公开(公告)号：KR102442205B1

公开(公告)日：2022-09-08

申请号：KR1020227009893

申请日：2021-12-06

IPC分类号： C04B35/48 ,  C04B35/495 ,  C01G25/00 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0562

摘要： Li, La 및 Zr을함유하는제1 가넷형화합물과, Li, La 및 Zr을함유하고, 제1 가넷형화합물은조성이상이한제2 가넷형화합물을포함하고, 의가넷형화합물및 제 2 가넷형화합물은식 [1] Li7-(3x+y) M1xLa3Zr2-yM2yO12 로나타내며, 여기서식 [1] 에서 M1 은 Al 또는 Ga 이다. , M2는 Nb 또는 Ta이고, 제 1 가넷형화합물은 0≤(3x+y)≤0.5를만족하고, 제 2 가넷형화합물은 0.5

公开(公告)号：KR101899746B1

公开(公告)日：2018-09-17

申请号：KR1020177027698

申请日：2013-08-21

申请人： 캐논 가부시끼가이샤

发明人： 우에다미키 ,  와타나베다카유키 ,  무라카미슌스케

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/495 ,  H01L41/187

CPC分类号： H01L41/1871 ,  B06B1/06 ,  B41J2/14201 ,  B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  C04B35/495 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/667 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  G02B7/08 ,  G02B7/102 ,  G02B27/0006 ,  H01L41/0471 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/083 ,  H01L41/09 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/273 ,  H01L41/277 ,  H01L41/297 ,  H01L41/333 ,  H01L41/43 ,  H02N2/001 ,  H02N2/10 ,  H02N2/106 ,  H02N2/163

摘要： 본발명은납, 칼륨을포함하지않고, 절연성, 압전성이양호하고퀴리온도가높은압전재료를제공한다. 본발명은, 하기화학식 1에의해표현되는페로브스카이트형금속산화물을포함하는주성분과, Mn 및 Ni로부터선택되는 1종이상의원소를포함하는부성분을포함하는압전재료에관한것이며, 상기 Ni의함유량이상기페로브스카이트형금속산화물 1mol에대하여 0mol 이상 0.05mol 이하이고, 상기 Mn의함유량이상기페로브스카이트형금속산화물 1mol에대하여 0mol 이상 0.005mol 이하이다. [화학식 1] (NaBa)(NbTi)O(0.80≤x≤0.94, 0.83≤y≤0.94)

公开(公告)号：KR101880783B1

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：KR1020137019760

申请日：2012-01-19

申请人： 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤

发明人： 나카야마토큐유키

IPC分类号： C04B35/00 ,  C04B35/495 ,  C23C14/24

CPC分类号： C23C14/3407 ,  C04B35/01 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/08 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/032 ,  H01L51/442 ,  H01L2251/308

摘要： 본발명은, 태양전지에적절한투명도전막을고속성막할수 있고, 크랙이나갈라짐또는스플래쉬를일으키지않고성막을계속할수 있는이온도금용태블렛, 그것을얻기위한산화물소결체를제공한다. 산화인듐을주성분으로하고, 텅스텐을첨가원소로서함유하며, 텅스텐의함유량이 W/(In+W) 원자수비로 0.001 ~ 0.15인산화물소결체이며, 상기산화물소결체는텅스텐이고용되어있지않는빅스바이트형구조의산화인듐상으로이루어진결정립(A), 및텅스텐이고용되어있는빅스바이트형구조의산화인듐상으로이루어진결정립(B)에의해주로구성되며, 밀도가 3.4 ~ 5.5 g/cm인것을특징으로하는산화물소결체등에의해제공한다.

公开(公告)号：KR20180070015A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：KR20160172199

申请日：2016-12-16

申请人： KOREA INSTITUTE OF CERAMIC ENGINEERING AND TECH

发明人： KIM UNG SOO ,  JUNG DAE YONG ,  CHO WOO SEOK

IPC分类号： C01G31/02 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634

摘要： 본발명은, 암모늄메타바나데이트(Ammonium metavanadate, NHVO)와에틸렌글리콜(Ethylene glycol, CHO)을혼합하고가열하면서반응시키는단계와, 상기반응에의해형성된침전물을선택적으로분리해내어바나딜에틸렌글리코레이트(Vanadyl ethylene glycolate) 분말을수득하는단계및 상기바나딜에틸렌글리코레이트분말을산화분위기에서열분해하여상전이온도보다높은온도에서근적외선을차단하는특성을갖는이산화바나듐(VO) 분말을형성하는단계를포함하는이산화바나듐분말의제조방법에관한것이다. 본발명에의하면, 액상공정(solution process)을이용하여바나딜에틸렌글리코레이트(Vanadyl ethylene glycolate) 분말을쉽게합성할수 있고, 간단한열분해공정으로낮은온도에서상전이온도보다높은온도에서근적외선을차단하는특성을갖는이산화바나듐(VO) 분말을용이하게제조할수 있으며, 준안정상모노클리닉 VO분말과 VO분말의산화로인해생성되는 VO분말이혼재되어있지않으면서높은순도및 결정화도를갖는이산화바나듐(VO) 분말을제조할수 있다.

公开(公告)号：KR1020170063749A

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：KR1020177010634

申请日：2015-11-05

申请人： 플란제 에스이

发明人： 히토수기,타로

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  G02F1/15

CPC分类号： H01B1/08 ,  C04B35/495 ,  C04B35/62218 ,  C09K9/00 ,  C23C14/083 ,  C23C14/085 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/5806 ,  E06B9/24 ,  E06B2009/247 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/1523 ,  G02F2202/06 ,  C04B35/62222 ,  C04B2235/9646 ,  G02F2202/16

摘要： 본발명은 Re, Mn, 및 Ru으로구성되는그룹중에서적어도하나의도핑원소를포함하는β-MoO3를포함하는금속산화물박막에관한것이다. 또한, 본발명은스퍼터링을통해그러한금속산화물박막을제조하는방법및 Re, Mn, 및 Ru으로구성되는그룹중에서적어도하나의도핑원소를포함하는β-MoO3를포함하는금속산화물박막을포함하는박막장치에관한것이다.

摘要翻译： 本发明涉及含有选自Re，Mn和Ru中的至少一种掺杂元素的α-MoO 3的金属氧化物薄膜。 此外，本发明的薄膜器件，其包括用于制备薄膜这样的金属氧化物的方法和Re，含有β-的MoO 3，包括从由Mn组成的组的至少一种掺杂元素的金属氧化物薄膜，和Ru通过溅射 Lt。

公开(公告)号：KR1020170024172A

公开(公告)日：2017-03-06

申请号：KR1020177005458

申请日：2012-03-30

申请人： 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드

发明人： 칫티,올리비에 ,  캐즈미에룩쟈크,안드레아

IPC分类号： C04B35/101 ,  C04B35/46 ,  C04B35/495 ,  C03B17/06 ,  C04B35/443

CPC分类号： C04B35/10 ,  C03B17/064 ,  C04B35/1015 ,  C04B35/111 ,  C04B35/117 ,  C04B35/443 ,  C04B35/62665 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3231 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/9692 ,  C04B35/101 ,  C04B35/46 ,  C04B35/495

摘要： 내화성물체는적어도 10 중량%의 AlO를포함할수 있다. 게다가, 내화성물체는약 6 중량% 미만의 SiO를포함할수 있거나, Ti, Mg, Ta, Nb, 또는이들의임의의조합의산화물을포함하는도펀트를포함할수 있다. 일실시예에서, 내화성물체내의 AlO의적어도약 1%는반응성 AlO로서제공될수 있다. 다른실시예에서, 내화성물체는적어도약 3.55g/cc의밀도, 약 2.69mm/연이하의부식속도, 또는이들의임의의조합을가질수 있다. 특정한실시예에서, 내화성물체는 Al-Si-Mg 유리시트를형성하기위해사용될수 있다. 일실시예에서, 내화성물체는 Ti, Mg, Ta, Nb, 또는이들의임의의조합의화합물을사용한방법에의해형성될수 있다.

摘要翻译： 难熔物体可以包括至少10重量％的Al 2 O 3。 此外，难熔物体可以含有小于约6重量％的SiO 2，或者可以包括包含Ti，Mg，Ta，Nb的氧化物或其任何组合的掺杂剂。 在一个实施方案中，耐火材料中至少约1％的Al 2 O 3可以作为活性Al 2 O 3提供。 在另一个实施方案中，耐火物体可以具有至少约3.55g / cc的密度，不大于约2.69mm /年的腐蚀速率或上述的任何组合。 在一个具体实施方案中，耐火材料可用于形成Al-Si-Mg玻璃板。 在一个实施方案中，耐火物体可以通过使用Ti，Mg，Ta，Nb或其任何组合的化合物的方法形成。

公开(公告)号：KR101702790B1

公开(公告)日：2017-02-06

申请号：KR1020157003648

申请日：2013-11-08

申请人： 제이엑스금속주식회사

发明人： 나리타사토야스

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/64 ,  C01G33/00

CPC分类号： H01J37/3426 ,  C01G33/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/74 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/10 ,  C04B35/495 ,  C04B35/645 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/407 ,  C23C14/083 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3491

摘要： 본발명은 NbO의 (400) 면으로부터의 X 선회절피크강도에대한, NbO의 (001) 면혹은 (110) 면으로부터의 X 선회절피크강도의강도비가 1 % 이하인것을특징으로하는 NbO소결체에관한것이다. 고가인 NbO원료를사용하지않고, ReRAM 용의고품질인저항변화층을형성하기위한스퍼터링타깃에적용할수 있는 NbO소결체를제공하는것이다. 특히, 스퍼터링안정화에적합한, 고밀도이며단상의 NbO소결체를제공하는것을과제로한다.

摘要翻译： 本发明涉及一种NbO2烧结体，其特征在于，相对于（400）的X射线衍射峰强度，Nb2O5的（001）面或（110）面的X射线衍射峰强度的强度比例， NbO2的平面为1％以下。 本发明在不使用昂贵的NbO 2材料的情况下提供可应用于用于形成用于ReRAM的高质量可变电阻层的溅射靶的NbO 2烧结体。 特别地，本发明的目的是提供一种具有适于稳定溅射的高密度的单相NbO 2烧结体。

公开(公告)号：KR101671134B1

公开(公告)日：2016-10-31

申请号：KR1020157006975

申请日：2013-08-21

申请人： 캐논 가부시끼가이샤

发明人： 와타나베다카유키 ,  무라카미슌스케 ,  우에다미키

IPC分类号： H01L41/187 ,  C04B35/495 ,  B06B1/06 ,  B41J2/14 ,  H01L41/083 ,  H01L41/273 ,  H02N2/00 ,  H04N5/217 ,  G02B27/00

CPC分类号： H01L41/1873 ,  B06B1/0611 ,  B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  C04B35/495 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/85 ,  G02B27/0006 ,  H01L41/0471 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/083 ,  H01L41/09 ,  H01L41/273 ,  H01L41/277 ,  H01L41/297 ,  H01L41/333 ,  H02N2/106 ,  H02N2/163 ,  H02N2/183 ,  H04N5/2171 ,  H04N5/23209

摘要： 본발명은, 납과칼륨을포함하지않고, 상대밀도가높고, 퀴리온도가높으며, 기계적품질계수가높고, 압전성이양호한압전재료를제공한다. 압전재료는, 하기화학식 1에의해표현되는금속산화물 1mol에대하여, Cu를 0.04mol% 이상 2.00mol% 이하포함한다. [화학식 1] ((NaLi)Ba)(NbTi)O(화학식에서, 0.70≤x≤0.99, 0.75≤y≤0.99, 0

摘要翻译： 本发明提供不含铅和钾，具有高相对密度，高居里温度，高机械品质因数和良好压电性能的压电材料。 相对于下述式（1）所示的金属氧化物1摩尔，压电材料含有0.04摩尔％以上且2.00摩尔％以下的Cu。 （NaLi）Ba）（NbTi）O（式中，0.70≤X≤0.99，0.75≤Y≤0.99，0

公开(公告)号：KR101659143B1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：KR1020140045526

申请日：2014-04-16

申请人： 삼성전기주식회사

发明人： 윤석현 ,  박재성 ,  조수경 ,  김두영 ,  김창훈

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/495 ,  C04B35/453

CPC分类号： H01G4/1227 ,  B32B18/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/663 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/68 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/30

摘要： 본발명의일 실시형태에따르면 BaTiO로표시되는제1 주성분및 BiMO로표시되는제2 주성분을포함하는 (1-x)BaTiO-xBiMO로표시되는모재분말(단, M은 Mg과 Ti로구성됨)을포함하며, 상기 x는 0.005≤x≤0.5를만족하는유전체자기조성물및 이를포함하는적층세라믹커패시터를제공한다.

公开(公告)号：KR101599984B1

公开(公告)日：2016-03-04

申请号：KR1020137026114

申请日：2012-03-09

申请人： 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드

发明人： 칫티,올리비에 ,  캐즈미에룩쟈크,안드레아

IPC分类号： C04B35/101 ,  C04B35/495 ,  C03C3/097 ,  C03B17/06

CPC分类号： C03B17/064 ,  C04B35/1015 ,  C04B35/111 ,  C04B35/62665 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6023 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/783 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/95 ,  Y02P40/57

摘要： 내화성물체는적어도 10 중량%의 AlO를포함할수 있다. 일실시예에서, 내화성물체는희토류원소, Ta, Nb, Hf, 또는이들의임의의조합의산화물을포함하는도펀트를추가로포함할수 있다. 다른실시예에서, 내화성물체는평균그레인크기가소결중에 500%를초과하여증가하지않도록하는특성, 약 4.0 미만의종횡비, 약 1.0×10μm/(μm×hr) 미만의크리프속도, 또는이들의임의의조합을가질수 있다. 특정실시예에서, 내화성물체는내화성블록또는유리오버플로우형성블록의형태일수 있다. 유리오버플로우형성블록은 Al-Si-Mg 유리시트를형성하는데유용할수 있다. 특정실시예에서, Mg-Al 산화물을포함하는층이 Al-Si-Mg 유리시트의형성시에유리오버플로우형성블록의노출표면을따라초기에형성될수 있다.