公开(公告)号：KR20180025216A

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：KR20170107313

申请日：2017-08-24

申请人： ROHM & HAAS ELECT MATERIALS

发明人： EMAD AQAD ,  WILLIAM WILLIAMS III ,  CONG LIU

IPC分类号： G03F7/004 ,  C07C309/23 ,  C07D493/08 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C69/753 ,  C07C303/32 ,  C07C309/00 ,  C07C309/12 ,  C07C321/30 ,  C07C381/12 ,  C07C2102/42 ,  C07C2103/74 ,  C07C2602/42 ,  C07C2603/74 ,  C07D303/40 ,  C07D317/34 ,  C07D317/72 ,  C07D327/08 ,  C07D333/76 ,  C07D335/16 ,  C07D339/08 ,  C07D409/12 ,  C07D493/18 ,  C08F218/14 ,  C08F232/08 ,  G03F7/039 ,  G03F7/2053 ,  G03F7/30 ,  G03F7/322 ,  G03F7/38

摘要： 광산-발생화합물은하기구조를갖는다:식중, R, R, R, R, Q, 및 X는본 명세서에서정의된다. 상기광산-발생화합물은포토레지스트조성물의성분으로서, 또는포토레지스트조성물에서유용한폴리머에편입된모노머로서사용될수 있다. 상기광산-발생화합물은용해도와선폭조도의목적하는균형을제공한다.

摘要翻译： 其中R1，R2，R3，R4，Q和X如本文所定义。 产生光酸的化合物可以用作光致抗蚀剂组合物的组分，或者作为掺入可用于光致抗蚀剂组合物的聚合物中的单体使用。 产生光酸的化合物提供了溶解度和线宽粗糙度的所需平衡。

公开(公告)号：KR101834917B1

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：KR1020160117001

申请日：2016-09-12

申请人： 한국과학기술원

发明人： 양민양 ,  한규효

IPC分类号： G01N21/552 ,  G03F7/20 ,  G01N21/45

CPC分类号： G01N21/554 ,  G01N21/45 ,  G03F7/2053

摘要： 나노패턴제조방법을개시한다. 본실시예에의하면, 나노패턴제조방법에있어서, 기판상에유기금속화합물잉크층을형성하는과정; 상기유기금속화합물잉크층을반고상으로경화시키는과정; 상기반고상의유기금속화합물잉크층에 4-빔간섭리소그래피를이용하여상기기판상에수직으로교차하는레이저를조사하여패턴이형성될부분을국부적으로경화시켜패턴을형성하는과정; 및상기반고상의유기금속화합물잉크층을제거하여상기패턴을남기는과정을포함하는나노패턴제조방법을제공한다.

摘要翻译： 公开了一种纳米图案制造方法。 根据本实施例，提供了一种制造纳米图案的方法，包括：在基底上形成有机金属化合物油墨层; 将有机金属化合物油墨层固化成半固体相; 使用4光束干涉光刻将垂直交叉的激光照射到衬底上以在半透明衬底上形成有机金属化合物油墨层以通过局部固化待图案化的部分来形成图案; 并去除半绝缘层上的有机金属化合物油墨层以留下图案。

公开(公告)号：KR101755158B1

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：KR1020160069284

申请日：2016-06-03

申请人： 한국표준과학연구원

发明人： 이혁교 ,  김영광 ,  김영식 ,  양호순 ,  이윤우

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/80

CPC分类号： G03F1/80 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2053 ,  G03F7/70025 ,  G03F7/70275 ,  G03F7/70625

摘要： 본발명은듀얼라인생성이가능한레이저노광법, 노광장치, 그레이저노광법을이용한듀얼라인을갖는미세패턴제조방법및 제조장치에대한것이다. 보다상세하게는레이저노광법에있어서, 특정폭과, 특정광량을갖는레이저빔이기판상에코팅된감광막으로조사되는단계; 상기레이저빔이조사된부분의감광막이제거되는단계; 제거된감광막의주변양단부에상부로돌출된돌출단이형성되는단계; 양측의상기돌출단상부면각각에산화막이생성되는단계; 및상기감광막을에칭하여듀얼라인이생성되는단계를포함하는것을특징으로하는듀얼라인생성이가능한레이저노광법에관한것이다.

摘要翻译： 本发明涉及能够产生双线的激光曝光方法，曝光装置，使用该激光曝光方法的具有双线的精细图案的制造方法以及制造装置。 更具体地说，本发明涉及一种激光束曝光方法，包括：用具有特定宽度和特定光量的激光束照射涂覆在板上的光敏膜; 去除激光束照射部分的光刻胶层; 形成从去除的光刻胶周边的两个周边部分向上突出的突出端; 在两侧的每个突出的单侧面上形成氧化膜; 并且通过蚀刻光刻胶层形成双线。本发明涉及一种能够产生双线的激光曝光方法。

公开(公告)号：KR1020160144923A

公开(公告)日：2016-12-19

申请号：KR1020160071027

申请日：2016-06-08

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 하타케야마준 ,  아다치뎁페이

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/004 ,  G03F7/32 ,  G03F7/16 ,  G03F7/039

CPC分类号： G03F7/38 ,  B05D1/005 ,  B05D3/007 ,  B05D3/0433 ,  C08F220/22 ,  C08F220/24 ,  C08F220/26 ,  C08F220/38 ,  C08L33/16 ,  C08L2205/025 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/26 ,  G03F7/32 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3081 ,  G03F7/2055 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/2053 ,  G03F7/70033

摘要： [과제] 액침리소그래피에있어서레지스트막표면의활수성을한층더 높여, 패턴형성후의엣지러프니스(LWR)를작게할 수있고, 또, EB 또는 EUV 리소그래피에있어서는아웃가스의발생을억제하여, LWR을작게할 수있는패턴형성방법을제공한다. [해결수단] 불소원자함유폴리머, 산에의해서알칼리용해성이향상되거나또는저하하는베이스수지, 산발생제및 유기용제를포함하는레지스트조성물을도포하는공정, 대기압하의비점이 60∼250℃인용제분위기하에서 50∼300℃의온도에서베이크하는공정, 노광하는공정및 현상하는공정을포함하는패턴형성방법.

摘要翻译： 通过涂布含有含氟聚合物，基础树脂，酸产生剂和有机溶剂的抗蚀剂组合物形成图案，在50-300℃下，在沸点为 60-250摄氏度，暴露和发育。 在浸渍光刻中，抗蚀剂膜的防水性和水滑动性得到改善，图案形成后的LWR降低。 在EB或EUV光刻中，除气被抑制，LWR降低。

公开(公告)号：KR1020160106687A

公开(公告)日：2016-09-12

申请号：KR1020167021531

申请日：2015-02-09

申请人： 후지필름 가부시키가이샤

发明人： 고토아키요시 ,  코지마마사후미 ,  시라카와미치히로 ,  카토케이타

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  C08F220/18 ,  G03F7/32 ,  G03F7/42 ,  G03F7/11 ,  G03F7/075

CPC分类号： G03F7/038 ,  C08F220/18 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2053 ,  G03F7/325 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/32

摘要： 본발명은, 포커스허용도가크고, 또한현상성이우수한감활성광선성또는감방사선성수지조성물, 상기조성물을이용한패턴형성방법, 전자디바이스의제조방법, 및전자디바이스를제공한다. 본발명의감활성광선성또는감방사선성수지조성물은, 하기일반식 (1)로나타나는기를갖는반복단위 (i)을포함하는수지 (P), 및특정식으로나타나는활성광선또는방사선의조사에의하여산을발생하는화합물을함유한다.

摘要翻译： 本发明提供具有高的聚焦耐受性和优异的显影性的敏化活性放射线或放射线敏感性树脂组合物，使用该组合物的图案形成方法，电子器件制造方法和电子器件。 本发明的敏感性活性或放射线敏感性树脂组合物含有含有具有下述通式（1）表示的基团的重复单元（i）的树脂（P）和树脂 含有产生酸的化合物。

公开(公告)号：KR1020160101931A

公开(公告)日：2016-08-26

申请号：KR1020167016529

申请日：2014-12-22

申请人： 히타치가세이가부시끼가이샤

发明人： 오카데쇼타 ,  미야사카마사히로 ,  무라마츠유키코

IPC分类号： G03F7/033 ,  G03F7/028 ,  G03F7/20 ,  H05K3/06 ,  H05K3/18

CPC分类号： H05K3/0023 ,  C23C18/1633 ,  C25D3/12 ,  C25D3/38 ,  C25D3/48 ,  C25D5/022 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12 ,  G03F7/027 ,  G03F7/033 ,  G03F7/2053 ,  G03F7/322 ,  G03F7/38 ,  H05K3/064 ,  H05K3/108 ,  H05K3/184 ,  G03F7/028 ,  G03F7/2055 ,  G03F7/70575 ,  H05K3/061 ,  H05K3/18

摘要： 감광성수지조성물은, 바인더폴리머와, 광중합성화합물과, 광중합개시제를함유한다. 바인더폴리머는, (메타)아크릴산에서유래하는구조단위, 스티렌또는α-메틸스티렌에서유래하는구조단위, 및탄소수가 1∼12인하이드록시알킬기를가지는 (메타)아크릴산하이드록시알킬에스테르에서유래하는구조단위를가진다. 광중합성화합물은, 에틸렌옥시기의구조단위수가 1∼20이며, 프로필렌옥시기의구조단위수가 0∼7인비스페놀형디(메타)아크릴레이트를포함한다.

公开(公告)号：KR1020160060035A

公开(公告)日：2016-05-27

申请号：KR1020167005611

申请日：2014-09-22

申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤

发明人： 니시타,토키오 ,  오니시,류지 ,  후지타니,노리아키 ,  사카모토,리키마루

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/004 ,  G03F7/09 ,  C08G59/42

CPC分类号： G03F7/11 ,  C08G59/245 ,  C08G59/26 ,  C08G59/308 ,  C08G59/42 ,  C09D167/00 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/2053 ,  G03F7/2059 ,  G03F7/32 ,  H01L21/0276

摘要： [과제] 신규의리소그래피용레지스트하층막형성조성물을제공한다. [해결수단] 하기식(1)로표시되는구조를폴리머쇄의말단에갖는폴리머, 가교제, 가교반응을촉진시키는화합물및 유기용매를포함하는리소그래피용레지스트하층막형성조성물. [화학식 1](식중, R, R및 R은각각독립적으로수소원자, 탄소원자수 1 내지 13의직쇄상혹은분지쇄상의알킬기, 할로게노기또는하이드록시기를나타내고, 상기 R, R및 R중적어도 1개는상기알킬기를나타내고, Ar은벤젠환, 나프탈렌환또는안트라센환을나타내고, 2개의카르보닐기는각각상기 Ar로나타내는환의인접하는 2개의탄소원자와결합하는것이며, X는탄소원자수 1 내지 3의알콕시기를치환기로서가질수도있는탄소원자수 1 내지 6의직쇄상또는분지쇄상의알킬기를나타낸다.)

摘要翻译： 用于光刻的新型抗蚀剂下层膜形成组合物包括：在聚合物链的末端具有式（1）结构的聚合物; 交联剂; 促进交联反应的化合物; 和有机溶剂（其中R 1，R 2和R 3各自独立地为氢原子，直链或支链C 1-13烷基，卤代基或羟基; R 1，R 2和R 3中的至少一个为 烷基; Ar是苯环，萘环或蒽环;两个羰基与Ar的两个相邻碳原子键合; X是任选具有C1- 3烷氧基作为取代基）。

公开(公告)号：KR101617169B1

公开(公告)日：2016-05-03

申请号：KR1020150101689

申请日：2015-07-17

申请人： 영창케미칼 주식회사

发明人： 이승훈 ,  이승현 ,  윤상웅 ,  함경국

IPC分类号： C11D7/26 ,  C11D7/50 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/405 ,  C11D1/72 ,  C11D1/722 ,  C11D3/30 ,  C11D3/43 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/2053 ,  G03F7/32 ,  H01L21/0274

摘要： 본발명은포토리소그래피용세정액조성물및 이를이용한포토레지스트패턴의형성방법에관한것으로, 더욱상세하게는종횡비가높은포토레지스트의패턴형성에필요한세정액조성물및 이를이용한포토레지스트패턴의형성방법에관한것이다. 본발명의포토리소그래피용세정액조성물은하기화학식 1로표시되는화합물및 물을포함한다. [화학식 1]상기식에서, R은 H 또는 OH이고, x는 1 내지 100 중에서선택되는정수이고, y는 0 내지 100 중에서선택되는정수이고, z는 0 내지 100 중에서선택되는정수이다. 본발명의포토리소그래피용세정액조성물은, 다양한광원을이용한패턴형성에도움을줄 수있으며, 특히포토레지스트단독으로원하는수준의미세패턴을구현하기힘든공정에서도미세패턴을구현할수 있을뿐만아니라생산비용을절감할수 있다.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于光刻的清洗液组合物; 以及使用其的光致抗蚀剂图案的形成方法，更具体地，涉及形成具有高纵横比的光致抗蚀剂图案所需的清洁溶液组合物; 以及使用其的光致抗蚀剂图案的形成方法。 本发明的光刻用清洗液组合物含有化学式1表示的化合物和水。 在化学式1中，R为H或OH; x是选自1至100的整数; y是选自0至100的整数; z为0〜100的整数。本发明的光刻用清洗液组合物可以促进使用各种光源的图案形成。 特别是，即使在单一光致抗蚀剂几乎不能以优选的水平形成微图案的过程中，清洁液组合物也可以形成微图案，并且还可以降低生产成本。

公开(公告)号：KR101395294B1

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：KR1020120142153

申请日：2012-12-07

申请人： 한국생산기술연구원

发明人： 김종석 ,  이성호 ,  정일규 ,  강경태 ,  김형태

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01L21/0275 ,  G03F7/202 ,  G03F7/2053 ,  G03F7/70025

摘要： The present invention relates to a laser interference lithography device wherein the device comprises a reflection mirror for reflecting laser outputted from a laser light source into a particular direction; a space filter for diffusing the light reflected from the reflected mirror; a tilting mirror part for forming interference fringes on a substrate by reflecting the light diffused through the space filter at three mirrors disposed at particular angles; and a moving stage for controlling the incidence angle of light coming into the substrate by settling the substrate and moving into particular direction. A two-dimensional pattern can be formed at the substrate by disposing the three tilting mirrors at the upper end of the substrate and controlling the angle of the three tilting mirrors and the moving stage.

摘要翻译： 激光干涉光刻装置技术领域本发明涉及激光干涉光刻装置，其中装置包括反射镜，用于将从激光光源输出的激光反射到特定方向; 用于使从反射镜反射的光扩散的空间滤光器; 倾斜镜部分，用于通过将通过空间滤光器扩散的光反射在以特定角度设置的三个反射镜处，在基底上形成干涉条纹; 以及用于通过使基板沉降并移动到特定方向来控制进入基板的光的入射角的移动台。 通过将三个倾斜镜设置在基板的上端并控制三个倾斜镜和移动台的角度，可以在基板上形成二维图案。

公开(公告)号：KR1020130132782A

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：KR1020137010863

申请日：2011-10-18

申请人： 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈

发明人： 델르올리비에 ,  퓌지에파스깔 ,  테비조에

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC分类号： B23K26/02 ,  B41J2/442 ,  B41J2/465 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2053 ,  G03F7/70383 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0275 ,  H01L21/0274

摘要： 본 발명의 일반적 분야는, 하나 이상의 평평한 감광성 층들을 포함하는 평평한 기판 (1) 상에, 리프트-오프 기법을 이용하여, 전자 컴포넌트들을 제조하도록 의도된 포토리소그래피 시스템들의 분야이다. 본 발명에 따른 시스템은 레이저 직접 기록 시스템이다. 이 시스템은, 상기 감광성 층들 내에 오목형 (re-entrant) 프로파일들을 생성하기 위해 광학 빔 (F) 의 유용한 부분이 감광성 층들의 평면에 대해 기울어져 있도록 배치된 광학적 또는 기계적 수단을 포함하고, 광학 빔의 유용한 부분은 상기 프로파일들을 생성하는데 실제로 기여하는 광학 빔의 부분이다. 본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 이 시스템은 광학 빔을 부분적으로 차폐하기 위한 수단 (50) 을 포함하고, 상기 수단은 포커싱 광학기 (23) 의 근방에 위치된다.

摘要翻译： 在设计用于使用在包括一个或多个平面感光层的平面基板上使用称为“剥离”的技术来生产电子部件的光刻系统领域中，系统使用激光直写技术。 其包括光学或机械装置，其被配置为使得光束的有用部分在感光层的平面上倾斜，以便在所述层内产生具有倒置斜率的轮廓，光束的有用部分是 光束有效地用于创建所述轮廓。 在一个优选实施例中，该系统包括用于部分快门位于聚焦光学器件附近的光束的装置。