公开(公告)号：TWI590243B

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW102127768

申请日：2010-12-03

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 加藤清 ,  KATO, KIYOSHI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN

IPC: G11C11/24 ,  H03K19/173

CPC classification number: H03K3/037 ,  G11C11/24 ,  G11C14/0054 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869 ,  H03K19/173

公开(公告)号：TWI589121B

公开(公告)日：2017-06-21

申请号：TW105120981

申请日：2010-12-07

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 加藤清 ,  KATO, KIYOSHI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN

IPC: H03K3/356 ,  H03K3/037 ,  H01L29/786

CPC classification number: H03K19/1733 ,  G11C14/0063 ,  G11C16/02 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869 ,  H03K3/356008 ,  H03K3/35606

公开(公告)号：TWI588802B

公开(公告)日：2017-06-21

申请号：TW105122428

申请日：2010-10-13

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/20 ,  G09F9/00 ,  H01L27/12

CPC classification number: G09G3/3208 ,  G09G3/2003 ,  G09G3/3233 ,  G09G2330/021 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI587523B

公开(公告)日：2017-06-11

申请号：TW104143586

申请日：2010-10-26

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1229 ,  G09G3/20 ,  G09G2310/0267 ,  G09G2310/0275 ,  G09G2310/0286 ,  G11C19/28 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/24 ,  H01L29/247 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

公开(公告)号：TW201716841A

公开(公告)日：2017-05-16

申请号：TW105142502

申请日：2011-02-24

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 今藤敏和 ,  KONDO, TOSHIKAZU ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2202/10 ,  G09G3/3622 ,  G09G2300/0426 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869

Abstract: 本發明的目的之一在於降低液晶顯示裝置所具有的信號線的寄生電容。作為設置在各像素中的電晶體，應用具備氧化物半導體層的電晶體。注意，該氧化物半導體層是藉由徹底去除成為電子供體(施體)的雜質(氫或水等)而獲得到高度純化的氧化物半導體層。由此，可以降低電晶體處於截止狀態時的洩漏電流(截止電流)。因此，即使在各像素中不設置電容器也可以保持施加到液晶元件的電壓。另外，與此附隨而可以去除延伸到液晶顯示裝置的像素部的電容佈線。由此，可以去除信號線與電容佈線相交叉的區域中的寄生電容。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一在于降低液晶显示设备所具有的信号线的寄生电容。作为设置在各像素中的晶体管，应用具备氧化物半导体层的晶体管。注意，该氧化物半导体层是借由彻底去除成为电子供体(施体)的杂质(氢或水等)而获得到高度纯化的氧化物半导体层。由此，可以降低晶体管处于截止状态时的泄漏电流(截止电流)。因此，即使在各像素中不设置电容器也可以保持施加到液芯片件的电压。另外，与此附随而可以去除延伸到液晶显示设备的像素部的电容布线。由此，可以去除信号线与电容布线相交叉的区域中的寄生电容。

公开(公告)号：TWI581438B

公开(公告)日：2017-05-01

申请号：TW104132540

申请日：2010-11-04

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/44

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02603 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI579976B

公开(公告)日：2017-04-21

申请号：TW105102036

申请日：2010-11-11

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  加藤清 ,  KATO, KIYOSHI

IPC: H01L21/8249 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C7/10 ,  G11C5/06 ,  G11C5/147 ,  G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C7/22 ,  G11C8/08 ,  G11C11/24 ,  G11C11/4097 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/28 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/26 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI579592B

公开(公告)日：2017-04-21

申请号：TW101104727

申请日：2012-02-14

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN

IPC: G02B27/22 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/133 ,  H04N13/00

CPC classification number: G09G3/003 ,  G02B27/0093 ,  G02B27/2214 ,  G02F1/13471 ,  G09G3/3611 ,  H04N13/31 ,  H04N13/315 ,  H04N13/356 ,  H04N13/373

公开(公告)号：TWI575290B

公开(公告)日：2017-03-21

申请号：TW104124729

申请日：2010-12-01

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 小山潤 ,  KOYAMA, JUN

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13606 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

公开(公告)号：TWI573250B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW100101801

申请日：2011-01-18

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  加藤清 ,  KATO, KIYOSHI

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1207 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/80001