公开(公告)号：TW201027749A

公开(公告)日：2010-07-16

申请号：TW098128996

申请日：2009-08-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 李後儒 ,  鄭鈞隆 ,  鄭光茗 ,  莊學理

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/823425 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7848

Abstract: 本發明提供一種具有金屬閘極堆疊之積體電路,包括半導體基板;閘極堆疊位於半導體基板上,其中閘極堆疊包括高介電材料層與位於高介電材料層上的第一金屬層;以及凸起的源極/汲極區位於閘極堆疊之側壁上,且凸起的源極/汲極區係由磊晶法形成;其中半導體基板包括矽鍺特徵位於凸起的源極/汲極區下。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种具有金属闸极堆栈之集成电路,包括半导体基板;闸极堆栈位于半导体基板上,其中闸极堆栈包括高介电材料层与位于高介电材料层上的第一金属层;以及凸起的源极/汲极区位于闸极堆栈之侧壁上,且凸起的源极/汲极区系由磊晶法形成;其中半导体基板包括硅锗特征位于凸起的源极/汲极区下。

公开(公告)号：TW201025509A

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：TW098130696

申请日：2009-09-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 葉炅翰 ,  鍾昇鎮 ,  鄭光茗 ,  莊學理

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 本發明提供一種半導體元件之製法,包括以下步驟:形成具有第一電晶體與第二電晶體之半導體基材,其中第一電晶體具有第一虛設閘極之第一閘極結構,第二電晶體具有第二虛設閘極之第二閘極結構;移除第一與第二虛設閘極,以分別形成第一與第二溝槽;形成第一金屬層以部分填充第一與第二溝槽;移除於第一溝槽中之第一金屬層;形成第二金屬層,以部分填充第一與第二溝槽;形成第三金屬層,以部分填充第一與第二溝槽;實施熱處理製程,以回焊(reflow)第二金屬層與第三金屬層;以及形成第四金屬層,以填充第一與第二溝槽之剩餘部份。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体组件之制法,包括以下步骤:形成具有第一晶体管与第二晶体管之半导体基材,其中第一晶体管具有第一虚设闸极之第一闸极结构,第二晶体管具有第二虚设闸极之第二闸极结构;移除第一与第二虚设闸极,以分别形成第一与第二沟槽;形成第一金属层以部分填充第一与第二沟槽;移除于第一沟槽中之第一金属层;形成第二金属层,以部分填充第一与第二沟槽;形成第三金属层,以部分填充第一与第二沟槽;实施热处理制程,以回焊(reflow)第二金属层与第三金属层;以及形成第四金属层,以填充第一与第二沟槽之剩余部份。

公开(公告)号：TW201019380A

公开(公告)日：2010-05-16

申请号：TW098128776

申请日：2009-08-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 鍾昇鎮 ,  鄭光茗 ,  莊學理

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/66545

Abstract: 本發明實施例提供一種半導體元件之金屬閘極堆疊的形成方法，包括於半導體基底上形成高介電常數材料層；於高介電常數材料層上形成導電材料層；採用多晶矽於n型場效電晶體區形成第一虛置閘極及於p型場效電晶體區形成第二虛置閘極；於半導體基底上形成層間介電材料；對半導體基底進行第一化學機械研磨製程；自第一虛置閘極移除多晶矽以形成第一閘極溝槽；形成n型金屬至第一閘極溝槽；對半導體基底進行第二化學機械研磨製程；自第二虛置閘極移除多晶矽以形成第二閘極溝槽；形成p型金屬至第二閘極溝槽；以及對半導體基底進行第三化學機械研磨製程。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供一种半导体组件之金属闸极堆栈的形成方法，包括于半导体基底上形成高介电常数材料层；于高介电常数材料层上形成导电材料层；采用多晶硅于n型场效应管区形成第一虚置闸极及于p型场效应管区形成第二虚置闸极；于半导体基底上形成层间介电材料；对半导体基底进行第一化学机械研磨制程；自第一虚置闸极移除多晶硅以形成第一闸极沟槽；形成n型金属至第一闸极沟槽；对半导体基底进行第二化学机械研磨制程；自第二虚置闸极移除多晶硅以形成第二闸极沟槽；形成p型金属至第二闸极沟槽；以及对半导体基底进行第三化学机械研磨制程。

公开(公告)号：TW201017827A

公开(公告)日：2010-05-01

申请号：TW098128193

申请日：2009-08-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 鄭光茗 ,  莊學理 ,  陳嘉仁 ,  賴素貞 ,  莫亦先 ,  陳薏新 ,  沈俊良 ,  林毓超

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/31645 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/823842

Abstract: 一種半導體裝置之製造方法，包括：提供具有一第一主動區與一第二主動區之一半導體基底；形成一高介電常數介電層於該半導體基底上；形成一上蓋層於該高介電常數介電層上；形成一第一金屬層於該上蓋層上，其中該第一金屬層具有第一功函數；形成一罩幕層於該第一主動區內之該第一金屬層上；利用該罩幕層以移除該第二主動區內之該第一金屬層以及部份移除該上蓋層之一部；以及形成一第二金屬層於該第二主動區內之經部分移除之該上蓋層上，其中該第二金屬層具有一第二功函數。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备之制造方法，包括：提供具有一第一主动区与一第二主动区之一半导体基底；形成一高介电常数介电层于该半导体基底上；形成一上盖层于该高介电常数介电层上；形成一第一金属层于该上盖层上，其中该第一金属层具有第一功函数；形成一罩幕层于该第一主动区内之该第一金属层上；利用该罩幕层以移除该第二主动区内之该第一金属层以及部份移除该上盖层之一部；以及形成一第二金属层于该第二主动区内之经部分移除之该上盖层上，其中该第二金属层具有一第二功函数。

公开(公告)号：TW201013842A

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：TW098131332

申请日：2009-09-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 莊學理 ,  鄭光茗 ,  鍾昇鎮 ,  梁孟松

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76895 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/088 ,  H01L29/4238

Abstract: 本發明揭示一種具有區域性內連線(local interconnect)的半導體裝置，包括：一第一閘極線結構及一第二閘極線結構設置於一基底上，且大體位於同一直線上。一第一對源極/汲極區形成於第一閘極線結構兩側的基底內，及一第二對源極/汲極區形成於第二閘極線結構兩側的基底內。一對導電線設置於第一及第二閘極線結構兩側的基底上，使每一導電線連接至第一對源極/汲極區的其中之一個，以及連接至第二對源極/汲極區的其中之一個。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种具有局部内连接(local interconnect)的半导体设备，包括：一第一闸极线结构及一第二闸极线结构设置于一基底上，且大体位于同一直在线。一第一对源极/汲极区形成于第一闸极线结构两侧的基底内，及一第二对源极/汲极区形成于第二闸极线结构两侧的基底内。一对导电线设置于第一及第二闸极线结构两侧的基底上，使每一导电线连接至第一对源极/汲极区的其中之一个，以及连接至第二对源极/汲极区的其中之一个。

公开(公告)号：TW201011860A

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：TW098127357

申请日：2009-08-14

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 鍾昇鎮 ,  鄭光茗 ,  莊學理

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0629 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明提供一種半導體裝置，包含一半導體基材；一形成於基材中之隔離結構，由第一材料形成，用以隔離基材中之主動區；一形成於基材中之主動區中之主動裝置，此主動裝置具有高介電常數介電質及金屬閘極；以及一形成於隔離結構中的被動裝置，此被動裝置由與第一材料不同之第二材料形成，並具有預定之電阻率。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体设备，包含一半导体基材；一形成于基材中之隔离结构，由第一材料形成，用以隔离基材中之主动区；一形成于基材中之主动区中之主动设备，此主动设备具有高介电常数介电质及金属闸极；以及一形成于隔离结构中的被动设备，此被动设备由与第一材料不同之第二材料形成，并具有预定之电阻率。

公开(公告)号：TW201010059A

公开(公告)日：2010-03-01

申请号：TW098129005

申请日：2009-08-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 迪雅茲 卡羅斯H ,  許義明 ,  王志慶 ,  莊學理 ,  鄭光茗 ,  鍾昇鎮 ,  蔡豪益 ,  陳憲偉 ,  鄭心圃

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7848

Abstract: 本發明提供一種積體電路，包括：一半導體基板，具有一主動區；至少一操作元件，形成於該主動區，其中該操作元件包括一拉伸通道；以及至少一第一偽閘極，設置於該主動區，位於該操作元件之一側。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种集成电路，包括：一半导体基板，具有一主动区；至少一操作组件，形成于该主动区，其中该操作组件包括一拉伸信道；以及至少一第一伪闸极，设置于该主动区，位于该操作组件之一侧。