公开(公告)号：TW201436067A

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：TW102148373

申请日：2013-12-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 洪瑞斌 ,  HUNG, JUI PIN ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  蔡柏豪 ,  TSAI, PO HAO ,  林儀柔 ,  LIN, YI JOU ,  陳碩懋 ,  CHEN, SHUO MAO ,  葉炅翰 ,  YEH, CHIUNG HAN ,  葉德強 ,  YEH, DER CHYANG

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/82 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/11 ,  H01L24/19 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/82

Abstract: 本發明提供一種內連線結構及其形成方法。於一承載基板上形成內連線結構，其中承載基板上亦可貼附一晶片。在去除承載基板與實施單體化(singulation)製程之後，形成一第一封裝體。可將一第二封裝體貼附至第一封裝體，其中第二封裝體可電性耦接至第一封裝體中的複數個通孔電極。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种内连接结构及其形成方法。于一承载基板上形成内连接结构，其中承载基板上亦可贴附一芯片。在去除承载基板与实施单体化(singulation)制程之后，形成一第一封装体。可将一第二封装体贴附至第一封装体，其中第二封装体可电性耦接至第一封装体中的复数个通孔电极。

公开(公告)号：TWI393244B

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：TW098127817

申请日：2009-08-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 賴素貞 ,  LAI, SU CHEN ,  吳明園 ,  WU, MING YUAN ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAK-LAY ,  葉炅翰 ,  YEH, CHIUNG HAN ,  張宏迪 ,  CHANG, HONG DYI ,  郭正誠 ,  KUO, CHENG CHENG ,  吳建宏 ,  WU, CHIEN HUNG ,  李宗吉 ,  LEE, TZUNG CHI

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/823437 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/08

公开(公告)号：TWI393220B

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：TW098130696

申请日：2009-09-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 葉炅翰 ,  YEH, CHIUNG HAN ,  鍾昇鎮 ,  CHUNG, SHENG CHEN ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAK-LAY

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

公开(公告)号：TW201013792A

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：TW098130692

申请日：2009-09-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 葉炅翰 ,  徐振斌 ,  吳明園 ,  鄭光茗 ,  莊學理

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/42376 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28105 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

Abstract: 本發明係提供一種半導體元件的製造方法，該方法包括提供含有偽閘極結構形成於其上的基底，移除偽閘極結構形成溝槽，形成第一金屬層在基底之上，填充溝槽的一部份，形成保護層在溝槽剩餘的部分內，移除第一金屬層未受到保護的部分，從溝槽內移除保護層，以及形成第二金屬層在基底之上以填充溝槽。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种半导体组件的制造方法，该方法包括提供含有伪闸极结构形成于其上的基底，移除伪闸极结构形成沟槽，形成第一金属层在基底之上，填充沟槽的一部份，形成保护层在沟槽剩余的部分内，移除第一金属层未受到保护的部分，从沟槽内移除保护层，以及形成第二金属层在基底之上以填充沟槽。

公开(公告)号：TWI525720B

公开(公告)日：2016-03-11

申请号：TW102148373

申请日：2013-12-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 洪瑞斌 ,  HUNG, JUI PIN ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  蔡柏豪 ,  TSAI, PO HAO ,  林儀柔 ,  LIN, YI JOU ,  陳碩懋 ,  CHEN, SHUO MAO ,  葉炅翰 ,  YEH, CHIUNG HAN ,  葉德強 ,  YEH, DER CHYANG

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/82 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/11 ,  H01L24/19 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/82

公开(公告)号：TWI462187B

公开(公告)日：2014-11-21

申请号：TW098130692

申请日：2009-09-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 葉炅翰 ,  YEH, CHIUNG HAN ,  徐振斌 ,  HSU, CHEN PIN ,  吳明園 ,  WU, MING YUAN ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAK-LAY

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/42376 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28105 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

公开(公告)号：TW201005834A

公开(公告)日：2010-02-01

申请号：TW097142940

申请日：2008-11-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 吳明園 ,  莫亦先 ,  彭治棠 ,  葉炅翰 ,  鄭光茗 ,  莊學理 ,  梁孟松

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

Abstract: 一種形成半導體元件之方法，其步驟為提供半導體基板；於半導體基板上形成閘極堆疊；緊鄰閘極堆疊側邊形成閘極間隙壁；薄化閘極間隙壁；與在薄化閘極間隙壁步驟之後，在閘極間隙壁側邊形成次要閘極間隙壁。

Abstract in simplified Chinese: 一种形成半导体组件之方法，其步骤为提供半导体基板；于半导体基板上形成闸极堆栈；紧邻闸极堆栈侧边形成闸极间隙壁；薄化闸极间隙壁；与在薄化闸极间隙壁步骤之后，在闸极间隙壁侧边形成次要闸极间隙壁。

公开(公告)号：TWI440163B

公开(公告)日：2014-06-01

申请号：TW098122523

申请日：2009-07-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 莊學理 ,  CHUANG, HARRY ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  葉炅翰 ,  YEH, CHIUNG HAN ,  梁孟松 ,  LIANG, MONG SONG ,  李後儒 ,  LEE, STEPHEN ,  吳明園 ,  WU, MING YUAN ,  李宗吉 ,  LEE, TZUNG-CHI

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635

公开(公告)号：TWI382475B

公开(公告)日：2013-01-11

申请号：TW097142940

申请日：2008-11-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳明園 ,  WU, MINGYUAN ,  莫亦先 ,  MOR, YISHIEN ,  彭治棠 ,  PENG, CHIHTANG ,  葉炅翰 ,  YEH, CHIUNGHAN ,  鄭光茗 ,  THEI, KONGBENG ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY ,  梁孟松 ,  LIANG, MONGSONG

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

公开(公告)号：TW201025509A

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：TW098130696

申请日：2009-09-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 葉炅翰 ,  鍾昇鎮 ,  鄭光茗 ,  莊學理

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 本發明提供一種半導體元件之製法,包括以下步驟:形成具有第一電晶體與第二電晶體之半導體基材,其中第一電晶體具有第一虛設閘極之第一閘極結構,第二電晶體具有第二虛設閘極之第二閘極結構;移除第一與第二虛設閘極,以分別形成第一與第二溝槽;形成第一金屬層以部分填充第一與第二溝槽;移除於第一溝槽中之第一金屬層;形成第二金屬層,以部分填充第一與第二溝槽;形成第三金屬層,以部分填充第一與第二溝槽;實施熱處理製程,以回焊(reflow)第二金屬層與第三金屬層;以及形成第四金屬層,以填充第一與第二溝槽之剩餘部份。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体组件之制法,包括以下步骤:形成具有第一晶体管与第二晶体管之半导体基材,其中第一晶体管具有第一虚设闸极之第一闸极结构,第二晶体管具有第二虚设闸极之第二闸极结构;移除第一与第二虚设闸极,以分别形成第一与第二沟槽;形成第一金属层以部分填充第一与第二沟槽;移除于第一沟槽中之第一金属层;形成第二金属层,以部分填充第一与第二沟槽;形成第三金属层,以部分填充第一与第二沟槽;实施热处理制程,以回焊(reflow)第二金属层与第三金属层;以及形成第四金属层,以填充第一与第二沟槽之剩余部份。