公开(公告)号：TW200306138A

公开(公告)日：2003-11-01

申请号：TW92106844

申请日：2003-03-26

申请人： DELTA ELECTRONICS INC

发明人： YE RUNQING ,  ZHANG ALPHA J

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/42 ,  H05K1/02 ,  H05K1/14 ,  H05K3/34 ,  H05K7/20

CPC分类号： H05K7/20418 ,  H01L23/36 ,  H01L23/42 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/141 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/3421 ,  H05K7/209 ,  H05K2201/10477 ,  Y10T29/4935 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

公开(公告)号：TW202027177A

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：TW108124122

申请日：2019-07-09

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 洪 文興 ,  HUNG, WENSEN ,  胡憲斌 ,  HU, HSIEN-PIN ,  林宗澍 ,  LIN, TSUNG-SHU ,  陳琮瑜 ,  CHEN, TSUNG-YU ,  魏文信 ,  WEI, WEN-HSIN ,  勞禎祥 ,  LAO, CHEN-HSIANG

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L23/00 ,  H01L23/02 ,  H01L23/10 ,  H01L23/31 ,  H01L23/42 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065

摘要： 一種封裝式半導體元件及一種用於形成封裝式半導體元件的方法及裝置。在一實施例中，一種方法包括：將元件晶粒接合到基底的第一表面；在所述基底的所述第一表面上沉積黏合劑；在所述元件晶粒的與所述基底相對的表面上沉積熱介面材料；在所述元件晶粒及所述基底之上放置蓋，所述蓋接觸所述黏合劑及所述熱介面材料；對所述蓋及所述基底施加鉗緊力；以及在施加所述鉗緊力時，將所述黏合劑及所述熱介面材料固化。

简体摘要： 一种封装式半导体组件及一种用于形成封装式半导体组件的方法及设备。在一实施例中，一种方法包括：将组件晶粒接合到基底的第一表面；在所述基底的所述第一表面上沉积黏合剂；在所述组件晶粒的与所述基底相对的表面上沉积热界面材料；在所述组件晶粒及所述基底之上放置盖，所述盖接触所述黏合剂及所述热界面材料；对所述盖及所述基底施加钳紧力；以及在施加所述钳紧力时，将所述黏合剂及所述热界面材料固化。

公开(公告)号：TWI688064B

公开(公告)日：2020-03-11

申请号：TW107141305

申请日：2018-11-20

申请人： 美商瓦特洛威電子製造公司 ,  WATLOW ELECTRIC MANUFACTURING COMPANY

发明人： 諾斯拉提 穆罕默德 ,  NOSRATI, MOHAMMAD ,  英格利 庫特 ,  ENGLISH, KURT ,  馬格維奧 派翠克 ,  MARGAVIO, PATRICK ,  史密斯 凱文 ,  SMITH, KEVIN

IPC分类号： H01L23/42

公开(公告)号：TWI648826B

公开(公告)日：2019-01-21

申请号：TW106143107

申请日：2017-12-08

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 林俊成 ,  LIN, JING-CHENG ,  鄭禮輝 ,  CHENG, LI-HUI ,  蔡柏豪 ,  TSAI, PO-HAO

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L23/42

公开(公告)号：TWI643811B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：TW105122038

申请日：2012-11-29

申请人： 日商三菱化學股份有限公司 ,  MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION

发明人： 山崎正典 ,  YAMAZAKI, MASANORI ,  阿部麻理 ,  ABE, MARI ,  村瀨友英 ,  MURASE, TOMOHIDE ,  河瀨康弘 ,  KAWASE, YASUHIRO ,  池本慎 ,  IKEMOTO, MAKOTO ,  桐谷秀紀 ,  KIRITANI, HIDEKI ,  松下泰典 ,  MATSUSHITA, YASUNORI

IPC分类号： C01B21/064 ,  C08K3/38 ,  H01L23/42

公开(公告)号：TWI627717B

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：TW106124509

申请日：2017-07-21

申请人： 聚鼎科技股份有限公司 ,  POLYTRONICS TECHNOLOGY CORPORATION

发明人： 陳國勳 ,  CHEN, KUO-HSUN ,  柯孟君 ,  KO, MENG-CHUN ,  沙益安 ,  SHA, YI-AN

IPC分类号： H01L23/42 ,  H05K3/34

公开(公告)号：TW201820559A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：TW106134899

申请日：2017-10-12

申请人： 德商EPCOS AG集團股份公司 ,  EPCOS AG

发明人： 費區廷格爾 湯瑪士 ,  FEICHTINGER, THOMAS

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/42 ,  H01L27/15

摘要： 說明一種具低故障率之電力模組。將由耗散能量產生的熱從功能結構經一個熱橋(熱滲透)傳導到載體基板的底面。功能元件裝在載體基板的一個凹槽中，以降低熱阻。

简体摘要： 说明一种具低故障率之电力模块。将由耗散能量产生的热从功能结构经一个热桥(热渗透)传导到载体基板的底面。功能组件装在载体基板的一个凹槽中，以降低热阻。

公开(公告)号：TWI615930B

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：TW106108924

申请日：2017-03-17

申请人： 力成科技股份有限公司 ,  POWERTECH TECHNOLOGY INC.

发明人： 徐宏欣 ,  HSU, HUNG-HSIN ,  藍源富 ,  LAN, YUAN-FU ,  張連家 ,  CHANG, LIEN-CHIA

IPC分类号： H01L23/42 ,  H01L23/28

公开(公告)号：TW201643108A

公开(公告)日：2016-12-16

申请号：TW105122038

申请日：2012-11-29

申请人： 三菱化學股份有限公司 ,  MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION

发明人： 山崎正典 ,  YAMAZAKI, MASANORI ,  阿部麻理 ,  ABE, MARI ,  村瀨友英 ,  MURASE, TOMOHIDE ,  河瀨康弘 ,  KAWASE, YASUHIRO ,  池本慎 ,  IKEMOTO, MAKOTO ,  桐谷秀紀 ,  KIRITANI, HIDEKI ,  松下泰典 ,  MATSUSHITA, YASUNORI

IPC分类号： C01B21/064 ,  C08K3/38 ,  H01L23/42

CPC分类号： C09K5/14 ,  C01B21/064 ,  C01B21/0648 ,  C01B35/146 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/30 ,  C01P2004/45 ,  C01P2004/50 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/11 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/14 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/80 ,  C08G59/4042 ,  C08K3/38 ,  C08K2003/385 ,  C08L63/00 ,  H01L21/77 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L27/04 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/2982 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明係提供一種三維積體電路用之組成物，其使用熱傳導之等向性、耐崩壞性、與樹脂間之混練性優越的氮化硼凝集粒子，可形成厚度方向之熱傳導性亦優越的層間填充層。 本發明為一種三維積體電路用之組成物，其含有：氮化硼凝集粒子，係比表面積為10m2/g以上之氮化硼凝集粒子，該氮化硼凝集粒子之表面係由平均粒徑0.05μm以上且1μm以下之氮化硼一次粒子所構成，且為球狀之氮化硼凝集粒子；與120℃下之熔融黏度為100Pa‧s以下之樹脂(A)。

简体摘要： 本发明系提供一种三维集成电路用之组成物，其使用热传导之等向性、耐崩坏性、与树脂间之混练性优越的氮化硼凝集粒子，可形成厚度方向之热传导性亦优越的层间填充层。 本发明为一种三维集成电路用之组成物，其含有：氮化硼凝集粒子，系比表面积为10m2/g以上之氮化硼凝集粒子，该氮化硼凝集粒子之表面系由平均粒径0.05μm以上且1μm以下之氮化硼一次粒子所构成，且为球状之氮化硼凝集粒子；与120℃下之熔融黏度为100Pa‧s以下之树脂(A)。

公开(公告)号：TWI524480B

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW102104819

申请日：2013-02-07

申请人： LG伊諾特股份有限公司 ,  LG INNOTEK CO., LTD.

发明人： 洪大基 ,  HONG, TAE KI ,  林埈永 ,  LIM, JUN YOUNG ,  尹亨珪 ,  YOON, HYUNG KYU ,  曹龍鉉 ,  CHO, YONG HYUN

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/42

CPC分类号： H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2924/00014