公开(公告)号：TWI567938B

公开(公告)日：2017-01-21

申请号：TW105113277

申请日：2010-07-08

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  桑原秀明 ,  KUWABARA, HIDEAKI

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/45

公开(公告)号：TWI562246B

公开(公告)日：2016-12-11

申请号：TW104134876

申请日：2010-09-01

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  丸山穗高 ,  MARUYAMA, HOTAKA

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L51/52 ,  H01L2227/323

公开(公告)号：TWI562243B

公开(公告)日：2016-12-11

申请号：TW100113204

申请日：2011-04-15

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  古野誠 ,  FURUNO, MAKOTO

IPC: H01L21/336 ,  C23C14/06

CPC classification number: H01L21/02266 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L28/60 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TW201642475A

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：TW105127071

申请日：2010-12-09

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  丸山哲紀 ,  MARUYAMA, TETSUNORI ,  井本裕己 ,  IMOTO, YUKI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24

Abstract: 已瞭解了矽半導體的許多物理性質，然而氧化物半導體的許多物理性質仍不清楚。特別是，氧化物半導體上的雜質之有害影響仍尚未清楚。有鑑於上述，係揭露一種結構，其中防止或消除會影響包括氧化物半導體層之半導體裝置的電特性之雜質。提出一種半導體裝置，其包括：閘極電極、氧化物半導體層、以及設置於該閘極電極和該氧化物半導體層之間的閘極絕緣層，且其中該氧化物半導體層中的氮濃度為1×1020atoms/cm3或以下。

Abstract in simplified Chinese: 已了解了硅半导体的许多物理性质，然而氧化物半导体的许多物理性质仍不清楚。特别是，氧化物半导体上的杂质之有害影响仍尚未清楚。有鉴于上述，系揭露一种结构，其中防止或消除会影响包括氧化物半导体层之半导体设备的电特性之杂质。提出一种半导体设备，其包括：闸极电极、氧化物半导体层、以及设置于该闸极电极和该氧化物半导体层之间的闸极绝缘层，且其中该氧化物半导体层中的氮浓度为1×1020atoms/cm3或以下。

公开(公告)号：TWI559500B

公开(公告)日：2016-11-21

申请号：TW099123121

申请日：2010-07-14

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  桑原秀明 ,  KUWABARA, HIDEAKI ,  川俣郁子 ,  KAWAMATA, IKUKO

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1251 ,  G02F1/13454 ,  G02F2201/40 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1233

公开(公告)号：TWI559499B

公开(公告)日：2016-11-21

申请号：TW099123119

申请日：2010-07-14

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  桑原秀明 ,  KUWABARA, HIDEAKI

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TW201640589A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：TW105124778

申请日：2010-06-29

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  大原宏樹 ,  OHARA, HIROKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02664 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869

Abstract: 本發明的目的之一是提供一種包括具有穩定的電特性的薄膜電晶體的高可靠性的半導體裝置。另外，本發明的目的之一是以低成本且以高良率提供一種高可靠性的半導體裝置。說明一種半導體裝置的製造方法，該半導體裝置包括薄膜電晶體，在該薄膜電晶體中作為包括通道形成區的半導體層、源極區及汲極區使用氧化物半導體層。在上述半導體裝置的製造方法中，提高氧化物半導體層的純度並進行減少作為雜質的水分等的加熱處理(用於脫水化或脫氫化的加熱處理)。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一是提供一种包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体设备。另外，本发明的目的之一是以低成本且以高良率提供一种高可靠性的半导体设备。说明一种半导体设备的制造方法，该半导体设备包括薄膜晶体管，在该薄膜晶体管中作为包括信道形成区的半导体层、源极区及汲极区使用氧化物半导体层。在上述半导体设备的制造方法中，提高氧化物半导体层的纯度并进行减少作为杂质的水分等的加热处理(用于脱水化或脱氢化的加热处理)。

公开(公告)号：TWI557907B

公开(公告)日：2016-11-11

申请号：TW099143057

申请日：2010-12-09

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  丸山哲紀 ,  MARUYAMA, TETSUNORI ,  井本裕己 ,  IMOTO, YUKI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24

公开(公告)号：TWI553882B

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：TW104108311

申请日：2010-03-05

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  廣橋拓也 ,  HIROHASHI, TAKUYA ,  岸田英幸 ,  KISHIDA, HIDEYUKI

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201631784A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW105116650

申请日：2010-09-15

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  渡邊了介 ,  WATANABE, RYOSUKE ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  宮永昭治 ,  MIYANAGA, AKIHARU ,  廣橋拓也 ,  HIROHASHI, TAKUYA ,  岸田英幸 ,  KISHIDA, HIDEYUKI

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/76 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/2636 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 一個靶為提供具良好電氣特性之高度可靠半導體裝置，及包括該半導體裝置做為開關元件之顯示裝置。在包括氧化半導體層之電晶體中，設於該氧化半導體層至少一表面側之針狀結晶組係以垂直於該表面之c軸方向生長，並包括平行於該表面之a-b平面，且除了該針狀結晶組以外之部分為非結晶區或非結晶及微晶混合區。因此，可形成具良好電氣特性之高度可靠半導體裝置。

Abstract in simplified Chinese: 一个靶为提供具良好电气特性之高度可靠半导体设备，及包括该半导体设备做为开关组件之显示设备。在包括氧化半导体层之晶体管中，设于该氧化半导体层至少一表面侧之针状结晶组系以垂直于该表面之c轴方向生长，并包括平行于该表面之a-b平面，且除了该针状结晶组以外之部分为非结晶区或非结晶及微晶混合区。因此，可形成具良好电气特性之高度可靠半导体设备。