公开(公告)号：TWI557907B

公开(公告)日：2016-11-11

申请号：TW099143057

申请日：2010-12-09

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  丸山哲紀 ,  MARUYAMA, TETSUNORI ,  井本裕己 ,  IMOTO, YUKI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24

公开(公告)号：TWI553882B

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：TW104108311

申请日：2010-03-05

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  廣橋拓也 ,  HIROHASHI, TAKUYA ,  岸田英幸 ,  KISHIDA, HIDEYUKI

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201631784A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW105116650

申请日：2010-09-15

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  渡邊了介 ,  WATANABE, RYOSUKE ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  宮永昭治 ,  MIYANAGA, AKIHARU ,  廣橋拓也 ,  HIROHASHI, TAKUYA ,  岸田英幸 ,  KISHIDA, HIDEYUKI

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/76 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/2636 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 一個靶為提供具良好電氣特性之高度可靠半導體裝置，及包括該半導體裝置做為開關元件之顯示裝置。在包括氧化半導體層之電晶體中，設於該氧化半導體層至少一表面側之針狀結晶組係以垂直於該表面之c軸方向生長，並包括平行於該表面之a-b平面，且除了該針狀結晶組以外之部分為非結晶區或非結晶及微晶混合區。因此，可形成具良好電氣特性之高度可靠半導體裝置。

Abstract in simplified Chinese: 一个靶为提供具良好电气特性之高度可靠半导体设备，及包括该半导体设备做为开关组件之显示设备。在包括氧化半导体层之晶体管中，设于该氧化半导体层至少一表面侧之针状结晶组系以垂直于该表面之c轴方向生长，并包括平行于该表面之a-b平面，且除了该针状结晶组以外之部分为非结晶区或非结晶及微晶混合区。因此，可形成具良好电气特性之高度可靠半导体设备。

公开(公告)号：TW201631746A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW105114941

申请日：2010-10-28

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  宮永昭治 ,  MIYANAGA, AKIHARU ,  高橋正弘 ,  TAKAHASHI, MASAHIRO ,  岸田英幸 ,  KISHIDA, HIDEYUKI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 一個目的係提供包含氧化物半導體之半導體裝置，其可提供穩定的電性特性。以懸鍵為特徵之具有多個缺陷的絕緣層係形成於氧化物半導體層之上，且氧過量之混合區或氧過量之氧化物絕緣層係夾設其間，藉此，氧化物半導體層中之雜質(例如氫或濕氣(氫原子或包含氫原子之化合物，例如H2O))被移動通過氧過量之混合區或氧過量之氧化物絕緣層，且擴散進入絕緣層。因此，氧化物半導體層之雜質濃度被減低。

Abstract in simplified Chinese: 一个目的系提供包含氧化物半导体之半导体设备，其可提供稳定的电性特性。以悬键为特征之具有多个缺陷的绝缘层系形成于氧化物半导体层之上，且氧过量之混合区或氧过量之氧化物绝缘层系夹设其间，借此，氧化物半导体层中之杂质(例如氢或湿气(氢原子或包含氢原子之化合物，例如H2O))被移动通过氧过量之混合区或氧过量之氧化物绝缘层，且扩散进入绝缘层。因此，氧化物半导体层之杂质浓度被减低。

公开(公告)号：TWI545770B

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：TW103139363

申请日：2010-09-15

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  渡邊了介 ,  WATANABE, RYOSUKE ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  宮永昭治 ,  MIYANAGA, AKIHARU ,  廣橋拓也 ,  HIROHASHI, TAKUYA ,  岸田英幸 ,  KISHIDA, HIDEYUKI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/2636 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TWI545756B

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：TW098138245

申请日：2009-11-11

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  廣橋拓也 ,  HIROHASHI, TAKUYA ,  高橋正弘 ,  TAKAHASHI, MASAHIRO ,  岸田英幸 ,  KISHIDA, HIDEYUKI ,  宮永昭治 ,  MIYANAGA, AKIHARU

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/203 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28158 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

公开(公告)号：TWI543334B

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：TW104110969

申请日：2010-08-06

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 木村肇 ,  KIMURA, HAJIME ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  豐高耕平 ,  TOYOTAKA, KOHEI

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1225

公开(公告)号：TWI541903B

公开(公告)日：2016-07-11

申请号：TW099132251

申请日：2010-09-23

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  宮永昭治 ,  MIYANAGA, AKIHARU ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  丸山哲紀 ,  MARUYAMA, TETSUNORI ,  井本裕己 ,  IMOTO, YUKI

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66742 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TW201624088A

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW105109001

申请日：2010-09-01

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI

IPC: G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225

Abstract: 目的係為了設置主動矩陣式液晶顯示裝置，其中複數種電路係形成在一基板上，及複數種薄膜電晶體係設置對應於該複數種電路的特性。反向共面薄膜電晶體被用於像素薄膜電晶體，該反向共面薄膜電晶體包括在源極電極層和汲極電極層上並且與源極電極層和汲極電極層重疊之氧化物半導體層。通道保護薄膜電晶體被用於驅動器電路薄膜電晶體。此外，該像素薄膜電晶體的主要部分係使用透光材料所形成，使得孔徑比增加。

Abstract in simplified Chinese: 目的系为了设置主动矩阵式液晶显示设备，其中复数种电路系形成在一基板上，及复数种薄膜晶体管系设置对应于该复数种电路的特性。反向共面薄膜晶体管被用于像素薄膜晶体管，该反向共面薄膜晶体管包括在源极电极层和汲极电极层上并且与源极电极层和汲极电极层重叠之氧化物半导体层。信道保护薄膜晶体管被用于驱动器电路薄膜晶体管。此外，该像素薄膜晶体管的主要部分系使用透光材料所形成，使得孔径比增加。

公开(公告)号：TWI539588B

公开(公告)日：2016-06-21

申请号：TW099129492

申请日：2010-09-01

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/1251 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3262