2-아미노 치환 벤즈알데히드 화합물을 제조하는 방법
    3.
    发明公开
    2-아미노 치환 벤즈알데히드 화합물을 제조하는 방법 审中-实审
    2-生产2-氨基取代的苯甲醛化合物的方法

    公开(公告)号:KR1020170023158A

    公开(公告)日:2017-03-02

    申请号:KR1020177002258

    申请日:2015-08-25

    Abstract: 본발명에의해, 할로게노기또는알콕시기가 3 위치에결합하고, 수소원자가 2 위치에결합하고, 또한리튬화반응이 2 위치에서가장활성이되도록, 수소원자, 알킬기, 할로게노기, 알콕시기혹은시아노기가 4 위치, 5 위치및 6 위치에각각독립적으로결합하고있는벤즈알데히드를준비하고, 그벤즈알데히드중의포르밀기를아세탈보호하고, 2 위치를순차리튬화, 아지화및 아미노화하고, 이어서, 아세탈탈보호하는것을포함하는, 아미노기가 2 위치에결합하고, 할로게노기또는알콕시기가 3 위치에결합하고또한수소원자, 알킬기, 할로게노기, 알콕시기혹은시아노기가 4 위치, 5 위치및 6 위치에각각독립적으로결합하고있는벤즈알데히드를제조하는방법이제공된다.

    Abstract translation: 本发明提供一种苯甲醛的制造方法,其中氨基在2位上键合,卤代基或烷氧基键合在3位,氢原子,烷基,卤代基, 烷氧基或氰基分别独立地键合在4,5,6个位置,该方法包括:制备其中在3位上键合有卤代基或烷氧基的苯甲醛,氢原子键合 在2位,氢原子,烷基,卤代基,烷氧基或氰基在4,5,6位中分别独立地键合,使得锂化反应在 2位; 在苯甲醛中缩醛保护甲酰基; 依次执行2位的锂化,叠氮化和胺化; 然后进行缩醛脱保护。

    항비루스성 화합물의 제조방법
    8.
    发明授权
    항비루스성 화합물의 제조방법 失效
    制备抗病毒化合物的方法

    公开(公告)号:KR1019880002276B1

    公开(公告)日:1988-10-21

    申请号:KR1019820003589

    申请日:1982-08-10

    CPC classification number: C07D473/00 C07D317/16 C07D317/24 C07D319/06

    Abstract: Title compds. (I)[R=OH, amino; X=O,S!, useful as an antiviral agent, are prepd. by deblocking of the compds. (II) [W, W'=H, blocking group; Y=H, blocking group; Z= -OY, -NHY!. Thus, 600 l calf intestinal mucosa adenosin deaminase in (NH4)2SO4 is added to 0.5 g 2,6-diamino-9-[(2-hydroxy-1-hydroxymethylethoxy)methyl! purine in 10 ml H2O to give 9-[(2-hydroxy-1-hydroxymethyl ethoxy) methyl guanine.

    Abstract translation: 标题compds (I)[R = OH,氨基; 用作抗病毒剂的X = O,S!是制备的。 通过解散compds。 (II)[W,W'= H,封闭基团; Y = H,封端基; Z = -OY,-NHY! 因此,将(NH 4)2 SO 4中的600μl小牛肠粘膜腺苷脱氨酶加入到0.5g 2,6-二氨基-9 - [(2-羟基-1-羟甲基乙氧基)甲基] 嘌呤在10ml H 2 O中的溶液,得到9 - [(2-羟基-1-羟甲基乙氧基)甲基鸟嘌呤。

    2-아미노 치환 벤즈알데히드 화합물을 제조하는 방법

    公开(公告)号:KR101879143B1

    公开(公告)日:2018-07-16

    申请号:KR1020177002258

    申请日:2015-08-25

    Abstract: 본발명에의해, 할로게노기또는알콕시기가 3 위치에결합하고, 수소원자가 2 위치에결합하고, 또한리튬화반응이 2 위치에서가장활성이되도록, 수소원자, 알킬기, 할로게노기, 알콕시기혹은시아노기가 4 위치, 5 위치및 6 위치에각각독립적으로결합하고있는벤즈알데히드를준비하고, 그벤즈알데히드중의포르밀기를아세탈보호하고, 2 위치를순차리튬화, 아지화및 아미노화하고, 이어서, 아세탈탈보호하는것을포함하는, 아미노기가 2 위치에결합하고, 할로게노기또는알콕시기가 3 위치에결합하고또한수소원자, 알킬기, 할로게노기, 알콕시기혹은시아노기가 4 위치, 5 위치및 6 위치에각각독립적으로결합하고있는벤즈알데히드를제조하는방법이제공된다.

    염 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물
    10.
    发明公开
    염 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물 有权
    含有它的盐和光催化剂组合物

    公开(公告)号:KR1020100133900A

    公开(公告)日:2010-12-22

    申请号:KR1020100054461

    申请日:2010-06-09

    Abstract: PURPOSE: A salt which is used in a photoacid generator and a photoresist composition containing the same with excellent decomposition ability and LER(line edge roughness) are provided. CONSTITUTION: A salt which is used in a photoacid generator has a group of chemical formula I. A photoresist composition contains the salt and resin containing a structure unit which is soluble in alkali solution by acidic action. The photoresist composition further contains basic compound. A method for preparing the photoresist pattern comprises: a step of applying the photoresist composition on a substrate; a step of drying to form photoresist film; a step of exposing the photoresist film to radiation; a step of baking the photoresist film; and a step of developing the photoreist film using an alkaline developer.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于光致酸发生剂的盐和含有其的具有优异的分解能力和LER(线条粗糙度)的光致抗蚀剂组合物。 构成:用于光酸产生剂的盐具有化学式I的组。光致抗蚀剂组合物含有含有通过酸性作用可溶于碱溶液的结构单元的盐和树脂。 光致抗蚀剂组合物还含有碱性化合物。 制备光致抗蚀剂图案的方法包括:将光致抗蚀剂组合物施加到基底上的步骤; 干燥以形成光致抗蚀剂膜的步骤; 将光致抗蚀剂膜暴露于辐射的步骤; 烘烤光刻胶膜的步骤; 以及使用碱性显影剂开发光致薄膜的步骤。

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