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公开(公告)号：TWI623979B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW105130462
申请日：2010-11-30
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 大原宏樹 , OHARA, HIROKI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28
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公开(公告)号：TWI623046B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106104917
申请日：2010-06-28
发明人： 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 大原宏樹 , OHARA, HIROKI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/324
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公开(公告)号：TW201813108A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106129813
申请日：2009-10-26
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 河江大輔 , KAWAE, DAISUKE
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/41733 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/4908 , H01L29/786 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L51/0508 , H01L51/0512 , H01L51/0545 , H01L51/105
摘要： 本發明揭示了一種結構及其製造方法，藉由該結構可減輕可能在底閘薄膜電晶體中的源極電極與汲極電極之間出現的電場集中，並抑制開關特性的的劣化。製造了一種底閘薄膜電晶體，在該底閘薄膜電晶體中氧化物半導體層被設置在源極電極和汲極電極上，而且與氧化物半導體層接觸的源極電極的側表面的角θ1和與氧化物半導體層接觸的汲極電極的側表面的角θ2分別被設置為大於或等於20°且小於90°，從而增大了各個電極的側表面中從上邊緣到下邊緣的距離。
简体摘要： 本发明揭示了一种结构及其制造方法，借由该结构可减轻可能在底闸薄膜晶体管中的源极电极与汲极电极之间出现的电场集中，并抑制开关特性的的劣化。制造了一种底闸薄膜晶体管，在该底闸薄膜晶体管中氧化物半导体层被设置在源极电极和汲极电极上，而且与氧化物半导体层接触的源极电极的侧表面的角θ1和与氧化物半导体层接触的汲极电极的侧表面的角θ2分别被设置为大于或等于20°且小于90°，从而增大了各个电极的侧表面中从上边缘到下边缘的距离。
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公开(公告)号：TW201812762A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106142154
申请日：2010-11-23
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI,SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA,JUN , 加藤清 , KATO,KIYOSHI
IPC分类号： G11C11/401
CPC分类号： G11C11/405 , G11C16/0425 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L27/1203 , H01L27/1225
摘要： 該半導體裝置包括第一佈線；第二佈線；第三佈線；第四佈線；具有第一閘極電極、第一源極電極及第一汲極電極之第一電晶體；及具有第二閘極電極、第二源極電極及第二汲極電極之第二電晶體。該第一電晶體係形成於包括半導體材料之基板之上或之中。該第二電晶體包括氧化物半導體層。
简体摘要： 该半导体设备包括第一布线；第二布线；第三布线；第四布线；具有第一闸极电极、第一源极电极及第一汲极电极之第一晶体管；及具有第二闸极电极、第二源极电极及第二汲极电极之第二晶体管。该第一晶体管系形成于包括半导体材料之基板之上或之中。该第二晶体管包括氧化物半导体层。
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公开(公告)号：TWI700680B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW108104169
申请日：2010-04-22
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI,SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA,JUN , 荒井康行 , ARAI,YASUYUKI , 川郁子 , KAWAMATA,IKUKO , 宮口厚 , MIYAGUCHI,ATSUSHI , 守屋芳隆 , MORIYA,YOSHITAKA
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公开(公告)号：TW202027279A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108143098
申请日：2019-11-27
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 村川努 , MURAKAWA, TSUTOMU , 須澤英臣 , SUZAWA, HIDEOMI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/8234 , H01L27/088
摘要： 提供一種具有良好電特性的半導體裝置。一種半導體裝置包括第一絕緣體、第一絕緣體上的第二絕緣體、第二絕緣體上的第三絕緣體、第三絕緣體上的第四絕緣體及第一導電體、第四絕緣體上及第一導電體上的第五絕緣體、第五絕緣體上的第一氧化物、第一氧化物上的第二導電體及第三導電體、第一氧化物上的位於第二導電體與第三導電體間的第二氧化物、第二氧化物上的第六絕緣體以及第六絕緣體上的第四導電體。其中，第二絕緣體的氫濃度低於第一絕緣體的氫濃度，第三絕緣體的氫濃度低於第二絕緣體的氫濃度。
简体摘要： 提供一种具有良好电特性的半导体设备。一种半导体设备包括第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体、第二绝缘体上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第四绝缘体及第一导电体、第四绝缘体上及第一导电体上的第五绝缘体、第五绝缘体上的第一氧化物、第一氧化物上的第二导电体及第三导电体、第一氧化物上的位于第二导电体与第三导电体间的第二氧化物、第二氧化物上的第六绝缘体以及第六绝缘体上的第四导电体。其中，第二绝缘体的氢浓度低于第一绝缘体的氢浓度，第三绝缘体的氢浓度低于第二绝缘体的氢浓度。
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公开(公告)号：TW202026727A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW109101738
申请日：2015-10-23
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 平形吉晴 , HIRAKATA, YOSHIHARU , 浜田崇 , HAMADA, TAKASHI , 横山浩平 , YOKOYAMA, KOHEI , 神保安弘 , JINBO, YASUHIRO , 石谷哲二 , ISHITANI, TETSUJI , 久保田大介 , KUBOTA, DAISUKE
IPC分类号： G02F1/1335 , G02F1/1343 , H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/20
摘要： 本發明的一個實施方式的目的是提供一種週邊電路部的工作穩定性高的顯示裝置。本發明的一個實施方式是一種顯示裝置，包括：第一基板；以及第二基板，在第一基板的第一面上設置有第一絕緣層，在第二基板的第一面上設置有第二絕緣層，第一基板的第一面與所述第二基板的第一面相對，在第一絕緣層與所述第二絕緣層之間設置有黏合層，在第一基板及第二基板的邊緣部附近形成有與第一基板、第一絕緣層、黏合層、第二絕緣層、第二基板接觸的保護膜。
简体摘要： 本发明的一个实施方式的目的是提供一种周边电路部的工作稳定性高的显示设备。本发明的一个实施方式是一种显示设备，包括：第一基板；以及第二基板，在第一基板的第一面上设置有第一绝缘层，在第二基板的第一面上设置有第二绝缘层，第一基板的第一面与所述第二基板的第一面相对，在第一绝缘层与所述第二绝缘层之间设置有黏合层，在第一基板及第二基板的边缘部附近形成有与第一基板、第一绝缘层、黏合层、第二绝缘层、第二基板接触的保护膜。
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公开(公告)号：TWI698959B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW107113575
申请日：2011-08-25
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108 , G11C11/401 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C8/08 , G11C8/14
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公开(公告)号：TWI697128B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW108115337
申请日：2010-05-11
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/49 , H01L21/336
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公开(公告)号：TWI697127B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW107116839
申请日：2010-12-07
发明人： 木村肇 , KIMURA, HAJIME , 梅崎敦司 , UMEZAKI, ATSUSHI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12
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