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公开(公告)号：KR101766491B1
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：KR1020117024716
申请日：2010-04-20
Applicant: 제이에스알 가부시끼가이샤
Inventor： 사카키바라,히로카즈 , 나루오카,다케히코
IPC: G03F7/039 , C08F220/22 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0397 , C08F220/18 , C08F220/22 , C08F220/24 , C08F220/38 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/2041
Abstract: 본발명의목적은감도, LWR, 현상결함등의레지스트기본성능이우수하고, 얻어지는패턴형상이양호하며, 초점심도가우수하고, 액침노광시에접촉하는액침노광용액체로의용출물의양이적고, 액침노광용액체와의후퇴접촉각이크고, 나아가미세한레지스트패턴을고정밀도로형성하는것이가능한포토레지스트막을형성할수 있는감방사선성수지조성물등을제공하는것이다. 본발명의감방사선성수지조성물은 (A) 하기화학식 1로표시되는반복단위와, 불소원자를갖는반복단위를함유하고있으며, 측쇄에산해리성기를갖는중합체와, (B) 용제를함유한다. 〔화학식 1 중, R은수소원자, 메틸기또는트리플루오로메틸기를나타내고, Z는광 조사에의해산을발생하는구조를함유하는기를나타냄〕
Abstract translation: 本发明的目的是提供抗蚀剂基本性能如敏感性，LWR，显影缺陷等优异，具有优异图案深度和优异焦深的光刻胶组合物， 能够形成能够高精度地形成精细的抗蚀剂图案并且与液体具有大的后退接触角的光致抗蚀剂膜的辐射敏感性树脂组合物等。 本发明的（A）至所述的辐射敏感性树脂组合物，并含有的重复具有由式（1）表示的氟原子单元含有的聚合物，（B）具有在侧链中的酸解离性基团的溶剂的重复单元。 其中R代表氢原子，甲基或三氟甲基，Z代表含有能够通过光照射解离的结构的基团，
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公开(公告)号：KR1020170054297A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：KR1020160146538
申请日：2016-11-04
Applicant: 제이에스알 가부시끼가이샤
Abstract: [과제] 양호한감도를유지하면서우수한리소그래피성능을발휘하는것이가능한화학증폭형레지스트재료의제공을목적으로한다. [해결수단] 본발명에관한화학증폭형레지스트재료는, (1) 산의작용에의해현상액에가용또는불용이되는중합체성분과, (2) 노광에의해감방사선성증감체및 산을발생시키는성분을포함하고, 상기 (2) 성분이 (a) 성분, (a) 내지 (c) 성분중의임의의 2개의성분, 또는 (a) 내지 (c) 성분모두를함유하고, 상기 (a) 성분또는상기 (c) 성분이, 감방사선성을갖는제1 화합물및 감방사선성을갖는제2 화합물을갖고, 상기제1 화합물이제1 오늄양이온과제1 음이온을포함하고, 상기제2 화합물이제2 오늄양이온과상기제1 음이온과상이한제2 음이온을포함하고, 상기제1 오늄양이온및 상기제2 오늄양이온이, 라디칼로환원될때에방출하는에너지가모두 5.0eV 미만이다.
Abstract translation: 本发明提供能够在保持良好的感光度的同时显示优异的光刻性能的化学放大型抗蚀剂材料。 根据本发明的化学放大型抗蚀剂材料包括：（1）通过酸的作用在显影剂中可溶或不可溶的聚合物组分;（2）辐射敏感辐射敏化剂和酸 （a），（a）至（c）或其两种组分（a）至（c） 或者组分（c）包含具有辐射敏感性的第一化合物和具有辐射敏感性的第二化合物，其中第一化合物是1-鎓阳离子阴离子，第二化合物是2-鎓 以及与第一阴离子不同的第二阴离子，其中当第一阳离子和第二阳离子被还原为自由基时，释放的所有能量都小于5.0eV。
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公开(公告)号：KR1020170022945A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：KR1020160105647
申请日：2016-08-19
Applicant: 제이에스알 가부시끼가이샤 , 고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 오사까 다이가꾸 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G03F7/004 , C07D311/80 , C07D335/10 , G03F7/20 , G03F7/16 , G03F7/32 , G03F7/038
CPC classification number: G03F7/203 , C07C43/164 , C07C45/515 , C07C45/59 , C07C303/32 , C07C309/07 , C07C381/12 , C07D317/22 , C07D317/72 , C07D335/16 , C07D409/14 , C07D493/10 , C08F220/14 , C08F220/22 , C08F220/26 , C08F220/28 , C08F220/38 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/2002 , G03F7/2022 , G03F7/322 , G03F7/38 , C07C49/84
Abstract: EUV 광등의전리방사선등을이용한패턴형성기술의실용화에유용한화학증폭형레지스트재료를제공한다. 본발명의화학증폭형레지스트재료는, 레지스트재료막의소정의개소에전리방사선또는비전리방사선을조사하는패턴노광공정과, 상기레지스트재료막에비전리방사선을조사하는일괄노광공정과, 상기레지스트재료막을가열하는베이크공정과, 레지스트패턴을형성하는현상공정을구비하는프로세스에서사용되는화학증폭형레지스트재료이며, (1) 베이스성분과 (2) 노광에의해감방사선성증감체및 산을발생하는성분을포함하고, 상기 (2) 성분은, (a) 감방사선성산-증감체발생제, (b) 감방사선성증감체발생제및 (c) 감방사선성산 발생제중, (a) 성분및 (b) 성분, (b) 성분및 (c) 성분또는 (a) 내지 (c) 성분모두를함유하고 (b) 성분이식 (A)로표현되는화합물을포함한다.
Abstract translation: 本发明的化学放大抗蚀剂材料用于包括以下步骤：将抗蚀剂材料膜的预定区域图案化地暴露于电离辐射或非离子化辐射; 将抗蚀剂材料膜以暴露于无电离辐射的方式进行液化暴露; 烘烤抗蚀材料薄膜暴露; 以及显影抗蚀剂材料膜以形成抗蚀剂图案，所述化学放大抗蚀剂材料包含：（1）基底组分; （2）能够在曝光时产生辐射敏感敏化剂和酸的组分，其中组分（2）在（a）辐射敏感性酸敏感剂发生剂中包含（b） 辐射敏感敏化剂发生剂，和（c）辐射敏感性酸产生剂：组分（a）和（b）; 组分（b）和（c）; 或全部成分（a）〜（c），其中，成分（b）含有式（A）所示的化合物。
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公开(公告)号：KR1020150076097A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：KR1020140186186
申请日：2014-12-22
Applicant: 제이에스알 가부시끼가이샤
IPC: C08G77/42 , C09D4/00 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: C08G77/42 , C09D4/00 , G03F7/11 , H01L21/0271
Abstract: 자기조직화에의한상분리구조를양호하게형성시키고, 직사각형의패턴을형성시킬수 있는하지막형성용조성물의제공을목적으로한다. 본발명은, 자기조직화리소그래피방법에있어서규소원자를함유하는층과자기조직화막사이에배치되는하지막을형성하기위한조성물이며, Si-OH 또는 Si-H와반응할수 있는기를갖는화합물, 및용매를함유하고, 상기하지막의순수와의후퇴접촉각이 70° 이상 90° 이하인하지막형성용조성물이다. 상기화합물로서는하기화학식 (1)로표시되는것이바람직하다.(화학식 (1) 중, A는 (m+n)가의연결기이다. D는탄소수 10 이상의 1가의유기기이다. E는 Si-OH 또는 Si-H와반응할수 있는기이다. m 및 n은각각독립적으로 1 내지 200의정수이다.)
Abstract translation: 本发明旨在提供一种用于形成下层的组合物，其可以通过自组织适当地形成相分离结构并且可以形成矩形图案。 在自组织光刻方法中，组合物形成布置在包含硅原子的层和自组织层之间的下层。 该组合物包括具有能够与Si-OH或Si-H反应的基团的化合物和溶剂。 底层和纯水之间的后退接触角为70-90°。 该化合物优选由化学式（1）表示。 （化学式（1）中，A为（m + n）价的连接基，D为碳原子数为10以上的一价有机基团，E为可与Si-OH或Si-H反应的基团。 m和n独立地为1-200的整数。）。
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公开(公告)号：KR1020170054298A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：KR1020160146540
申请日：2016-11-04
Applicant: 제이에스알 가부시끼가이샤
Abstract: [과제] EUV 등의 250㎚이하의파장을갖는방사선을패턴노광광으로서사용한경우에있어서의감도및 리소그래피성능을양립가능한화학증폭형레지스트재료및 레지스트패턴형성방법의제공을목적으로한다. [해결수단] 본발명에관한화학증폭형레지스트재료는, (1) 산의작용에의해현상액에가용또는불용이되는중합체성분과, (2) 노광에의해감방사선성증감체및 산을발생시키는성분을포함하고, (2) 성분이 (a) 및 (b) 성분, (b) 및 (c) 성분, 또는 (a) 내지 (c) 성분모두를함유하고, (b) 성분이식 (B)로표시되는화합물을포함한다. 식 (B) 중 R및 R는유기기또는환 구조를나타낸다. 단, R및 R중적어도한쪽이니트로기, 술포닐기등을포함하거나, 또는상기환 구조가스피로환구조, 축합환구조혹은유교환구조이다. (a) 감방사선성산-증감체발생제 (b) 감방사선성증감체발생제 (c) 감방사선성산 발생제
Abstract translation: [问题]提供一种化学放大型抗蚀剂材料和抗蚀剂图案形成方法，其在使用EUV等波长为250nm以下的放射线作为图案曝光光时，能够兼顾灵敏度和光刻性能。 根据本发明的化学放大型抗蚀剂材料包括：（1）通过酸的作用在显影剂中可溶或不可溶的聚合物组分;（2）辐射敏感辐射敏化剂和酸 （B），（B），（C）或（A）至（C） 。“ 在式（B）中，R 1和R 2表示氮原子或环结构。 只要R和R中至少一个包括硝基，磺酰基等或环结构气体热解环结构，稠环结构或油交换结构。 （a）辐射敏感性酸敏感剂发生器（b）辐射敏感性敏化剂发生器（c）辐射敏感酸发生剂
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101729792B1
公开(公告)日：2017-04-24
申请号：KR1020117019408
申请日：2010-02-23
Applicant: 제이에스알 가부시끼가이샤
Inventor： 마츠무라,노부지 , 아사노,유스케 , 사카키바라,히로카즈 , 니시무라,유키오 , 나루오카,다케히코
IPC: C07C69/96 , G03F7/039 , C08F20/28 , C08F20/22 , C08F220/28 , C08F220/22 , C08F2/48
CPC classification number: C07C69/96 , C07C68/06 , C07C2601/14 , C08F220/30 , G03F7/0046 , G03F7/0392
Abstract: 본발명은화학식 1로표시되는화합물이다. (단, R은탄소수 1 내지 10의 (n+1)가의직쇄상또는분지상의지방족탄화수소기등이고, R은수소원자, 메틸기또는트리플루오로메틸기이고, R는단결합등이고, R은탄소수 1 내지 4의직쇄상또는분지상의알킬기등이고, X는탄소수 1 내지 10의직쇄상또는분지상의플루오로알킬렌기이고, n은 1 내지 5의정수이다)
Abstract translation: 本发明是由通式（1）表示的化合物。 R是氢原子，甲基或三氟甲基，R是末端键等，R是氢原子或具有1至10个碳原子的烷基， 或类似物具有1至4 uijik链上或支链烷基，X是具有对氟uijik链或支链的1至10个碳原子的亚烷基，n为1至5的CAN协议）
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公开(公告)号：KR1020170022944A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：KR1020160105644
申请日：2016-08-19
Applicant: 제이에스알 가부시끼가이샤 , 고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 오사까 다이가꾸 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G03F7/2022 , G03F7/0397 , G03F7/162 , G03F7/2032 , G03F7/30 , G03F7/322 , G03F7/38
Abstract: EUV 광등의전리방사선등을이용한패턴형성기술의실용화에유용한패턴형성방법을제공한다. 본발명의패턴형성방법은, 기판상에형성된반사막상에레지스트재료를사용해서레지스트재료막을형성하는막 형성공정과, 레지스트재료막의소정의개소에전리방사선또는비전리방사선을조사하는패턴노광공정과, 상기레지스트재료막에비전리방사선을조사하는일괄노광공정과, 상기레지스트재료막을가열하는베이크공정과, 레지스트패턴을형성하는현상공정을구비하고, 일괄노광공정에서조사하는비전리방사선에있어서의상기반사방지막의소쇠계수가 0.1 이상이며, 상기레지스트재료가, (1) 산의작용에의해현상액에가용또는불용이되는베이스성분과, (2) 노광에의해감방사선성증감체및 산을발생하는성분을포함하고, 상기 (2) 성분이, (a) 성분, (a) 내지 (c) 성분중의임의의 2개의성분, 또는 (a) 내지 (c) 성분모두를함유한다.
Abstract translation: 图案形成方法包括在形成在基板上的抗反射膜上施加化学放大的抗蚀剂材料以形成抗蚀剂材料膜。 抗蚀剂材料膜图案地暴露于波长不大于400nm的电离辐射或非离子化辐射。 图案曝光的抗蚀剂材料膜被洪泛地暴露于波长大于用于图案曝光的非离子化辐射的波长的大于200nm的非离子化辐射。 烘烤曝光的抗蚀剂材料膜。 用显影剂溶液显影烘烤的抗蚀剂材料膜。 用于液体曝光的非离子辐射防反射膜的消光系数不小于0.1。 化学放大抗蚀剂材料包括能够在曝光时产生辐射敏感敏化剂和酸的基础成分和生成成分。
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公开(公告)号：KR101596061B1
公开(公告)日：2016-02-19
申请号：KR1020107025830
申请日：2009-05-18
Applicant: 제이에스알 가부시끼가이샤
IPC: C07C69/96 , C08F20/28 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: C07C69/96 , C08F220/18 , C08F220/22 , C08F220/24 , C08F220/26 , C09D133/18 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041
Abstract: 본발명의목적은, 얻어지는패턴형상이양호하고, 액침노광시에액침노광용액체에대한용출물의양이적고, 후퇴접촉각이크고, 현상결함이적은감방사선성조성물을제공하는것이다. 본발명의감방사선성조성물은하기화학식 1로표시되는화합물에서유래되는반복단위 (1)을갖는불소함유중합체와, 용제를함유한다. (화학식 1 중, R은메틸기등을나타내고, R는 1-메틸에틸렌기등을나타내고, R은서로독립적으로탄소수 1 내지 4의알킬기등을나타내고, X는탄소수 1 내지 20의플루오로알킬렌기를나타냄)
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公开(公告)号：KR1020110008088A
公开(公告)日：2011-01-25
申请号：KR1020107025830
申请日：2009-05-18
Applicant: 제이에스알 가부시끼가이샤
IPC: C07C69/96 , C08F20/28 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: C07C69/96 , C08F220/18 , C08F220/22 , C08F220/24 , C08F220/26 , C09D133/18 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , C08F20/28 , H01L21/0275
Abstract: 본 발명의 목적은, 얻어지는 패턴 형상이 양호하고, 액침 노광 시에 액침 노광용 액체에 대한 용출물의 양이 적고, 후퇴 접촉각이 크고, 현상 결함이 적은 감방사선성 조성물을 제공하는 것이다. 본 발명의 감방사선성 조성물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물에서 유래되는 반복 단위 (1)을 갖는 불소 함유 중합체와, 용제를 함유한다.
(화학식 1 중, R
1 은 메틸기 등을 나타내고, R
2 는 1-메틸에틸렌기 등을 나타내고, R
3 은 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알킬기 등을 나타내고, X는 탄소수 1 내지 20의 플루오로알킬렌기를 나타냄)-
公开(公告)号：KR102238922B1
公开(公告)日：2021-04-12
申请号：KR1020140186186
申请日：2014-12-22
Applicant: 제이에스알 가부시끼가이샤
IPC: C08G77/42 , C09D4/00 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 자기조직화에의한상분리구조를양호하게형성시키고, 직사각형의패턴을형성시킬수 있는하지막형성용조성물의제공을목적으로한다. 본발명은, 자기조직화리소그래피방법에있어서규소원자를함유하는층과자기조직화막사이에배치되는하지막을형성하기위한조성물이며, Si-OH 또는 Si-H와반응할수 있는기를갖는화합물, 및용매를함유하고, 상기하지막의순수와의후퇴접촉각이 70° 이상 90° 이하인하지막형성용조성물이다. 상기화합물로서는하기화학식 (1)로표시되는것이바람직하다. JPEG112014124471446-pat00014.jpg1065 (화학식 (1) 중, A는 (m+n)가의연결기이다. D는탄소수 10 이상의 1가의유기기이다. E는 Si-OH 또는 Si-H와반응할수 있는기이다. m 및 n은각각독립적으로 1 내지 200의정수이다.)
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