-
公开(公告)号：KR101765111B1
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：KR1020167002460
申请日：2014-07-28
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/40 , H01L21/027 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0035 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2002 , G03F7/325 , G03F7/36 , H01L21/0273
摘要： (i) 기판상에, 하기공정 (i-1), 하기공정 (i-2) 및하기공정 (i-3)을이 순서로행하여, 제1 네거티브형패턴을형성하는공정, (i-1) 상기기판상에, 산의작용에의하여극성이증대되어유기용제를포함하는현상액에대한용해성이감소하는제1 수지를함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물 (1)을이용하여제1 막을형성하는공정 (i-2) 상기제1 막을노광하는공정 (i-3) 상기노광한제1 막을유기용제를포함하는현상액을이용하여현상하는공정 (iii) 상기기판의, 상기제1 네거티브형패턴의막부가형성되어있지않은영역에, 제2 수지를함유하는수지조성물 (2)를매설하여, 하층을형성하는공정, (iv) 상기하층상에, 산의작용에의하여극성이증대되어유기용제를포함하는현상액에대한용해성이감소하는제3 수지를함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물 (3)을이용하여상층을형성하는공정, (v) 상기상층을노광하는공정, (vi) 상기상층을유기용제를포함하는현상액을이용하여현상하고, 상기제1 네거티브형패턴의표면이이루는면상에, 제2 네거티브형패턴을형성하는공정, 및 (vii) 상기하층의일부를제거하는공정을이 순서로갖는패턴형성방법에의하여, 다양한형상의적층구조를갖는미세한(예를들면, 홀직경, 도트직경, 스페이스폭, 및라인폭등의치수가 500nm 이하인) 패턴을형성가능한패턴형성방법, 이것으로부터제조되는패턴, 및이들을이용한, 에칭방법, 전자디바이스의제조방법, 및전자디바이스를제공한다.
-
公开(公告)号：KR101662097B1
公开(公告)日：2016-10-04
申请号：KR1020167011905
申请日：2014-11-21
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , H01L21/0273
摘要： 패턴형성방법은, (1) 산의작용에의하여분해되어극성기를발생하는수지를함유하는제1 감활성광선성또는감방사선성수지조성물에의하여제1 감활성광선성또는감방사선성막을형성하는공정, (2) 상기제1 감활성광선성또는감방사선성막을노광하는공정, 3) 유기용제를포함하는현상액을이용하여상기제1 감활성광선성또는감방사선성막을현상하여, 제1 현상패턴을얻는공정, (4) 상기제1 현상패턴에대하여, 노광후의상기수지가갖는극성기와상호작용하는화합물을함유하는표면처리제를작용시키는공정, 및 (5) 알칼리현상액을이용하여상기제1 현상패턴을더 현상하여, 제2 현상패턴을얻는공정을이 순서로포함한다.
-
公开(公告)号：KR101426375B1
公开(公告)日：2014-08-05
申请号：KR1020120060891
申请日：2012-06-07
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/203 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/22 , G03F7/325 , G03F7/38 , G03F7/40 , Y10T428/24802
摘要： 본 발명의 패턴형성방법은 (1) 기판 상에 (A)레지스트막을 형성하는 공정, (2) 상기 레지스트막을 노광하여 제 1 라인군과 제 1 스페이스군이 교대로 배열된 제 1 라인 앤드 스페이스의 잠상을 형성하는 공정, (3) 상기 제 1 라인 앤드 스페이스의 잠상이 형성된 레지스트막에 대하여 제 1 가열처리를 행하는 공정, (4) 상기 제 1 가열처리가 행하여진 레지스트막을 노광하여 제 2 라인군과 제 2 스페이스군이 교대로 배열된 제 2 라인 앤드 스페이스의 잠상을 상기 제 2 라인 앤드 스페이스의 라인 방향이 상기 제 1 라인 앤드 스페이스의 잠상에 있어서의 라인 방향과 교차하도록 형성하는 공정, (5) 상기 제 2 라인 앤드 스페이스의 잠상이 형성된 레지스트막에 대하여 제 2 가열처리를 행하는 공정, 및 (6) 상기 제 2 가열처리가 행하여진 레지스트막을 유기용제를 포함하는 현상액을 이용하여 현상을 행하는 공정을 이 순서로 갖는 것을 특징으로 한다.
-
公开(公告)号：KR1020130002929A
公开(公告)日：2013-01-08
申请号：KR1020120060891
申请日：2012-06-07
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/203 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/22 , G03F7/325 , G03F7/38 , G03F7/40 , Y10T428/24802 , H01L21/0273
摘要： PURPOSE: A method for forming a pattern, a method for manufacturing an electronic device using the same, and the electronic device are provided to form a contact hole with an improved orthopedic property by developing a resist layer with organic developer after an exposure process and arranging a mask cross the line direction of a mask. CONSTITUTION: A resist layer(21) is formed on a substrate(10). A latent image of a first line end space is formed by exposing the resist layer. A first line group(21B) and a first space group(21A) are alternatively arranged in the first line end space. A first heat process is performed in the resist layer with the latent image of the first line end space. A latent image of a second line end space is formed by exposing the resist layer. A second line group and a second space group are alternatively arranged in the second line end space. A second heat process is performed in the resist layer with the latent image of the second line end space. [Reference numerals] (AA) First light exposure
摘要翻译： 目的：形成图案的方法，使用其的电子装置的制造方法以及电子装置，通过在曝光处理和显影处理之后通过用有机显影剂显影抗蚀剂层来形成具有改进的矫形性能的接触孔 掩模穿过掩模的线方向。 构成：在基板（10）上形成抗蚀剂层（21）。 通过使抗蚀剂层曝光来形成第一线端面空间的潜像。 交替地，第一线路组（21B）和第一空间群（21A）布置在第一线路端部空间中。 在第一线端空间的潜像中，在抗蚀剂层中进行第一加热处理。 通过使抗蚀剂层曝光来形成第二行末端空间的潜像。 第二线组和第二空间组交替地布置在第二线端空间中。 在第二线端空间的潜像的抗蚀剂层中进行第二加热处理。 （附图标记）（AA）第一曝光
-
公开(公告)号：KR101745488B1
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：KR1020167006366
申请日：2014-09-01
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
摘要： (1) 산의작용에의하여극성이증대되어유기용제를포함하는현상액에대한용해성이감소하는수지를함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물을이용하여, 막을형성하는공정, (2) 상기막을, 활성광선또는방사선에의하여노광하는공정, (3) 상기막을, 유기용제를포함하는현상액을이용하여현상하여피처리패턴을형성하는공정, 및 (4) 상기피처리패턴에대하여, 1급아미노기및 2급아미노기중 적어도어느하나를갖는화합물 (x)를포함하는처리제를작용시켜, 처리완료패턴을얻는공정을포함하는, 패턴형성방법에의하여, 패턴에처리제를작용시키는(이른바, 슈링크공정을실시하는) 것에의하여패턴의미세화를도모하는패턴형성방법에있어서, 상기패턴의미세화가우수한것에의하여, 초미세한스페이스폭(예를들면 60nm 이하)을갖는라인앤드스페이스패턴을확실히형성할수 있고, 또한, 그라인앤드스페이스패턴을, 슈링크공정이적용된후에있어서의러프니스성능이우수한상태에서형성가능한패턴형성방법및 그에이용되는처리제, 및상기패턴형성방법을사용하는전자디바이스의제조방법을제공한다.
-
公开(公告)号：KR1020160058962A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：KR1020167011905
申请日：2014-11-21
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , H01L21/0273 , G03F7/004 , G03F7/0382 , G03F7/7005
摘要： 패턴형성방법은, (1) 산의작용에의하여분해되어극성기를발생하는수지를함유하는제1 감활성광선성또는감방사선성수지조성물에의하여제1 감활성광선성또는감방사선성막을형성하는공정, (2) 상기제1 감활성광선성또는감방사선성막을노광하는공정, 3) 유기용제를포함하는현상액을이용하여상기제1 감활성광선성또는감방사선성막을현상하여, 제1 현상패턴을얻는공정, (4) 상기제1 현상패턴에대하여, 노광후의상기수지가갖는극성기와상호작용하는화합물을함유하는표면처리제를작용시키는공정, 및 (5) 알칼리현상액을이용하여상기제1 현상패턴을더 현상하여, 제2 현상패턴을얻는공정을이 순서로포함한다.
-
7.发明公开
公开(公告)号：KR1020160025610A
公开(公告)日：2016-03-08
申请号：KR1020167002460
申请日：2014-07-28
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/40 , H01L21/027 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0035 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2002 , G03F7/325 , G03F7/36 , H01L21/0273
摘要： (i) 기판상에, 하기공정 (i-1), 하기공정 (i-2) 및하기공정 (i-3)을이 순서로행하여, 제1 네거티브형패턴을형성하는공정, (i-1) 상기기판상에, 산의작용에의하여극성이증대되어유기용제를포함하는현상액에대한용해성이감소하는제1 수지를함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물 (1)을이용하여제1 막을형성하는공정 (i-2) 상기제1 막을노광하는공정 (i-3) 상기노광한제1 막을유기용제를포함하는현상액을이용하여현상하는공정 (iii) 상기기판의, 상기제1 네거티브형패턴의막부가형성되어있지않은영역에, 제2 수지를함유하는수지조성물 (2)를매설하여, 하층을형성하는공정, (iv) 상기하층상에, 산의작용에의하여극성이증대되어유기용제를포함하는현상액에대한용해성이감소하는제3 수지를함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물 (3)을이용하여상층을형성하는공정, (v) 상기상층을노광하는공정, (vi) 상기상층을유기용제를포함하는현상액을이용하여현상하고, 상기제1 네거티브형패턴의표면이이루는면상에, 제2 네거티브형패턴을형성하는공정, 및 (vii) 상기하층의일부를제거하는공정을이 순서로갖는패턴형성방법에의하여, 다양한형상의적층구조를갖는미세한(예를들면, 홀직경, 도트직경, 스페이스폭, 및라인폭등의치수가 500nm 이하인) 패턴을형성가능한패턴형성방법, 이것으로부터제조되는패턴, 및이들을이용한, 에칭방법, 전자디바이스의제조방법, 및전자디바이스를제공한다.
-
公开(公告)号：KR1020140045945A
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：KR1020137033478
申请日：2012-06-08
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 우에바료스케
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H05K3/0023 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/0757 , G03F7/11 , G03F7/203 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/70466 , H01L21/0274 , Y10T428/24273
摘要： 하기(1)~(6)을 순서대로 각각 포함하는 패턴 형성 공정을 갖는 기판에 홀 패턴을 형성하는 패턴 형성 방법.
(1) (A) 산의 작용에 의해 극성이 증대하여 유기용제 함유 현상액에 대한 용해도가 감소할 수 있는 수지 및 (B) 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생할 수 있는 화합물을 함유하는 화학증폭형 레지스트 조성물을 사용하여 기판 상에 레지스트 필름을 형성하는 공정;
(2) 상기 레지스트 필름을 노광하여 제 1 라인-앤드-스페이스 잠상을 형성하는 공정;
(3) 상기 레지스트 필름을 노광하여 제 2 라인-앤드-스페이스 잠상을 형성하는 공정;
(4) 유기용제 함유 현상액을 사용하여 상기 레지스트 필름을 현상해서 상기 레지스트 필름에 홀 패턴군을 형성하는 공정;
(5) 상기 레지스트 필름을 갖는 기판에 에칭 처리를 행하는 공정; 및
(6) 상기 레지스트 필름을 제거하는 공정을 공정-
公开(公告)号：KR101692807B1
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：KR1020167021234
申请日：2015-02-04
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/32 , H01L21/027 , H01L21/311 , G03F7/038
CPC分类号： G03F7/0035 , G03F7/0397 , G03F7/2053 , G03F7/325 , G03F7/40 , H01L21/0271 , H01L21/31144
摘要： 패턴형성방법은, (i) 기판상에, 하기공정 (i-1), 하기공정 (i-2) 및하기공정 (i-3)을이 순서로행하여, 제1 네거티브형패턴을형성하는공정, (i-1) 기판상에, 산의작용에의하여극성이증대되어유기용제를포함하는현상액에대한용해성이감소하는수지를함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물 (1)을이용하여제1 막을형성하는공정 (i-2) 제1 막을노광하는공정 (i-3) 노광한제1 막을, 유기용제를포함하는현상액을이용하여현상하여, 제1 네거티브형패턴을형성하는공정 (iii) 적어도제1 네거티브형패턴상에, 산의작용에의하여극성이증대되어유기용제를포함하는현상액에대한용해성이감소하는수지를함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물 (2)를이용하여제2 막을형성하는공정, (v) 제2 막을노광하는공정, 및 (vi) 노광한제2 막을, 유기용제를포함하는현상액을이용하여현상하여, 적어도제1 네거티브형패턴상에제2 네거티브형패턴을형성하는공정을 갖는다.
摘要翻译： 图案形成方法包括通过使用光化射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物在基板上形成第一膜的步骤（i-1）来在基板上形成第一负型图案的步骤（i），步骤 i-2），使第一膜和第（i-3）步曝光; 使用光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物（2）至少在第一负型图案上形成第二膜的步骤（iii）。 步骤（v）使第二膜曝光; 以及步骤（vi），使至少在第一负型图案上显影出曝光的第二膜并形成第二负型图案。
-
公开(公告)号：KR101674034B1
公开(公告)日：2016-11-08
申请号：KR1020147034985
申请日：2013-07-05
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/16 , G03F7/0035 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/30 , G03F7/325 , G03F7/38 , G03F7/40
摘要： 본발명의패턴형성방법은 (i) (A) 산의작용에의해극성이증가하여유기용제를포함하는현상액에대한용해성이감소될수 있는수지를포함하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물을이용하여제 1 필름을기판상에형성하는공정, (ii) 상기제 1 필름을노광하는공정, (iii) 상기노광된제 1 필름을유기용제를포함하는현상액을이용하여현상해서네거티브형패턴을형성하는공정, 및 (iv) 상기네거티브형패턴의주위를피복하도록상기기판상에제 2 필름을형성하는공정을포함한다.
摘要翻译： 本发明的图案形成方法包括：（i）使用光化射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物在基材上形成第一膜的步骤，所述光敏感或辐射敏感性树脂组合物包含能够通过酸的作用而提高极性的树脂（A） 以降低在包含有机溶剂的显影剂中的溶解度; （ii）曝光第一胶片的步骤; （iii）使用包含有机溶剂的显影剂显影所述曝光的第一膜以形成负色调图案的步骤; 以及（iv）在第二基板上形成第二膜以覆盖负色调图案的周边的步骤。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
16 条记录 (耗时 0.05 秒)
