公开(公告)号：KR102219874B1

公开(公告)日：2021-02-24

申请号：KR1020190054828

申请日：2019-05-10

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단 ,  매용훈

Inventor： 매용훈 ,  홍용범 ,  박준민 ,  조언정

IPC: H01L33/50

Abstract: 본발명의실시예들은형광체플레이트제조방법으로서, 유리분말을제조하는유리분말제조단계, 상기제조된유리분말과형광물질을혼합하고가열및 소결시켜형광체플레이트를형성하는형광체플레이트형성단계, 상기형성된형광체플레이트의일면또는양면을제1패드및 제1슬러리를이용하여기계적으로연마하는제1연마단계, 상기연마된형광체플레이트의일면또는양면을제2패드및 제2슬러리를이용하여화학적으로연마하는제2연마단계를포함하여구성되는형광체플레이트제조방법를제공한다. 이에, 본발명의실시예들은제1연마단계및 제2연마단계를거쳐서형광체플레이트를제조함으로써, 형광체플레이트의표면이더욱균일하게연마되어조도및 광투과율이높아지고향상될수 있다.

公开(公告)号：KR1020200129838A

公开(公告)日：2020-11-18

申请号：KR1020190054828

申请日：2019-05-10

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단 ,  매용훈

Inventor： 매용훈 ,  홍용범 ,  박준민 ,  조언정

IPC: H01L33/50

Abstract: 본발명의실시예들은형광체플레이트제조방법으로서, 유리분말을제조하는유리분말제조단계, 상기제조된유리분말과형광물질을혼합하고가열및 소결시켜형광체플레이트를형성하는형광체플레이트형성단계, 상기형성된형광체플레이트의일면또는양면을제1패드및 제1슬러리를이용하여기계적으로연마하는제1연마단계, 상기연마된형광체플레이트의일면또는양면을제2패드및 제2슬러리를이용하여화학적으로연마하는제2연마단계를포함하여구성되는형광체플레이트제조방법를제공한다. 이에, 본발명의실시예들은제1연마단계및 제2연마단계를거쳐서형광체플레이트를제조함으로써, 형광체플레이트의표면이더욱균일하게연마되어조도및 광투과율이높아지고향상될수 있다.

公开(公告)号：KR101092203B1

公开(公告)日：2011-12-09

申请号：KR1020090044594

申请日：2009-05-21

Applicant: (주)티피에스 ,  한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 조언정 ,  이원근 ,  배영제 ,  매용훈 ,  정용화 ,  전구식 ,  우원희

IPC: B21F17/00 ,  B21F19/00 ,  C09D133/08 ,  B26F3/00

Abstract: 본발명은, 반도체재료가공용다이아몬드와이어제조방법및 이를통해제작된다이아몬드와이어에관한것으로서, 와이어의표면에 UV 경화제를도포하고, UV 경화제가도포된와이어의표면에다이아몬드입자를부착한다음, UV 경화제를경화시키는방식으로다이아몬드와이어를제작함으로써, 종래슬러리로인한피절단재와기자재오염을최소화할 수있고, 폐슬러리의처리문제도해소할수 있으며, 특히다이아몬드입자가이탈되지않도록하여부착강도를높일수 있고, 이에따라전체다이아몬드와이어의성능향상에기여할수 있음은물론사용수명도보다길게할 수있는효과를갖는다.

公开(公告)号：KR101097178B1

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：KR1020090047678

申请日：2009-05-29

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 조언정 ,  이원근 ,  배영제 ,  매용훈 ,  정용화 ,  전구식 ,  우원희 ,  김헌덕

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명에 따른 나노 다이아몬드를 포함하는 표면 연마제 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된 연마제, 그리고 이 연마제를 이용한 연마 방법은, 나노다이아몬드 입자를 이용하여 이를 적절한 용액에 분산 또는 혼합하여 연마제를 제조 구성함으로써, 사파이어, 글래스 및 합성 석영, 실리콘 카바이드, 실리콘 단결정 웨이퍼, 리튬 탄탈레이트 단결정 웨이퍼 등을 연마할 때, 연마 속도를 향상시킬 수 있고, 연마된 표면 조도의 고조도화, 고평탄화를 달성할 수 있는 효과가 있다.
연마제, 웨이퍼, 글래스, 기판, 실리콘, 사파이어, 나노

公开(公告)号：KR101093064B1

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：KR1020100043331

申请日：2010-05-10

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단 ,  (주)티피에스

Inventor： 조언정 ,  이원근 ,  김헌덕 ,  매용훈 ,  우원희 ,  윤애천

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/78

Abstract: 본 발명은 반도체 재료 절단용 와이어의 텍스처링 장치에 관한 것으로서, 평판면에 착탈가능하게 결합되는 베이스 플레이트와; 상기 베이스 플레이트의 상부에 안착설치되고, 그 상부에는 상부 보빈틀이 회전가능하게 설치된 하부 플레이트와; 상기 하부 플레이트에 대하여 승강되고, 그 하부에는 상기 상부 보빈틀과 대응되는 하부 보빈틀이 회전가능하게 설치된 상부 플레이트 및; 상기 상부 보빈틀 또는 하부 보빈틀 사이의 와이어 끼움홈에 설치되어 이 끼움홈을 통과하는 와이어에 텍스처링을 하는 다이아몬드 커터를 포함하는 것을 특징으로 하며, 이에 따라 와이어의 표면에 균일한 텍스처링이 이루어짐으로써, 와이어의 표면에 니켈이나 에폭시 등의 부착제와, 다이아몬드 등의 연마입자가 균일하게 코팅되는바, 단선의 우려가 불식되어 와이어의 소모량을 줄이면서도 절단량을 증가시킬 수 있고, 절단시간을 감소시킬 수 있게 되어 대구경의 잉곳도 용이하게 절단시킬 수 있게 되는 매우 유용한 효과가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020110042610A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：KR1020090099357

申请日：2009-10-19

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 조언정 ,  이원근 ,  배영제 ,  매용훈 ,  정용화 ,  전구식 ,  우원희 ,  김헌덕

IPC: B24D11/00 ,  B24D3/10 ,  B24D3/28

CPC classification number: B24D18/0009 ,  B24D3/28 ,  C09K3/1409 ,  H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a polishing pad with nano diamonds, a polishing pad manufactured thereby, and a polishing method using the polishing pad are provided to reduce the amount of polishing slurry because polishing particles and nano diamonds are mixed with polyurethane resin. CONSTITUTION: A method for manufacturing a polishing pad with nano diamonds is as follows. Polishing particles and nano diamonds are uniformly scattered and mixed with polyurethane resin. The mixed materials are injected into a mold and are molded in a specific shape. The molded products are dried in a drying machine. A polishing pad is manufactured by thinly slicing the dried products. The polishing surface of the polishing pad is uniformly trimmed by rapidly rotating a buff. The polishing pad is cut with a specific size.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有纳米金刚石的抛光垫的方法，由此制造的抛光垫和使用抛光垫的抛光方法，以减少由于抛光颗粒和纳米金刚石与聚氨酯树脂混合而造成的抛光浆料的量。 构成：用纳米金刚石制造抛光垫的方法如下。 抛光颗粒和纳米金刚石均匀分散并与聚氨酯树脂混合。 将混合的材料注入模具中并模制成特定形状。 模制产品在干燥机中干燥。 通过将干燥产品进行薄切片来制造抛光垫。 抛光垫的抛光表面通过快速旋转抛光机而被均匀地修整。 抛光垫用特定尺寸切割。

公开(公告)号：KR1020100128971A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：KR1020090047678

申请日：2009-05-29

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 조언정 ,  이원근 ,  배영제 ,  매용훈 ,  정용화 ,  전구식 ,  우원희 ,  김헌덕

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1409 ,  B24B23/02 ,  C01B32/25 ,  C01P2004/64

Abstract: PURPOSE: A polishing slurry is provided to minimally reduce surface roughness and to improve planarity and to reduce surface roughness of a wafer and plate in polishing. CONSTITUTION: A method for manufacturing a surface abrasive comprises a step of mixing 60~72 wt% colloidal silica(SiO2), 0.5~3 wt% diamond with nano diameter, and 27.5~37 wt% ethylene glycol. A polishing method using a surface abrasive including nanodiamond comprises the steps of: positioning object(S) on a polishing platen(10) and a polishing pad(15); and providing the abrasive on the polishing platen and the polishing pad, an rotating the polishing platen and the polishing pad to polish the object.

Abstract translation: 目的：提供抛光浆料以最小程度地降低表面粗糙度并改善平面度并降低抛光中晶片和板的表面粗糙度。 构成：用于制造表面磨料的方法包括将60〜72重量％的胶体二氧化硅（SiO 2），0.5〜3重量％的金刚石与纳米直径和27.5〜37重量％的乙二醇混合的工序。 使用包括纳米金刚石的表面磨料的抛光方法包括以下步骤：将物体（S）定位在研磨台板（10）和抛光垫（15）上; 以及在研磨台板和抛光垫上提供磨料，旋转研磨台板和抛光垫以抛光物体。

公开(公告)号：KR1020110123873A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：KR1020100043331

申请日：2010-05-10

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단 ,  (주)티피에스

Inventor： 조언정 ,  이원근 ,  김헌덕 ,  매용훈 ,  우원희 ,  윤애천

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/78

CPC classification number: B24B27/0633 ,  B28D5/045

Abstract: PURPOSE: A texturing apparatus of a wire for semiconductor material cutting is provided to prevent the occurrence of a disconnection by coating grinding particles in a state of forming texture on the wire. CONSTITUTION: The texturing apparatus of a wire comprises a base plate(20). Connection bolts are installed on the four corners of the base plate. A guide bar is installed on the four corners of the base plate in a vertical direction. A bottom plate(30) installed on the top of the base plate. A top bobbin frame(42) is pivotally installed on the top of the bottom plate. A top plate(40) is ascended and descended corresponding to the bottom plate. A bottom bobbin frame(32) is pivotally installed in the lower part of the top plate. A diamond cutter(60) is installed in a wire fitting groove. The diameter of the diamond cutter is 0.1-0.2mm.

Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体材料切割的导线的纹理装置，以防止在线上形成纹理的状态下通过涂覆研磨颗粒而发生断开。 构成：电线的纹理装置包括基板（20）。 连接螺栓安装在底板的四个角上。 导杆在垂直方向安装在底板的四个角上。 安装在基板顶部的底板（30）。 顶部骨架框架（42）枢转地安装在底板的顶部上。 顶板（40）对应于底板上升和下降。 底架（32）枢转地安装在顶板的下部。 金刚石切割器（60）安装在线材嵌合槽中。 金刚石刀具的直径为0.1-0.2mm。

公开(公告)号：KR1020100125746A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：KR1020090044594

申请日：2009-05-21

Applicant: (주)티피에스 ,  한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 조언정 ,  이원근 ,  배영제 ,  매용훈 ,  정용화 ,  전구식 ,  우원희

IPC: B21F17/00 ,  B21F19/00 ,  C09D133/08 ,  B26F3/00

CPC classification number: B21F19/00 ,  B05D3/061 ,  C09D133/08

Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a diamond wire for processing semiconductor materials and a diamond wire manufactured by the same are provided to minimize the contamination of materials due to slurry by employing a diamond wire in which diamond abrasive particles used in multi-wire saw cutting are attached to a wire. CONSTITUTION: A method of manufacturing a diamond wire for processing semiconductor materials comprises steps of: feeding a wire(S1), coating a UV hardener on the surface of a wire(S2), attaching diamond particles to the surface of the wire in which the UV hardener is spread(S3), and hardening the UV hardener(S5). The wire feed step includes a cleaning process for removing organic materials or other foreign substances from the surface of a wire, a heat treatment process for heat-treating the wire at 100°C-130°C, and a surface activation process for passing the wire through diluted acid solution of 5%-20%.

Abstract translation: 目的：提供一种制造用于处理半导体材料的金刚丝线和由其制造的金刚石线的方法，以通过使用金刚石线来最小化由于浆料而导致的材料的污染，其中用于多线锯切割的金刚石磨粒是 附在电线上。 构成：制造用于处理半导体材料的金刚丝线的方法包括以下步骤：馈送线（S1），在线表面上涂覆UV固化剂（S2），将金刚石颗粒附着到线的表面，其中 紫外线固化剂扩散（S3），硬化紫外线硬化剂（S5）。 送丝步骤包括从线材表面除去有机材料或其它异物的清洁工艺，用于在100℃-130℃下对线材进行热处理的热处理工艺和用于使线 电线通过稀酸溶液5％-20％。