公开(公告)号：TW201635484A

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW105116639

申请日：2010-09-15

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  丸山穗高 ,  MARUYAMA, HOTAKA ,  鄉戶宏充 ,  GODO, HIROMICHI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/1233 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288

Abstract: 一個目的是得到使用氧化物半導體的薄膜電晶體之期望的臨界電壓。另一個目的是抑制臨界電壓隨時間的變化。具體上，一個目的是要將薄膜電晶體應用至使用具有期望的臨界電壓的電晶體形成的邏輯電路。為了達到上述目的，包括不同厚度的氧化物半導體層之薄膜電晶體可被形成在同一基板上，且臨界電壓由氧化物半導體層的厚度控制的薄膜電晶體可被用以形成一邏輯電路。此外，經由使用與在去水或去氫處理之後形成的氧化物絕緣膜接觸的氧化物半導體膜，臨界電壓隨著時間的變化被抑制且邏輯電路的可靠度可被改善。

Abstract in simplified Chinese: 一个目的是得到使用氧化物半导体的薄膜晶体管之期望的临界电压。另一个目的是抑制临界电压随时间的变化。具体上，一个目的是要将薄膜晶体管应用至使用具有期望的临界电压的晶体管形成的逻辑电路。为了达到上述目的，包括不同厚度的氧化物半导体层之薄膜晶体管可被形成在同一基板上，且临界电压由氧化物半导体层的厚度控制的薄膜晶体管可被用以形成一逻辑电路。此外，经由使用与在去水或去氢处理之后形成的氧化物绝缘膜接触的氧化物半导体膜，临界电压随着时间的变化被抑制且逻辑电路的可靠度可被改善。

公开(公告)号：TWI543376B

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：TW099131044

申请日：2010-09-14

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  丸山穗高 ,  MARUYAMA, HOTAKA ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225

公开(公告)号：TWI539604B

公开(公告)日：2016-06-21

申请号：TW099129684

申请日：2010-09-02

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  野田耕生 ,  NODA, KOSEI ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  丸山穗高 ,  MARUYAMA, HOTAKA

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201604968A

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：TW104134876

申请日：2010-09-01

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  丸山穗高 ,  MARUYAMA, HOTAKA

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L51/52 ,  H01L2227/323

Abstract: 目的係為了提高發光裝置的可靠性。發光裝置在一基板上具有：驅動器電路部，其包括用於驅動器電路之電晶體；及像素部，其包括用於像素之電晶體。用於該驅動器電路之該電晶體和用於該像素之該電晶體為反向交錯式電晶體，其各個包括與氧化物絕緣層的一部分接觸之氧化物半導體層。在該像素部中，濾色器層和發光元件係設置在該氧化物絕緣層上。在用於該驅動器電路的該電晶體中，與閘極電極層和該氧化物半導體層重疊之導電層係設置在該氧化物絕緣層上。該閘極電極層、源極電極層、和汲極電極層係使用金屬導電膜所形成。

Abstract in simplified Chinese: 目的系为了提高发光设备的可靠性。发光设备在一基板上具有：驱动器电路部，其包括用于驱动器电路之晶体管；及像素部，其包括用于像素之晶体管。用于该驱动器电路之该晶体管和用于该像素之该晶体管为反向交错式晶体管，其各个包括与氧化物绝缘层的一部分接触之氧化物半导体层。在该像素部中，滤色器层和发光组件系设置在该氧化物绝缘层上。在用于该驱动器电路的该晶体管中，与闸极电极层和该氧化物半导体层重叠之导电层系设置在该氧化物绝缘层上。该闸极电极层、源极电极层、和汲极电极层系使用金属导电膜所形成。

公开(公告)号：TW201603240A

公开(公告)日：2016-01-16

申请号：TW104132834

申请日：2010-07-26

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  丸山穗高 ,  MARUYAMA, HOTAKA

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/385 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L33/0041 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明的課題之一是提高半導體裝置的可靠性。本發明的一種實施例是一種半導體裝置，包括同一個基板上的驅動電路部、顯示部(也稱為像素部)，驅動電路部和顯示部包括其半導體層使用氧化物半導體構成的薄膜電晶體、第一佈線、第二佈線，並且，薄膜電晶體包括與半導體層的端部相比其端部位於更內側的源極電極層或汲極電極層，並且，在驅動電路部中的薄膜電晶體中，利用閘極電極層和導電層夾持半導體層，並且，第一佈線和第二佈線藉由設置在閘極絕緣層中的開口中隔著氧化物導電層電連接。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的课题之一是提高半导体设备的可靠性。本发明的一种实施例是一种半导体设备，包括同一个基板上的驱动电路部、显示部(也称为像素部)，驱动电路部和显示部包括其半导体层使用氧化物半导体构成的薄膜晶体管、第一布线、第二布线，并且，薄膜晶体管包括与半导体层的端部相比其端部位于更内侧的源极电极层或汲极电极层，并且，在驱动电路部中的薄膜晶体管中，利用闸极电极层和导电层夹持半导体层，并且，第一布线和第二布线借由设置在闸极绝缘层中的开口中隔着氧化物导电层电连接。

公开(公告)号：TWI489627B

公开(公告)日：2015-06-21

申请号：TW099103331

申请日：2010-02-04

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  丸山穗高 ,  MARUYAMA, HOTAKA ,  鄉戶宏充 ,  GODO, HIROMICHI ,  河江大輔 ,  KAWAE, DAISUKE ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  C23C14/08

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/156 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI395028B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：TW094138144

申请日：2005-10-31

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  丸山穗高 ,  MARUYAMA, HOTAKA ,  曾根寬人 ,  SONE, NORIHITO ,  池田壽雄 ,  IKEDA, HISAO ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  瀨尾哲史 ,  SEO, SATOSHI

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5052 ,  H01L51/5218 ,  H01L2251/5315