公开(公告)号：KR1020170039573A

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：KR1020160122349

申请日：2016-09-23

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 메바르키,벤처키 ,  이에,엘리와이. ,  나이크,메훌비. ,  네마니,스리니바스디.

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/28518 ,  C23C16/42 ,  C23C16/4418 ,  C23C16/511 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76889 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53271

摘要： 본원에서설명되는구현예들은일반적으로, 금속실리사이드들의선택적증착방법들에관한것이다. 보다구체적으로, 본원에서설명되는구현예들은일반적으로, 반도체애플리케이션들을위한니켈실리사이드나노와이어들을형성하는방법들에관한것이다. 하나의구현예에서, 기판을프로세싱하는방법이제공된다. 방법은, 기판의표면상에실리콘-함유층을형성하는단계; 실리콘-함유층 상에전이금속(transition metal)을포함하는금속-함유층을형성하는단계; 금속-함유층의노출된표면들상에컨파인먼트(confinement) 층을형성하는단계; 및실리콘-함유층 및금속-함유층으로부터금속실리사이드층을형성하기위해, 기판을섭씨 400도미만의온도에서어닐링하는단계를포함하며, 컨파인먼트층은금속풍부(metal-rich) 금속실리사이드상(phase)들의형성을막는다.

摘要翻译： 这里描述的实施例一般涉及选择性沉积金属硅化物的方法。 更具体地，在此描述的实施方式通常涉及用于形成用于半导体应用的硅化镍纳米线的方法。 在一个实施例中，提供了一种处理衬底的方法。 该方法包括在衬底的表面上形成含硅层; 在含硅层上形成包含过渡金属的含金属层; 在含金属层的暴露表面上形成限制层; 并且在仅约400摄氏度的温度下退火衬底以从含硅层和含金属层形成金属硅化物层，其中所述顺应层是富金属硅化物相， Lt。