)로 이루어지는 중량 평균 분자량이 500 내지 10,000,000인 고분자 화합물에 관한 것이다.
본 발명의 덴폴리머, 하이퍼브랜치 폴리머의 신규 고분자 화합물은 통상의 선상 고분자 화합물과는 기본적으로 다르며, 예를 들어 이 신규 고분자 화합물을 레지스트 재료의 베이스 수지로서 사용하는 경우, 폴리머의 크기는 해상도에 비례하므로, 크기를 작게 하면 선상 고분자 화합물에서는 강도가 부족하다는 결점이 있지만, 이 신규 고분자 화합물은 폴리머의 크기를 임의로 바꾸는 것이 가능하고, 이 신규 고분자 화합물은 강도를 유지하면서 크기를 작게 할 수 있는 특징을 갖는다. 따라서, 종래의 레지스트 재료에는 없는 고해상성, 감도, 플라즈마 에칭 내성이 우수한 레지스트 재료를 제공한다.