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公开(公告)号：TW201403823A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102121291
申请日：2013-06-17
Inventor： 李後儒 , LI, HOU JU , 賴高廷 , LAI, KAO TING , 丁國強 , TING, KUO CHIANG , 吳集錫 , WU, CHI HSI
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L29/0847 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/7851
Abstract: 一種積體電路元件，包括一鰭，具有一閘極區，位於一閘電極結構下；一源/汲極區，設置超出鰭之末端；及一第一保形層，圍繞源/汲極區之鑲嵌部分設置，其中第一保形層包括一垂直側壁，以平行閘極區之方位配置。
Abstract in simplified Chinese: 一种集成电路组件，包括一鳍，具有一闸极区，位于一闸电极结构下；一源/汲极区，设置超出鳍之末端；及一第一保形层，围绕源/汲极区之镶嵌部分设置，其中第一保形层包括一垂直侧壁，以平行闸极区之方位配置。
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公开(公告)号：TWI647851B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW106135926
申请日：2017-10-19
Inventor： 林育樟 , LIN, YU CHANG , 張添舜 , CHANG, TIEN SHUN , 簡薇庭 , CHIEN, WEI TING , 聶俊峰 , NIEH, CHUN FENG , 張惠政 , CHANG, HUICHENG , 曹志彬 , TSAO, CHIH PIN , 李後儒 , LI, HOU JU
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
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公开(公告)号：TWI440163B
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW098122523
申请日：2009-07-03
Inventor： 莊學理 , CHUANG, HARRY , 鄭光茗 , THEI, KONG BENG , 葉炅翰 , YEH, CHIUNG HAN , 梁孟松 , LIANG, MONG SONG , 李後儒 , LEE, STEPHEN , 吳明園 , WU, MING YUAN , 李宗吉 , LEE, TZUNG-CHI
CPC classification number: H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L27/0629 , H01L27/0635
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Patent Agency Ranking4.发明专利具有金屬閘極堆疊之積體電路與其形成方法 INTEGRATED CIRCUIT HAVING METAL GATE STACKS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开具有金属闸极堆栈之集成电路与其形成方法 INTEGRATED CIRCUIT HAVING METAL GATE STACKS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201027749A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW098128996
申请日：2009-08-28
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L21/823425 , H01L21/823814 , H01L29/165 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66628 , H01L29/7848
Abstract: 本發明提供一種具有金屬閘極堆疊之積體電路,包括半導體基板;閘極堆疊位於半導體基板上,其中閘極堆疊包括高介電材料層與位於高介電材料層上的第一金屬層;以及凸起的源極/汲極區位於閘極堆疊之側壁上,且凸起的源極/汲極區係由磊晶法形成;其中半導體基板包括矽鍺特徵位於凸起的源極/汲極區下。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种具有金属闸极堆栈之集成电路,包括半导体基板;闸极堆栈位于半导体基板上,其中闸极堆栈包括高介电材料层与位于高介电材料层上的第一金属层;以及凸起的源极/汲极区位于闸极堆栈之侧壁上,且凸起的源极/汲极区系由磊晶法形成;其中半导体基板包括硅锗特征位于凸起的源极/汲极区下。
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公开(公告)号：TW201820633A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106135926
申请日：2017-10-19
Inventor： 林育樟 , LIN, YU CHANG , 張添舜 , CHANG, TIEN SHUN , 簡薇庭 , CHIEN, WEI TING , 聶俊峰 , NIEH, CHUN FENG , 張惠政 , CHANG, HUICHENG , 曹志彬 , TSAO, CHIH PIN , 李後儒 , LI, HOU JU
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本揭露提供鰭式場效電晶體裝置及其形成方法。此方法包含：將虛置閘極沿著一鰭狀物的側壁沉積並沉積於上述鰭狀物的側壁的上方，上述鰭狀物從半導體基底向上延伸；沿著上述虛置閘極的側壁形成第一閘極間隔物；以及以碳對上述第一閘極間隔物進行電漿摻雜，以形成摻雜碳的閘極間隔物。此方法還包含形成源/汲極區，上述源/汲極區鄰接上述鰭狀物的通道區；以及使碳從上述摻雜碳的閘極間隔物擴散而進入上述鰭狀物的第一區域，以提供第一摻雜碳的區域，其中上述第一摻雜碳的區域是置於上述源/汲極區的至少一部分與上述鰭狀物的上述通道區之間。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供鳍式场效应管设备及其形成方法。此方法包含：将虚置闸极沿着一鳍状物的侧壁沉积并沉积于上述鳍状物的侧壁的上方，上述鳍状物从半导体基底向上延伸；沿着上述虚置闸极的侧壁形成第一闸极间隔物；以及以碳对上述第一闸极间隔物进行等离子掺杂，以形成掺杂碳的闸极间隔物。此方法还包含形成源/汲极区，上述源/汲极区邻接上述鳍状物的信道区；以及使碳从上述掺杂碳的闸极间隔物扩散而进入上述鳍状物的第一区域，以提供第一掺杂碳的区域，其中上述第一掺杂碳的区域是置于上述源/汲极区的至少一部分与上述鳍状物的上述信道区之间。
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公开(公告)号：TWI556442B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW102121291
申请日：2013-06-17
Inventor： 李後儒 , LI, HOU JU , 賴高廷 , LAI, KAO TING , 丁國強 , TING, KUO CHIANG , 吳集錫 , WU, CHI HSI
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L29/0847 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/7851
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公开(公告)号：TWI466293B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW098128996
申请日：2009-08-28
Inventor： 李後儒 , LI, HOU JU , 鄭鈞隆 , CHENG, CHUNG LONG , 鄭光茗 , THEI, KONG BENG , 莊學理 , CHUANG, HARRY
IPC: H01L29/78 , H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823425 , H01L21/823814 , H01L29/165 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66628 , H01L29/7848
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8.发明专利半導體元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF 审中-公开半导体组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201021196A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：TW098122523
申请日：2009-07-03
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L27/0629 , H01L27/0635
Abstract: 本發明係提供一種半導體元件及其製造方法，包括半導體基底具有第一區和第二區，電晶體形成於第一區內且具有金屬閘極，隔絕結構形成第二區內，至少一接合元件鄰近第二區的隔絕結構設置，以及阻擋結形成於第二區的隔絕結構之上。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种半导体组件及其制造方法，包括半导体基底具有第一区和第二区，晶体管形成于第一区内且具有金属闸极，隔绝结构形成第二区内，至少一接合组件邻近第二区的隔绝结构设置，以及阻挡结形成于第二区的隔绝结构之上。
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