公开(公告)号：KR101750733B1

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：KR1020167027529

申请日：2015-02-27

申请人： 가부시키가이샤 씽크. 라보라토리

发明人： 시게타,타츠오

IPC分类号： C23F1/08 ,  C23F1/20 ,  B41C1/18 ,  B41N1/20

CPC分类号： B41C1/188 ,  B41C1/18 ,  B41N1/20 ,  C23F1/08 ,  C23F1/20

摘要： 부식이종래보다균일하게되고, 또한부식액공급관내의잔류부식액이흘러내리는문제도해소할수 있도록한 실린더용부식장치를제공한다. 처리탱크와척 수단과적어도한가지의부식액공급관과상기부식액공급관에병렬하게되고, 상기부식액공급관에서부식액을토출하기위한복수의토출노즐을포함하고, 상기부식액공급관의내부를지나토출노즐에서배출된상기부식액을상기피 처리실린더의표면에대고상기피 처리실린더의표면에부식을행하도록한 실린더용부식장치로서, 상기토출노즐을수평방향에대해서상향경사방향으로하고, 상기토출노즐의토출방향이상기피 처리실린더의하향경사방향에서상기피 처리실린더의회전중심을바라보게하고, 상기토출노즐이상기피 처리실린더의표면에대하여근접격리가능하게설치되도록했다.

摘要翻译： 本发明提供了一种比腐蚀裂纹更均匀，能够解决腐蚀液供应管中残留的腐蚀性液体流下的问题的气缸腐蚀装置。 与所述处理槽和所述至少一个卡盘装置被并置在蚀刻液供给管和所述蚀刻剂进料管，用于从该蚀刻剂供给管喷射蚀刻液的多个喷出喷嘴，和过去的从排出喷嘴排出的蚀刻液供应管的内部中的 蚀刻剂作为对表面侵蚀用于气缸一个，以实现所述目标缸的目标液压缸单元，向上倾斜的方向相对于在水平方向上输送喷嘴的表面上的腐蚀，并避免过放电方向的上述喷出喷嘴 在处理的下坡方向圆筒中，它必须安装特写，分离的相对于在旋转中心锯的表面，并且避免至少所述处理筒目标气缸的排出喷嘴。

公开(公告)号：KR101226803B1

公开(公告)日：2013-01-25

申请号：KR1020097003100

申请日：2008-07-16

申请人： 하야시 퓨어 케미칼 가부시키가이샤 ,  산요덴키가부시키가이샤 ,  산요 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 ,  산요 한도타이 세이조우 가부시키가이샤

发明人： 타고츠구히로 ,  마츠다토모타케 ,  키무라마유미 ,  아오야마테츠오

IPC分类号： C09K13/06

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C23F1/20 ,  H01L21/32139

摘要： 알루미늄막이나 알루미늄 합금막 등의 금속막을 제어성 좋고, 또한, 레지스트 스며듬의 발생을 억제, 방지하면서 에칭하여, 의도하는 테이퍼 형상과, 우수한 평탄성을 갖는 금속막을 얻을 수 있도록 한다. 인산, 질산, 유기산염을 함유하는 수용액을, 기판상의 금속막을 에칭하기 위한 에칭액 조성물로서 사용한다. 상기 유기산염으로서, 지방족 모노카르본산, 지방족 폴리카르본산, 지방족 옥시카르본산, 방향족 모노카르본산, 방향족 폴리카르본산, 방향족 옥시카르본산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의, 암모늄염, 아민염, 제 4급 암모늄염, 알칼리금속염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 사용한다. 또한, 상기 유기산염의 농도를, 0.1 내지 20중량%의 범위로 한다. 또한, 본 발명의 에칭액 조성물을, 상기 금속막이 알루미늄 또는 알루미늄 합금인 경우에 사용한다.

公开(公告)号：KR1020110053978A

公开(公告)日：2011-05-24

申请号：KR1020117004656

申请日：2009-08-26

申请人： 이데미쓰 고산 가부시키가이샤

发明人： 야노고키 ,  가와시마히로카즈 ,  이노우에가즈요시

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： C23C14/3407 ,  C22C30/04 ,  C22C30/06 ,  C23C14/165 ,  C23F1/20 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66742

摘要： 기판 상에, 적어도 게이트 전극과, 게이트 절연막과, 반도체층과, 반도체층의 보호층과, 소스 전극과, 드레인 전극을 갖고, 소스 전극과 드레인 전극이 반도체층을 통해 접속되어 있고, 게이트 전극과 반도체층 사이에 게이트 절연막이 있고, 반도체층의 적어도 일면측에 보호층을 갖고, 반도체층이 In 원자, Sn 원자 및 Zn 원자를 포함하는 산화물이고, Zn/(In+Sn+Zn)으로 표시되는 원자 조성 비율이 25원자% 이상 75원자% 이하이고, Sn/(In+Sn+Zn)으로 표시되는 원자 조성 비율이 50원자% 미만인 것을 특징으로 하는 전계 효과형 트랜지스터.

公开(公告)号：KR1020110049671A

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：KR1020100097748

申请日：2010-10-07

申请人： 동우 화인켐 주식회사 ,  삼성디스플레이 주식회사

发明人： 신혜라 ,  유인호 ,  권오병 ,  이유진

IPC分类号： C09K13/08 ,  C23F1/20 ,  C23F1/30 ,  H01L21/306

CPC分类号： C09K13/08 ,  C23F1/20 ,  C23F1/30 ,  H01L21/30604

摘要： PURPOSE: An etchant composition is provided to simplify an etching process and to improve productivity by simultaneously etching a triplet film. CONSTITUTION: An etchant composition for etching a triple film is constituted by an indium-based metal film, an aluminum-based metal film, and a titanium-based or molybdenum-based metal film, wherein the etchant composition comprises: 0.1 wt % to 10 wt % of a ferrous compound; 0.1 wt % to 10 wt % of nitric acid; 0.01 wt % to 5 wt % of a fluorine compound; with the remainder being water, and further comprises 0.1 wt % to 5 wt % of a phosphate compound.

摘要翻译： 目的：提供蚀刻剂组合物以简化蚀刻工艺并通过同时蚀刻三重态膜来提高生产率。 构成：用于蚀刻三层膜的蚀刻剂组合物由铟基金属膜，铝基金属膜和钛基或钼基金属膜构成，其中蚀刻剂组合物包含：0.1重量％至10重量％ 重量％的亚铁化合物; 0.1重量％至10重量％的硝酸; 0.01重量％〜5重量％的氟化合物; 剩余部分为水，还含有0.1重量％〜5重量％的磷酸酯化合物。

公开(公告)号：KR100944300B1

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：KR1020047005396

申请日：2002-10-21

申请人： 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤

发明人： 난바사토시 ,  아베히사키

IPC分类号： H01L21/3063

CPC分类号： C23F1/20 ,  C23F1/26

摘要： An etching method which comprises contacting a laminate film comprising at least one aluminum based metal film and at least one molybdenum based high melting point metal film with a wet etching solution comprising an aqueous solution containing phosphoric acid, nitric acid, an organic acid and a cation-generating component, while maintaining the water content of the etching solution in a range of 10 to 30 wt %. The method allows the laminate film to be etched so as to have a good normal taper form.

公开(公告)号：KR1020090095181A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：KR1020080020352

申请日：2008-03-05

申请人： 삼성디스플레이 주식회사 ,  솔브레인 주식회사

发明人： 김봉균 ,  박홍식 ,  정종현 ,  홍선영 ,  이지선 ,  이병진 ,  백귀종 ,  이태형 ,  송용성

IPC分类号： C23F1/16

CPC分类号： C09K13/06 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  C23F1/16 ,  C23F1/02 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  H01L21/302

摘要： An etchant composite for forming a metal wiring and a method for patterning a conductive film and for manufacturing a flat panel display using the etchant composite are provided to extend the lifetime of etchant by lowering the vocalization of the oxidizer. A manufacturing method of a flat panel display using the etchant composite for forming a metal wiring comprises a substrate(100). A gate wiring and a gate electrode(110) are formed by forming a first conductive film on the substrate and patterning. A semiconductor layer is formed on the top of the substrate in which the gate wiring is formed. After forming a second conductive film on the semiconductor layer and patterning, and then a source electrode(140a) and a drain electrode(140b) are formed. A protective layer(150) has a contact hole(CNT) exposing one part of the drain electrode is built up. A third conductive film is electrically connected with the drain electrode through a contact hole and located on the protective layer. The third conductive film is patterned to form a pixel electrode(160).

摘要翻译： 提供用于形成金属布线的蚀刻剂复合材料和用于图案化导电膜并用于使用蚀刻剂复合材料制造平板显示器的方法，以通过降低氧化剂的发声来延长蚀刻剂的使用寿命。 使用蚀刻剂复合材料形成金属布线的平板显示器的制造方法包括基板（100）。 通过在衬底上形成第一导电膜并进行构图，形成栅极布线和栅电极（110）。 在形成栅极布线的基板的顶部上形成半导体层。 在半导体层上形成第二导电膜并构图后，形成源电极（140a）和漏电极（140b）。 保护层（150）具有暴露一部分漏电极的接触孔（CNT）。 第三导电膜通过接触孔与漏极电连接并位于保护层上。 图案化第三导电膜以形成像素电极（160）。

公开(公告)号：KR100759153B1

公开(公告)日：2007-09-14

申请号：KR1020050013635

申请日：2005-02-18

申请人： 샤프 가부시키가이샤

发明人： 이시즈까가즈히로 ,  후지까와다까시 ,  사까이다께히꼬

IPC分类号： G02F1/136

CPC分类号： G02F1/133555 ,  C23F1/02 ,  C23F1/16 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136227 ,  Y10S438/978 ,  Y10T428/10 ,  Y10T428/1055 ,  Y10T428/1064

摘要： 본 발명은, 제 1 금속도전막과, 이 제 1 금속도전막보다 에칭속도가 느린 제 2 금속도전막이 차례로 적층된 적층도전막을 패터닝하여 반사전극을 형성할 때, 제 2 금속도전막의 단부 박리에 의한 제조수율의 저하를 억제할 수 있는 액정표시장치의 제조방법을 제공하는 것이다.
기판에 복수의 화소가 매트릭스상으로 배치되고, 그 각 화소에는 반사전극(6)이 배설된 액티브매트릭스기판을 갖는 액정표시장치의 제조방법으로서, 기판 상에 금속도전막(6a') 및 비정질 투명도전막(6b')을 차례로 성막시켜 적층도전막(6')을 형성하는 적층도전막 형성공정과, 적층도전막(6')을 패터닝하여 반사전극(6)을 형성하는 반사전극 형성공정을 구비하며, 이 반사전극 형성공정은 금속도전막(6a') 및 비정질 투명도전막(6b')을 동시에 에칭하는 제 1 에칭공정과, 비정질 투명도전막(6b')만을 에칭하는 제 2 에칭공정을 포함한다.
금속도전막, 적층도전막, 반사전극, 액티브매트릭스기판, 투명도전막, 화소, 비정질 투명도전막

公开(公告)号：KR1020070000850A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：KR1020050056493

申请日：2005-06-28

申请人： 엘지디스플레이 주식회사 ,  주식회사 동진쎄미켐

发明人： 송계찬 ,  김종일 ,  이경묵 ,  조삼영 ,  신현철 ,  김남서

IPC分类号： C09K13/04

CPC分类号： C23F1/16 ,  C09K13/06 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  G02F1/13439 ,  G02F2001/136295

摘要： Provided are an etchant for etching aluminum, molybdenum and indium tin oxide(ITO), and a method for preparing an array substrate for an LCD device by using the etchant in each mask process to reduce a manufacturing cost and to improve productivity. The etchant comprises 40-70 wt% of phosphoric acid; 3-15 wt% of nitric acid; 5-35 wt% of acetic acid; 0.05-5 wt% of a chlorine-based compound; 0.01-5 wt% of a chlorine stabilizer; 0.01-5 wt% of a pH stabilizer; and the balance of water. Preferably the chlorine-based compound can be dissociated into Cl^-; the chlorine stabilizer comprises a Zn-based compound, a Cd-based compound, a Pb-based compound, a Ba-based compound and oleic acid; and the pH stabilizer can be dissociated into OH^-.

摘要翻译： 提供了用于蚀刻铝，钼和氧化铟锡（ITO）的蚀刻剂，以及通过在每个掩模工艺中使用蚀刻剂来制备用于LCD装置的阵列基板的方法，以降低制造成本并提高生产率。 蚀刻剂包括40-70重量％的磷酸; 3-15重量％的硝酸; 5-35重量％的乙酸; 0.05〜5重量％的氯系化合物; 0.01-5重量％的氯稳定剂; 0.01-5重量％的pH稳定剂; 和水的平衡。 优选地，氯基化合物可以分解成Cl - ; 氯稳定剂包括Zn基化合物，Cd基化合物，Pb基化合物，Ba基化合物和油酸; 并且pH稳定剂可以分解成OH - 。

公开(公告)号：KR1020060123897A

公开(公告)日：2006-12-05

申请号：KR1020050045543

申请日：2005-05-30

申请人： 장관섭 ,  장도섭

发明人： 장관섭 ,  장도섭

IPC分类号： C23F1/20 ,  C25D11/16

CPC分类号： C23F1/20 ,  C25D11/16

摘要： A chemical polishing method for aluminum is provided to reduce costs and eliminate the necessity of discarding old stock solution. A chemical polishing method for aluminum performs chemical polishing at the temperature of 100 to 140 Deg.C for 1 to 5 minutes by using a chemical polishing agent containing H3PO4 50 to 70 wt%, H2SO4 20 to 40 wt%, HNO3 5 to 15 wt%, glycerin as a brightening agent 0.01 to 0.05 wt%, and CuNO3 0.005 to 1 wt%. H3PO4 and H2SO4 are injected first, and temperature is raised. When the temperature reaches 129 Deg.C, the chemical polishing agent is injected.

摘要翻译： 提供铝的化学抛光方法以降低成本并消除丢弃旧原液的必要性。 铝的化学抛光方法使用含有H 3 PO 4的化学抛光剂50〜70重量％，H 2 SO 4 20〜40重量％，HNO 3 5〜15重量％，在100〜140℃的温度下进行1〜5分钟的化学研磨。 ％，作为增白剂的甘油为0.01〜0.05重量％，CuNO 3为0.005〜1重量％。 首先注入H 3 PO 4和H 2 SO 4，升温。 当温度达到129摄氏度时，注入化学抛光剂。

公开(公告)号：KR1020060094487A

公开(公告)日：2006-08-29

申请号：KR1020060017848

申请日：2006-02-23

申请人： 간또 가가꾸 가부시끼가이샤

发明人： 시미즈토시카즈

IPC分类号： C09K13/08

CPC分类号： C23F1/26 ,  C09K13/08 ,  C23F1/20 ,  H01L21/30604

摘要： The present invention aims to provide etchant compositions for metal laminated films on an insulating film substrate such as glass, a silicon substrate, or a semiconductor substrate, which includes a layer consisting of titanium or titanium alloy, and a layer consisting of aluminum or aluminum alloy formed films by sputtering method, wherein said etchants do not damage substrates under the metal laminated films, forming taper angles of 30 and 90 degrees and etching in a lump metal laminated films. This aim is achieved by the present etchant compositions comprising 0.01-5wt% fluorine compound, 0.1-50wt% oxidizing agent, with the proviso that fluorine compound is not hydrogen fluoride.