公开(公告)号：KR101712686B1

公开(公告)日：2017-03-06

申请号：KR1020120089350

申请日：2012-08-16

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 다니구찌,료스께 ,  세끼,아끼히로 ,  후나쯔,겐지 ,  고바야시,가쯔히로

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/09 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0397 ,  C07C381/12 ,  C08F220/34 ,  C08F220/36 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/32 ,  H01L21/0273 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/115

摘要： 본발명은고해상성과함께, 양호한패턴형상을제공할수 있는포지티브형레지스트조성물, 상기포지티브형레지스트조성물을사용한, 보호막을형성하여행하는액침리소그래피에있어서의패턴형성방법을제공한다. 본발명의포지티브형레지스트조성물은 (A) 하기화학식 1 및하기화학식 2로표시되는반복단위를, 산불안정기를포함하는반복단위로서갖고, 산에의해서알칼리용해성이향상되는수지, (B) 광산발생제, (C) 하기화학식 3으로표시되는화합물및 (D) 용제를함유하는것임을특징으로한다.

摘要翻译： 公开了一种正型抗蚀剂组合物，其包含（A）具有以下通式（1）和（2）所示的重复单元的树脂作为含有酸不稳定基团并能够通过酸增加其碱溶性的重复单元的树脂（ B）光致酸发生剂，（C）下述通式（3）所示的化合物和（D）溶剂。 可以具有高分辨率的正性抗蚀剂组合物，同时具有优异的图案图案; 以及使用形成的表面涂层进行浸渍光刻的图案化工艺。

公开(公告)号：KR1020130045202A

公开(公告)日：2013-05-03

申请号：KR1020120118250

申请日：2012-10-24

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 다니구치,료스께 ,  고바야시,도모히로 ,  하따께야마,준 ,  후나쯔,겐지 ,  가나야마,마사히로

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  H01L21/0271

摘要： PURPOSE: A positive type resist composition is provided to have good line width roughness and mask error factor and to have high rectangularity and excellent pattern collapse resistance. CONSTITUTION: A positive type resist composition comprises a resin which contains acid-unstable group-containing repeating unit, a repeating unit having a cyclic hydro carbon group and containing at least one selected from an ester group, ether group, carbon ester group, or sulfonate ester group, the ring; and a repeating unit containing oxirane ring, and can improve alkali solubility by acid; a photoacid generator; and a solvent. A patterning method comprises a step of spreading the resist composition on a substrate; a step of exposure with high energy rays after heat treatment; and a step of developing the resist composition.

摘要翻译： 目的：提供正型抗蚀剂组合物以具有良好的线宽粗糙度和掩模误差因子，并具有高矩形性和优异的图案抗塌陷性。 构成：正型抗蚀剂组合物包含含酸不稳定基团的重复单元的树脂，具有环状碳氢基团并含有选自酯基，醚基，碳酯基或磺酸酯中的至少一种的重复单元 酯基，环; 和含有环氧乙烷环的重复单元，可以通过酸改善碱溶性; 光致酸发生器; 和溶剂。 图案化方法包括将抗蚀剂组合物铺展在基底上的步骤; 热处理后用高能射线曝光的一步; 以及开发抗蚀剂组合物的步骤。

公开(公告)号：KR1020050016190A

公开(公告)日：2005-02-21

申请号：KR1020040061925

申请日：2004-08-06

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 와따나베,다께루 ,  니시,즈네히로 ,  즈찌야,준지 ,  후나쯔,겐지 ,  하세가와,고지

IPC分类号： G03F7/039

CPC分类号： C08F220/18 ,  C08F220/26 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/111

摘要： PURPOSE: Provided are a polymer for use in the preparation of a resist composition which has excellent etching resistance, high resolution and minimized difference in size depending on pattern density in photolithography using light with a wavelength of up to 300 nm, especially ArF excimer laser light, and a patterning process using the same. CONSTITUTION: The resist polymer has increased dissolution rate in an alkali developer by the action of an acid, and comprises repeating units containing at least one type for each formulae 1-4, wherein R1, R2, R3 and R6 are each independently hydrogen atom or methyl group, R4 and R5 are each independently hydrogen atom or hydroxyl group, X is a tertiary exo-alkyl group having a bicyclo£2.2.1|heptane skeleton, represented by any of the formulae 5a to 5d(in which, R7 is a straight, branched or cyclic alkyl group having carbon atoms of 1 to 10 and a broken line represents a bonding position and a bonding direction), and Y is a tertiary alkyl group having an adamantane skeleton. The resist composition comprises such resist polymer, an acid generator, an organic solvent and a nitrogen-containing organic compound.

摘要翻译： 目的：提供一种用于制备抗蚀剂组合物的聚合物，该抗蚀剂组合物具有优异的耐蚀刻性，高分辨率和最小尺寸差异，这取决于使用波长高达300nm的光的光刻中的图案密度，特别是ArF准分子激光 ，以及使用其的图案化处理。 构成：抗蚀剂聚合物通过酸的作用在碱性显影剂中具有增加的溶解速率，并且包含每个式1-4的至少一种类型的重复单元，其中R 1，R 2，R 3和R 6各自独立地为氢原子或 甲基，R 4和R 5各自独立地为氢原子或羟基，X为具有双环2.2.1 |庚烷骨架的叔烷基，由式5a至5d中的任一个表示（其中，R7为 碳原子数为1〜10的直链，支链或环状烷基，虚线为键合位置和键合方向），Y为具有金刚烷骨架的叔烷基。 抗蚀剂组合物包含这种抗蚀剂聚合物，酸产生剂，有机溶剂和含氮有机化合物。

公开(公告)号：KR101739152B1

公开(公告)日：2017-05-23

申请号：KR1020120118250

申请日：2012-10-24

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 다니구치,료스께 ,  고바야시,도모히로 ,  하따께야마,준 ,  후나쯔,겐지 ,  가나야마,마사히로

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041

摘要： 본발명의포지티브형레지스트조성물은 (A) 산불안정기를포함하는반복단위(a1)과, 환상의탄화수소기를갖고, 그환 내에에스테르기, 에테르기, 탄산에스테르기또는술폰산에스테르기중 적어도하나를포함하는반복단위(a2)와, 옥시란환을갖는반복단위(a3)을포함하고, 산에의해알칼리용해성이향상하는수지, (B) 광산발생제, (C) 용제를함유하는것을특징으로한다. 본발명에따르면, 양호한라인폭 러프니스(LWR)와마스크충실성(MEF)을갖고, 미세패턴에있어서도직사각형성이높고, 패턴붕괴내성이우수한레지스트조성물을제공할수 있다.

公开(公告)号：KR101532113B1

公开(公告)日：2015-06-26

申请号：KR1020110112688

申请日：2011-11-01

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 하따께야마,준 ,  후나쯔,겐지

IPC分类号： H01L21/027

CPC分类号： G03F7/30 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/266

摘要： 본발명은방향족기를반복단위의 20 내지 100 몰% 이하의범위로가지며, 산에의해알칼리에용해하는고분자화합물을포함하는제1 포지티브형레지스트재료를기판상에도포하여제1 레지스트막을형성하는공정과, 제1 레지스트막상에제1 레지스트막을용해시키지않는탄소수 3 내지 8의알킬알코올을용매로하는제2 포지티브형레지스트재료를도포하여제2 레지스트막을형성하는공정과, 고에너지선으로노광하고, 베이킹후, 현상액을이용하여상기제1과제2 레지스트막을동시에현상하여레지스트패턴을형성하는공정을포함하는패턴형성방법에관한것이다. 본발명의패턴형성방법에따르면, 현상후에기판면을개구시킬수 있다. 본발명에서는제2층의레지스트막단독의경우보다현상후의레지스트패턴을마스크로하여기판을에칭가공하거나이온을주입할때의내성을높게할 수있다.

公开(公告)号：KR1020050024603A

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：KR1020040069979

申请日：2004-09-02

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 후나쯔,겐지 ,  니시,쯔네히로 ,  나구라,시게히로

IPC分类号： G03F7/039

CPC分类号： G03F7/0397 ,  C08F220/26 ,  Y10S430/111

摘要： PURPOSE: Provided are a polymer compound having a high resolution, less side wall roughness of patterns, practically acceptable etching resistance, and a substantial margin allowed for heat treatment temperature after exposure, a resist material comprising such polymer as a base resin, and a pattern formation process using the resist material. CONSTITUTION: The polymer compound has a weight average molecular weight of 1,000 to 50,000 and comprises repeating units containing at least one for each formula 1-3, wherein each of R1, R3 and R4 independently represents a hydrogen atom or a methyl group, R2 represents a linear, branched or cyclic C1-12 alkyl group, each of R5 and R6 independently represents a hydrogen atom or a hydroxyl group, X represents a substituent containing a lactone structure, and n represents 1 or 2. The pattern formation process comprises steps of: applying the resist material comprising such polymer as a base resin onto a substrate, heating the film, exposing the heated film through a photomask to high energy radiation or electron beam, heating the exposed film and then developing with a developer.

摘要翻译： 目的：提供具有高分辨率，图案的侧壁粗糙度，实际可接受的耐蚀刻性以及暴露后的热处理温度允许的显着余量的高分子化合物，包含这种聚合物作为基础树脂的抗蚀剂材料和图案 使用抗蚀剂材料的成型工艺。 构成：高分子化合物的重均分子量为1000〜50,000，并且包含每个式1-3中至少含有一个的重复单元，其中R 1，R 3和R 4各自独立地表示氢原子或甲基，R 2表示 直链，支链或环状的C 1-12烷基，R 5和R 6各自独立地表示氢原子或羟基，X表示含有内酯结构的取代基，n表示1或2.所述图案形成方法包括以下步骤： 将包含这种聚合物作为基础树脂的抗蚀剂材料施加到基底上，加热该膜，将加热的膜通过光掩模曝光到高能量辐射或电子束，加热曝光的膜，然后用显影剂显影。

公开(公告)号：KR1020130054926A

公开(公告)日：2013-05-27

申请号：KR1020120129910

申请日：2012-11-16

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 고바야시,도모히로 ,  가따야마,가즈히로 ,  하따께야마,준 ,  후나쯔,겐지 ,  다찌바나,세이이찌로

IPC分类号： G03F7/26 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/38 ,  C08F220/34 ,  C08F220/36 ,  C08F226/06 ,  C08F226/10 ,  C08F228/02 ,  C08F228/06 ,  C08F2220/343 ,  C08F2220/365 ,  C08F2220/382 ,  C08F2220/385 ,  C08F2220/387 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/038 ,  G03F7/26

摘要： PURPOSE: A negative resist composition which includes a polymer structure of a specific structure, photoacid generator, and an organic solvent, is provided to prevent formation of insoluble surface layer by using the resist composition in combination with an organic solvent negative phenomenon. CONSTITUTION: A negative patterning process comprises a step of spreading a resist composition, which includes a polymer compound, a photoacid generator, and an organic solvent, on a substrate; a step of heat treating and exposing the resist film under high energy rays; and a step of selectively dissolving unexposed parts of a resist film, by a development containing organic solvent after the exposure. The polymer compound contains a repeating unit having a structure that carbxoyl group is protected by acid-instable group; and a repeating unit which includes one or more structures selected from an amino group, amino bond, carbamate bond, and nitrogen-containing heterocycle. [Reference numerals] (A) Apply photoresist; (B) Exposure the photoresist; (C) Develop with an organic solvent

摘要翻译： 目的：提供包含特定结构的聚合物结构，光致酸发生剂和有机溶剂的负性抗蚀剂组合物，以通过使用抗蚀剂组合物与有机溶剂阴性现象结合来防止形成不溶性表面层。 构成：负图案化工艺包括在基材上铺展包括聚合物化合物，光致酸发生剂和有机溶剂的抗蚀剂组合物的步骤; 在高能量射线下热处理和曝光抗蚀剂膜的步骤; 以及通过在曝光后含有有机溶剂的显影剂选择性地溶解抗蚀剂膜的未曝光部分的步骤。 高分子化合物含有具有碳酰基被酸不稳定基团保护的结构的重复单元; 和包含一个或多个选自氨基，氨基键，氨基甲酸酯键和含氮杂环的结构的重复单元。 （附图标记）（A）涂布光致抗蚀剂; （B）曝光光刻胶; （C）用有机溶剂显影

公开(公告)号：KR101235531B1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：KR1020070045881

申请日：2007-05-11

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 다찌바나,세이이찌로 ,  후나쯔,겐지 ,  긴쇼,다께시 ,  니시,츠네히로

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/039

CPC分类号： G03F7/0397 ,  C08F2/38 ,  G03F7/0046

摘要： 본 발명은 미리 반응 용기에 연쇄 이동제를 함유하는 용액을 넣어 중합 온도로 유지한 시점에, 단량체 및 중합 개시제를 함유하는 용액을 연속적 또는 단속적으로 적하하여 라디칼 중합시키는 것을 특징으로 하는 레지스트 재료용 중합체의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 제조 방법에 의해 제조되는 중합체는 레지스트 용제에의 난용해성 성분이 적고, 이 중합체를 레지스트 재료용 기재 수지, 특히 ArF 엑시머 레이저를 광원으로 한 포토리소그래피에서 사용되는 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료의 기재 수지로서 사용함으로써, 포토리소그래피에서의 결함수가 매우 적은, 미세 패턴의 형성에 유용한 레지스트 재료가 얻어진다.
레지스트 재료용 중합체, 연쇄 이동제, 포토리소그래피

公开(公告)号：KR101146406B1

公开(公告)日：2012-05-17

申请号：KR1020050053088

申请日：2005-06-20

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 후나쯔,겐지 ,  하세가와,고지 ,  니시,즈네히로

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0397 ,  C08F220/26

摘要： 본 발명은 화학식 1 및 2로 표시되는 반복 단위를 각각 1종 이상 포함하는 중량 평균 분자량 1,000 내지 50,000의 고분자 화합물에 관한 것이다.




식 중, R
1 , R
3 은 H 또는 CH
3 이고, R
4 는 알킬렌기이고, R
2 는 화학식 R
2 -1 내지 R
2 -4로부터 선택되는 락톤 구조를 갖는 치환기이다.

식 중, Y는 CH
2 또는 O이고, Y가 CH
2 인 경우, R
5 는 CO
2 R
7 이고, Y가 O인 경우, R
5 는 H 또는 CO
2 R
7 이고, R
6 은 H 또는 알킬기이고, R
7 은 알킬기 또는 상기 알킬기의 탄소-탄소 결합 사이에 산소 원자가 삽입된 기이다.
본 발명의 고분자 화합물은, 레지스트 재료, 특히 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료의 기재 수지로서 사용되며, 높은 감도, 해상성, 에칭 내성을 제공함과 동시에 기판 밀착성이 양호하고, 패턴 측벽의 거칠음이 방지된 레지스트 패턴을 제공한다.
레지스트 재료, 패턴 형성, 고분자 화합물

公开(公告)号：KR1020120046695A

公开(公告)日：2012-05-10

申请号：KR1020110112688

申请日：2011-11-01

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 하따께야마,준 ,  후나쯔,겐지

IPC分类号： H01L21/027

CPC分类号： G03F7/30 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/266 ,  H01L21/0274

摘要： 본발명은방향족기를반복단위의 20 내지 100 몰% 이하의범위로가지며, 산에의해알칼리에용해하는고분자화합물을포함하는제1 포지티브형레지스트재료를기판상에도포하여제1 레지스트막을형성하는공정과, 제1 레지스트막상에제1 레지스트막을용해시키지않는탄소수 3 내지 8의알킬알코올을용매로하는제2 포지티브형레지스트재료를도포하여제2 레지스트막을형성하는공정과, 고에너지선으로노광하고, 베이킹후, 현상액을이용하여상기제1과제2 레지스트막을동시에현상하여레지스트패턴을형성하는공정을포함하는패턴형성방법에관한것이다. 본발명의패턴형성방법에따르면, 현상후에기판면을개구시킬수 있다. 본발명에서는제2층의레지스트막단독의경우보다현상후의레지스트패턴을마스크로하여기판을에칭가공하거나이온을주입할때의내성을높게할 수있다.

摘要翻译： 目的：通过使用显影液同时显影第一抗蚀剂膜和第二抗蚀剂膜，提供图案形成工艺以便在显影后容易地打开基板的表面。 构成：在基板（10）上形成被处理层（20）。 第一抗蚀剂膜（31）形成在被处理层上。 在第一抗蚀剂膜上形成第二抗蚀剂膜（32）。 在第一抗蚀剂材料和第二抗蚀剂材料被喷涂之后进行烘烤。 烘烤在70°C-150°C的范围内进行。