公开(公告)号：TW201613106A

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：TW104144082

申请日：2010-09-28

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  平石鈴之介 ,  HIRAISHI, SUZUNOSUKE ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/45

Abstract: 目的係為了在包括氧化物半導體層的薄膜電晶體中，降低該氧化物半導體層與電連接到該氧化物半導體層的源極和汲極電極層之間的接觸電阻。該源極和汲極電極層具有兩或多層的堆疊結構。在層的此堆疊中，與該氧化物半導體層接觸之層為薄的銦層或薄的銦合金層。需注意的是，該氧化物半導體層含有銦。該源極和汲極電極層中之第二層或第二和隨後的層的任一個係使用選自Al(鋁)、Cr(鉻)、Cu(銅)、Ta(鉭)、Ti(鈦)、Mo(鉬)、及W(鎢)的元素，含有這些元素的任一個作為成分之合金，或含有這些元素組合的任一個之合金等所形成。

Abstract in simplified Chinese: 目的系为了在包括氧化物半导体层的薄膜晶体管中，降低该氧化物半导体层与电连接到该氧化物半导体层的源极和汲极电极层之间的接触电阻。该源极和汲极电极层具有两或多层的堆栈结构。在层的此堆栈中，与该氧化物半导体层接触之层为薄的铟层或薄的铟合金层。需注意的是，该氧化物半导体层含有铟。该源极和汲极电极层中之第二层或第二和随后的层的任一个系使用选自Al(铝)、Cr(铬)、Cu(铜)、Ta(钽)、Ti(钛)、Mo(钼)、及W(钨)的元素，含有这些元素的任一个作为成分之合金，或含有这些元素组合的任一个之合金等所形成。

公开(公告)号：TW201611296A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：TW104142715

申请日：2010-11-04

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  平石鈴之介 ,  HIRAISHI, SUZUNOSUKE ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 一目的在於，在包括氧化物半導體層之薄膜電晶體中，減少氧化物半導體層與電連接至氧化物半導體層的源極及汲極電極層之間的接觸電阻。源極及汲極電極層具有兩或更多層之堆疊層結構，其中使用工作函數比氧化物半導體層之工作函數更低之一金屬或含有這類金屬的合金來形成接觸氧化物半導體層的層。使用選自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、或W之元素、含有這些元素之任何作為成分的合金、含有這些元素之任何的組合之合金、或之類來形成源極及汲極電極層之與氧化物半導體層接觸的層以外的層。

Abstract in simplified Chinese: 一目的在于，在包括氧化物半导体层之薄膜晶体管中，减少氧化物半导体层与电连接至氧化物半导体层的源极及汲极电极层之间的接触电阻。源极及汲极电极层具有两或更多层之堆栈层结构，其中使用工作函数比氧化物半导体层之工作函数更低之一金属或含有这类金属的合金来形成接触氧化物半导体层的层。使用选自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、或W之元素、含有这些元素之任何作为成分的合金、含有这些元素之任何的组合之合金、或之类来形成源极及汲极电极层之与氧化物半导体层接触的层以外的层。

公开(公告)号：TWI518799B

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：TW102123173

申请日：2010-06-29

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  大原宏樹 ,  OHARA, HIROKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/477 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/383 ,  H01L21/46 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

公开(公告)号：TWI515907B

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW098137298

申请日：2009-11-03

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  丸山哲紀 ,  MARUYAMA, TETSUNORI ,  井本裕己 ,  IMOTO, YUKI ,  淺野裕治 ,  ASANO, YUJI ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66742 ,  C04B35/58 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TW201545242A

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：TW104129177

申请日：2010-08-26

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/477 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明提供一種顯示特性優越的顯示裝置，其中使用根據其電路特徵的不同結構的電晶體分別形成同一基板上的像素電路及驅動電路。在該驅動電路部中，包括閘極電極層、源極電極層及汲極電極層由金屬膜構成，且通道層由氧化物半導體構成的驅動電路用電晶體。此外，在該像素部中，包括閘極電極層、源極電極層及汲極電極層由氧化物導電體構成，且半導體層由氧化物半導體構成的像素用電晶體。該像素用電晶體由具有透光性的材料形成，並製造高孔徑比的顯示裝置。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种显示特性优越的显示设备，其中使用根据其电路特征的不同结构的晶体管分别形成同一基板上的像素电路及驱动电路。在该驱动电路部中，包括闸极电极层、源极电极层及汲极电极层由金属膜构成，且信道层由氧化物半导体构成的驱动电路用晶体管。此外，在该像素部中，包括闸极电极层、源极电极层及汲极电极层由氧化物导电体构成，且半导体层由氧化物半导体构成的像素用晶体管。该像素用晶体管由具有透光性的材料形成，并制造高孔径比的显示设备。

公开(公告)号：TWI508301B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：TW099129682

申请日：2010-09-02

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255

公开(公告)号：TWI501319B

公开(公告)日：2015-09-21

申请号：TW098143357

申请日：2009-12-17

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN

IPC: H01L21/336 ,  G09G3/20

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI495015B

公开(公告)日：2015-08-01

申请号：TW101128355

申请日：2010-11-26

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  大原宏樹 ,  OHARA, HIROKI

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/465 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/324 ,  H01L21/477 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201528387A

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：TW104112387

申请日：2009-12-16

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02664 ,  H01L22/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 在含有氫的氧化物半導體層上選擇性地設置氫阻擋層，並且藉由進行氧化處理，從氧化物半導體層的預定區域選擇性地脫離氫，來在氧化物半導體層中形成導電率不同的區域。然後，藉由利用形成在氧化物半導體層中的導電率不同的區域，可以形成通道形成區、源區及汲區。

Abstract in simplified Chinese: 在含有氢的氧化物半导体层上选择性地设置氢阻挡层，并且借由进行氧化处理，从氧化物半导体层的预定区域选择性地脱离氢，来在氧化物半导体层中形成导电率不同的区域。然后，借由利用形成在氧化物半导体层中的导电率不同的区域，可以形成信道形成区、源区及汲区。

公开(公告)号：TWI492316B

公开(公告)日：2015-07-11

申请号：TW101126953

申请日：2010-11-18

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  大原宏樹 ,  OHARA, HIROKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78696 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2001/133531 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G09G3/3677 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/324 ,  H01L21/477 ,  H01L21/67115 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869