公开(公告)号：KR101495513B1

公开(公告)日：2015-03-03

申请号：KR1020110040280

申请日：2011-04-28

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 루,시큉 ,  찬드라세카란,발라지 ,  지,폴에드워드 ,  잉글,니틴케이. ,  루보미르스키,드미트리 ,  유안,쳉 ,  이에,엘리와이.

IPC: H01L21/687

CPC classification number: C23C16/4586 ,  C23C16/4584 ,  Y10T279/11

Abstract: 본 명세서에는 축대칭 및/또는 보다 균일한 열 프로파일을 갖는 진공 척의 실시예가 제공된다. 일부 실시예에서, 진공 척은 상부에 기판을 지지하는 지지 표면을 갖는 본체; 상기 지지 표면에 형성되는 축대칭으로 배치되는 복수의 홈으로써, 상기 홈의 적어도 일부가 교차하는, 홈; 및 상기 본체를 관통하여 상기 홈 내에 형성되며, 작동중에 상기 홈을 진공원에 유동적으로 연결시키기 위한 복수의 처킹 홀;을 포함하며, 상기 처킹 홀은 상기 홈의 비-교차 부분에 배치된다.

公开(公告)号：KR1020170039573A

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：KR1020160122349

申请日：2016-09-23

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 메바르키,벤처키 ,  이에,엘리와이. ,  나이크,메훌비. ,  네마니,스리니바스디.

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/28518 ,  C23C16/42 ,  C23C16/4418 ,  C23C16/511 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76889 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53271

Abstract: 본원에서설명되는구현예들은일반적으로, 금속실리사이드들의선택적증착방법들에관한것이다. 보다구체적으로, 본원에서설명되는구현예들은일반적으로, 반도체애플리케이션들을위한니켈실리사이드나노와이어들을형성하는방법들에관한것이다. 하나의구현예에서, 기판을프로세싱하는방법이제공된다. 방법은, 기판의표면상에실리콘-함유층을형성하는단계; 실리콘-함유층 상에전이금속(transition metal)을포함하는금속-함유층을형성하는단계; 금속-함유층의노출된표면들상에컨파인먼트(confinement) 층을형성하는단계; 및실리콘-함유층 및금속-함유층으로부터금속실리사이드층을형성하기위해, 기판을섭씨 400도미만의온도에서어닐링하는단계를포함하며, 컨파인먼트층은금속풍부(metal-rich) 금속실리사이드상(phase)들의형성을막는다.

Abstract translation: 这里描述的实施例一般涉及选择性沉积金属硅化物的方法。 更具体地，在此描述的实施方式通常涉及用于形成用于半导体应用的硅化镍纳米线的方法。 在一个实施例中，提供了一种处理衬底的方法。 该方法包括在衬底的表面上形成含硅层; 在含硅层上形成包含过渡金属的含金属层; 在含金属层的暴露表面上形成限制层; 并且在仅约400摄氏度的温度下退火衬底以从含硅层和含金属层形成金属硅化物层，其中所述顺应层是富金属硅化物相， Lt。

公开(公告)号：KR101019768B1

公开(公告)日：2011-03-04

申请号：KR1020080102370

申请日：2008-10-20

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 말릭,압히지트바수 ,  문로,제프레이씨. ,  왕,린린 ,  네마니,스리니바스디. ,  쳉,이 ,  위안,쳉 ,  루보미르스키,디미트리 ,  이에,엘리와이.

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31612 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/76837

Abstract: 본 발명은 기판의 적어도 일부를 덮는 실리콘 산화물 층을 기판 상에 형성하는 방법을 제공한다. 상기 방법은 기판을 제공하는 단계를 포함하고 기판의 적어도 일부를 덮는 제1 실리콘 산화물 층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 제1 실리콘 산화물 층은 잔존 물, 하이드록실 그룹들, 및 탄소 종들을 포함한다. 또한, 상기 방법은 상기 제1 실리콘 산화물 층을 다수의 실리콘-함유 종들에 노출시키는 단계를 포함한다. 상기 방법은 상기 다수의 비정질 실리콘 성분과 부분적으로 서로 혼합된 상기 제1 실리콘 산화물 층을 산화 분위기에서 어닐링하여 상기 기판 상에 제2 실리콘 산화물 층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 비정질 실리콘 성분의 적어도 일부는 산화되어 상기 제2 실리콘 산화물 층의 일부가 되고, 상기 제2 실리콘 산화물 층의 비반응 잔존 하이드록실 그룹들과 탄소 종들이 실질적으로 제거된다.

公开(公告)号：KR1020170051517A

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：KR1020177009958

申请日：2015-08-14

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 이에,엘리와이. ,  고데트,루도빅 ,  수,준 ,  네마니,스리니바스디. ,  리,동큉카렌 ,  첸,에리카

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/265 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

Abstract: 기판위의유동가능한층에종이공급된다. 유동가능한층의특성은, 유동가능한층에종을주입(implanting)함으로써변경된다. 특성은밀도, 응력, 필름수축, 에칭선택성, 또는이들의임의의조합을포함한다.

Abstract translation: 纸张被提供给能够在基材上流动的层。 通过将物质注入可流动层中来改变可流动层的性质。 这些性质包括密度，应力，膜收缩率，蚀刻选择性或其任何组合。

公开(公告)号：KR1020090013077A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：KR1020080074005

申请日：2008-07-29

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 루,시큉 ,  찬드라세카란,발라지 ,  지,폴에드워드 ,  잉글,니틴케이. ,  루보미르스키,드미트리 ,  유안,쳉 ,  이에,엘리와이.

IPC: H01L21/00

CPC classification number: C23C16/4586 ,  C23C16/4584 ,  Y10T279/11

Abstract: A vacuum chucking heater of an axial symmetrical and uniform heat profile is provided to reduce film thickness spikes by a local cold spot on the substrate corresponding to a chucking hole and to transmit the heat between the vacuum heater chuck and the substrate uniformly. A main body(102) has a support surface(106) supporting the substrate in the top. A groove(108) is axial-symmetrically arranged in the support surface. At least a part of the groove crosses. A plurality of chucking holes(110) are formed inside the groove to penetrate through the main body and are used for connecting the groove to the vacuum source in an operation state. The plurality of chucking holes are arranged in the part where the groove does not cross. The heater is arranged inside the main body.

Abstract translation: 提供轴向对称且均匀的热分布的真空夹紧加热器，以减少与夹持孔相对应的基板上的局部冷点的膜厚尖峰，并均匀地在真空加热器卡盘和基板之间传递热量。 主体（102）具有在顶部支撑衬底的支撑表面（106）。 凹槽（108）在支撑表面中轴向对称地布置。 凹槽的至少一部分交叉。 在槽内部形成有多个夹紧孔（110）贯通主体，并用于在工作状态下将槽与真空源连接。 多个夹持孔布置在凹槽不交叉的部分。 加热器布置在主体内部。

公开(公告)号：KR1020170101997A

公开(公告)日：2017-09-06

申请号：KR1020177021938

申请日：2015-12-15

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 네마니,스리니바스디. ,  첸,에리카 ,  고데트,루도빅 ,  수에,준 ,  이에,엘리와이.

IPC: C23C16/56 ,  C23C16/40 ,  C23C16/04

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401

Abstract: 본원에서설명되는실시예들은고 종횡비갭 충전애플리케이션들에대해적합한유동성화학기상증착(FCVD) 막들을형성하기위한방법들에관한것이다. 설명되는다양한프로세스플로우들은유전체막 밀도및 재료조성을개선하기위하여, 증착된 FCVD 막을처리하기위해활용되는이온주입프로세스들을포함한다. 이온주입프로세스들, 경화프로세스들, 및어닐링프로세스들이, 디바이스재료들의써멀버짓내의온도들에서개선된밀도들을갖는유전체막들을형성하기위해, 다양한시퀀스조합들로활용될수 있다. 개선된막 품질특성들은통상적인 FCVD 막형성프로세스들과비교하여감소된막 응력및 감소된막 수축을포함한다.

Abstract translation: 本文描述的实施例涉及用于形成用于高纵横比间隙填充应用的合适的流动化学气相沉积（FCVD）膜的方法。 所描述的各种工艺流程包括用于处理沉积的FCVD膜以改进电介质膜密度和材料组成的离子注入工艺。 离子注入工艺，固化工艺和退火工艺可以以各种顺序组合来利用，以在器件材料的热预算内的温度下形成具有改善的密度的介电膜。 与传统的FCVD成膜工艺相比，改进的膜质量特性包括降低的膜应力和降低的膜收缩率。

公开(公告)号：KR1020170018069A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：KR1020177001599

申请日：2015-05-28

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 응아이,크리스토퍼에스. ,  다이,후이시옹 ,  고데,루도빅 ,  이에,엘리와이.

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  B08B1/00 ,  B08B6/00 ,  B08B7/00

CPC classification number: B08B1/001 ,  B08B1/00 ,  B08B1/008 ,  B08B6/00 ,  B08B7/0028 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/02041

Abstract: 세정을위한미립자세정조립체들및 방법들이개시된다. 일예에서, 기판의후면표면으로부터입자들을제거하기위한디바이스가설명된다. 디바이스는기판척킹디바이스를갖는챔버본체, 기판지지표면위에포지셔닝된미립자세정물품, 미립자세정물품아래에포지셔닝된광학감지디바이스, 및미립자세정물품과기판을분리하는기판포지셔닝디바이스를포함한다. 다른예에서, 기판으로부터입자들을제거하기위한방법이개시된다. 방법은, 프로세싱표면및 지지표면을갖는기판을프로세스챔버에포지셔닝하는단계를포함한다. 기판의적어도부분은기판척킹디바이스에척킹될수 있고, 기판척킹디바이스는, 미립자세정물품이기판지지표면상에포지셔닝된기판지지표면을갖는다. 그런다음에기판은, 입자들을뒤에남겨두고미립자세정물품으로부터분리된다.

Abstract translation: 公开了微粒清洁组件和清洁方法。 在一个实例中，描述了用于从基板的背面去除颗粒的装置。 该装置包括具有衬底夹持装置的腔室主体，位于衬底支撑表面上方的微粒清洁制品，位于微粒清洁制品下方的光学感测装置和分离颗粒清洁制品和衬底的基板定位装置。 在另一个实例中，公开了一种从衬底去除颗粒的方法。 该方法包括将具有处理表面和支撑表面的基板定位在处理室中。 衬底的至少一部分可以被夹持到衬底夹紧装置，衬底夹持装置具有衬底支撑表面，其上定位有微粒清洁制品。 然后将基底与颗粒清洁制品分离，留下颗粒。

公开(公告)号：KR101062595B1

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：KR1020080074005

申请日：2008-07-29

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 루,시큉 ,  찬드라세카란,발라지 ,  지,폴에드워드 ,  잉글,니틴케이. ,  루보미르스키,드미트리 ,  유안,쳉 ,  이에,엘리와이.

IPC: H01L21/00

CPC classification number: C23C16/4586 ,  C23C16/4584 ,  Y10T279/11

Abstract: 본 명세서에는 축대칭 및/또는 보다 균일한 열 프로파일을 갖는 진공 척의 실시예가 제공된다. 일부 실시예에서, 진공 척은 상부에 기판을 지지하는 지지 표면을 갖는 본체; 상기 지지 표면에 형성되는 복수의 축대칭으로 배치되는 홈으로써, 상기 홈의 적어도 일부가 교차하는, 홈; 및 상기 본체를 관통하여 상기 홈 내에 형성되며, 작동중에 상기 홈을 진공원에 유동적으로 연결시키기 위한 복수의 처킹 홀;을 포함하며, 상기 처킹 홀은 상기 홈의 비-교차 부분에 배치된다.

公开(公告)号：KR1020110068955A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：KR1020110040280

申请日：2011-04-28

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 루,시큉 ,  찬드라세카란,발라지 ,  지,폴에드워드 ,  잉글,니틴케이. ,  루보미르스키,드미트리 ,  유안,쳉 ,  이에,엘리와이.

IPC: H01L21/687

CPC classification number: C23C16/4586 ,  C23C16/4584 ,  Y10T279/11

Abstract: PURPOSE: A vacuum chucking heater of an axisymmetric and uniform heat profile is provided to remove or reduce a cool spot effect by forming a chucking hole. CONSTITUTION: A main body(102) includes a support surface which supports a substrate. A heater is arranged in the main body. A groove(108) is formed by mechanically processing the support surface of the main body. A groove generates uniform gas pressure distribution between a support surface and a substrate. A plurality of chucking holes(110) are formed in the groove.

Abstract translation: 目的：提供轴对称且均匀的热分布的真空吸盘加热器，以通过形成卡盘孔来消除或减少冷点效应。 构成：主体（102）包括支撑基板的支撑表面。 主体设有加热器。 通过机械加工主体的支撑表面形成凹槽（108）。 凹槽在支撑表面和基底之间产生均匀的气体压力分布。 在槽中形成有多个夹紧孔（110）。

公开(公告)号：KR1020090040851A

公开(公告)日：2009-04-27

申请号：KR1020080102370

申请日：2008-10-20

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 말릭,압히지트바수 ,  문로,제프레이씨. ,  왕,린린 ,  네마니,스리니바스디. ,  쳉,이 ,  위안,쳉 ,  루보미르스키,디미트리 ,  이에,엘리와이.

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31612 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/76837

Abstract: A method and a system for improving dielectric film quality are provided to obtain the gap fill without a void in a trench with a high aspect ratio. A substrate is provided(202). A first silicon oxide layer covering at least a part of substrate is formed(204). The first silicon oxide layer is exposed to a plurality of silicon containing materials(206). At least a part of the plurality of silicon containing materials is reacted with at least part of remnant and hydroxyl groups and thermally disassembled. A plurality of amorphous silicon components are formed(208). The first silicon oxide layer partly mixed with the plurality of amorphous silicon components is annealed and the second silicon oxide layer is formed on the substrate(210). At least a part of amorphous silicon component is oxidized and becomes a part of the second silicon oxide layer.

Abstract translation: 提供了一种用于提高介电膜质量的方法和系统，以获得在具有高纵横比的沟槽中没有空隙的间隙填充。 提供基板（202）。 形成覆盖基板的至少一部分的第一氧化硅层（204）。 第一氧化硅层暴露于多个含硅材料（206）。 多个含硅材料的至少一部分与残留和羟基的至少一部分反应并进行热分解。 形成多个非晶硅部件（208）。 与多个非晶硅组分部分混合的第一氧化硅层被退火，并且在衬底（210）上形成第二氧化硅层。 至少一部分非晶硅组分被氧化并成为第二氧化硅层的一部分。