公开(公告)号：TWI608625B

公开(公告)日：2017-12-11

申请号：TW105141066

申请日：2010-07-09

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  大原宏樹 ,  OHARA, HISANORI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

公开(公告)号：TW201735189A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW106112605

申请日：2011-04-15

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  古野誠 ,  FURUNO, MAKOTO

IPC: H01L21/336 ,  C23C14/06

CPC classification number: H01L21/02266 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L28/60 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/7869

Abstract: 本發明的目的之一在於提供一種利用DC濺射法形成氧化鎵膜的成膜方法。本發明的目的之一還在於提供一種半導體裝置的製造方法，在該半導體裝置中將氧化鎵膜用作電晶體的閘極絕緣層等的絕緣層。使用含有氧化鎵(也寫為GaOX)的氧化物靶材並且藉由DC濺射法或脈衝DC濺射方式形成絕緣膜。氧化物靶材含有GaOX，其中X小於1.5，最好為0.01以上且0.5以下，更佳為0.1以上且0.2以下。該氧化物靶材具有導電性，並且在氧氣體氣圍或氧氣體和如氬等的稀有氣體的混合氣圍下進行濺射。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一在于提供一种利用DC溅射法形成氧化镓膜的成膜方法。本发明的目的之一还在于提供一种半导体设备的制造方法，在该半导体设备中将氧化镓膜用作晶体管的闸极绝缘层等的绝缘层。使用含有氧化镓(也写为GaOX)的氧化物靶材并且借由DC溅射法或脉冲DC溅射方式形成绝缘膜。氧化物靶材含有GaOX，其中X小于1.5，最好为0.01以上且0.5以下，更佳为0.1以上且0.2以下。该氧化物靶材具有导电性，并且在氧气体气围或氧气体和如氩等的稀有气体的混合气围下进行溅射。

公开(公告)号：TWI596741B

公开(公告)日：2017-08-21

申请号：TW099125455

申请日：2010-07-30

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  西田惠里子 ,  NISHIDA, ERIKO

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/45 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124

公开(公告)号：TWI594434B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW104144082

申请日：2010-09-28

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  平石鈴之介 ,  HIRAISHI, SUZUNOSUKE ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/45

公开(公告)号：TW201727752A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW106108757

申请日：2010-08-31

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  吉富修平 ,  YOSHITOMI, SHUHEI ,  辻隆博 ,  TUJI, TAKAHIRO ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  戶松浩之 ,  TOMATSU, HIROYUKI ,  早川昌彥 ,  HAYAKAWA, MASAHIKO

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1262 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 發明之目的在於提供包含氧化物半導體膜之薄膜電晶體的結構之製造方法，其中，形成通道的臨界電壓為正的且儘可能接近0V。形成保護絕緣層以覆蓋包含藉由第一熱處理來予以脫水或脫氫的氧化物半導電層的薄膜電晶體，並且，以低於第一熱處理的溫度之溫度，執行溫度升上及下降重複多次的第二熱處理，因而可以製造包含氧化物半導電層的薄膜電晶體，其中，形成通道的臨界電壓是正的且儘可能接近0V，但不會視通道長度而定。

Abstract in simplified Chinese: 发明之目的在于提供包含氧化物半导体膜之薄膜晶体管的结构之制造方法，其中，形成信道的临界电压为正的且尽可能接近0V。形成保护绝缘层以覆盖包含借由第一热处理来予以脱水或脱氢的氧化物半导电层的薄膜晶体管，并且，以低于第一热处理的温度之温度，运行温度升上及下降重复多次的第二热处理，因而可以制造包含氧化物半导电层的薄膜晶体管，其中，形成信道的临界电压是正的且尽可能接近0V，但不会视信道长度而定。

公开(公告)号：TW201719860A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW105143917

申请日：2010-08-05

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  丸山穗高 ,  MARUYAMA, HOTAKA ,  津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/13306 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136204 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2201/123 ,  G11C19/28 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明的目的之一在於提高半導體裝置的可靠性。本發明的一種半導體裝置包括在同一基板上的驅動電路部和顯示部(也稱為像素部)，驅動電路部和顯示部分別包括：半導體層由氧化物半導體構成的薄膜電晶體；第一佈線；以及第二佈線，其中薄膜電晶體包括源極電極層或汲極電極層及接觸於半導體層的氧化物導電層，驅動電路部的薄膜電晶體以以閘極電極層和導電層夾著半導體層的方式構成，並且第一佈線和第二佈線在設置在閘極絕緣膜中的開口中藉由氧化物導電層電連接。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一在于提高半导体设备的可靠性。本发明的一种半导体设备包括在同一基板上的驱动电路部和显示部(也称为像素部)，驱动电路部和显示部分别包括：半导体层由氧化物半导体构成的薄膜晶体管；第一布线；以及第二布线，其中薄膜晶体管包括源极电极层或汲极电极层及接触于半导体层的氧化物导电层，驱动电路部的薄膜晶体管以以闸极电极层和导电层夹着半导体层的方式构成，并且第一布线和第二布线在设置在闸极绝缘膜中的开口中借由氧化物导电层电连接。

公开(公告)号：TW201717410A

公开(公告)日：2017-05-16

申请号：TW105141066

申请日：2010-07-09

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  大原宏樹 ,  OHARA, HISANORI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本發明之一目的在製造及提供一種極可靠之半導體裝置，其包括一具有穩定電氣特徵之薄膜電晶體。在一種用於製造一包括一薄膜電晶體在內之半導體裝置的方法中，一包括一通道形成區之半導體層使用作為一氧化半導體膜，用於減少雜質(例如水氣)之熱處理(用於脫水或脫氫之熱處理)是在一使用作為一保護膜之氧化絕緣膜形成與一氧化半導體層接觸後執行。此時，雜質(例如水氣)即減少，雜質不僅存在於一源極層、一汲極層、一閘極絕緣層、及氧化半導體層中，其亦存在於氧化半導體膜以及與氧化半導體層接觸之上、下薄膜之間之界面處。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之一目的在制造及提供一种极可靠之半导体设备，其包括一具有稳定电气特征之薄膜晶体管。在一种用于制造一包括一薄膜晶体管在内之半导体设备的方法中，一包括一信道形成区之半导体层使用作为一氧化半导体膜，用于减少杂质(例如水汽)之热处理(用于脱水或脱氢之热处理)是在一使用作为一保护膜之氧化绝缘膜形成与一氧化半导体层接触后运行。此时，杂质(例如水汽)即减少，杂质不仅存在于一源极层、一汲极层、一闸极绝缘层、及氧化半导体层中，其亦存在于氧化半导体膜以及与氧化半导体层接触之上、下薄膜之间之界面处。

公开(公告)号：TW201717288A

公开(公告)日：2017-05-16

申请号：TW105141841

申请日：2010-07-01

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  野田耕生 ,  NODA, KOSEI ,  大原宏樹 ,  OHARA, HIROKI ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 一種高度可靠的半導體裝置包括具有穩定的電特性的薄膜電晶體，及一種該半導體裝置的製造方法。在該包括薄膜電晶體的半導體裝置的製造方法中，一包括通道形成區的半導體層是氧化物半導體層，實施可減少雜質(譬如，水氣)來改善該氧化物半導體層的純度且可氧化該氧化物半導體層的熱處理(用於脫水或脫氫之熱處理)。不只是在該氧化物半導體層中的雜質(譬如，水氣)被減少，存在於閘極絕緣層中的雜質(譬如，水氣)亦被減少，且存在於該氧化物半導體層與設置於其上及其下的薄膜之間且與該氧化物半導體層接觸的界面中的雜質(譬如，水氣)亦被減少。

Abstract in simplified Chinese: 一种高度可靠的半导体设备包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管，及一种该半导体设备的制造方法。在该包括薄膜晶体管的半导体设备的制造方法中，一包括信道形成区的半导体层是氧化物半导体层，实施可减少杂质(譬如，水汽)来改善该氧化物半导体层的纯度且可氧化该氧化物半导体层的热处理(用于脱水或脱氢之热处理)。不只是在该氧化物半导体层中的杂质(譬如，水汽)被减少，存在于闸极绝缘层中的杂质(譬如，水汽)亦被减少，且存在于该氧化物半导体层与设置于其上及其下的薄膜之间且与该氧化物半导体层接触的界面中的杂质(譬如，水汽)亦被减少。

公开(公告)号：TWI575758B

公开(公告)日：2017-03-21

申请号：TW104141712

申请日：2010-08-27

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

公开(公告)号：TWI571940B

公开(公告)日：2017-02-21

申请号：TW105113102

申请日：2010-06-29

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  大原宏樹 ,  OHARA, HIROKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696