公开(公告)号：TWI311550B

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：TW095112890

申请日：2006-04-11

申请人： 村田製作所股份有限公司 MURATA MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 世林武久 SAYABAYASHI, TAKEHISA ,  石原雅之 ISHIHARA, MASAYUKI ,  中村友幸 NAKAMURA, TOMOYUKI ,  佐野晴信 SANO, HARUNOBU

IPC分类号： C04B ,  H01G

CPC分类号： C04B35/62675 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62815 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3291 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

摘要： 本發明提供一種介電質陶瓷,其係介電常數高如5500以上,且介電常數溫度特性良好;並提供一種積層陶瓷電容器,其係小型大容量且靜電容量溫度特性滿足X5R特性。
本發明之介電質陶瓷,具有包含BaTiO3系或(Ba,Ca)TiO3系之主成分,與含有稀土元素及Cu之添加成分的組成,且具有包含晶粒與佔據晶粒間隙之晶界的構造,其特徵在於:觀察上述介電質陶瓷之剖面時,滿足如下條件,對於上述晶粒中55~85%個數的晶粒,存在上述稀土元素之區域為90%以上,且對於上述晶粒中15%~45%個數的晶粒,存在上述稀土元素之區域小於10%,並且上述晶界之稀土元素平均濃度,與上述晶粒內部存在稀土元素之區域的稀土元素平均濃度之比小於2。

简体摘要： 本发明提供一种介电质陶瓷,其系介电常数高如5500以上,且介电常数温度特性良好;并提供一种积层陶瓷电容器,其系小型大容量且静电容量温度特性满足X5R特性。 本发明之介电质陶瓷,具有包含BaTiO3系或(Ba,Ca)TiO3系之主成分,与含有稀土元素及Cu之添加成分的组成,且具有包含晶粒与占据晶粒间隙之晶界的构造,其特征在于:观察上述介电质陶瓷之剖面时,满足如下条件,对于上述晶粒中55~85%个数的晶粒,存在上述稀土元素之区域为90%以上,且对于上述晶粒中15%~45%个数的晶粒,存在上述稀土元素之区域小于10%,并且上述晶界之稀土元素平均浓度,与上述晶粒内部存在稀土元素之区域的稀土元素平均浓度之比小于2。

公开(公告)号：TW200914393A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：TW097111701

申请日：2008-03-31

申请人： 京瓷股份有限公司 KYOCERA CORPORATION

发明人： 山口勝義 YAMAGUCHI KATSUYOSHI

IPC分类号： C04B ,  H01G

CPC分类号： H01G4/1227 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  H01B3/12

摘要： 本發明的介電陶瓷,係具有以鈦酸鋇為主成分的結晶粒子、與在該結晶粒子間所形成的晶界相之介電陶瓷,藉由鎂、釔、錳及鎦依氧化物換算含有既定比例,同時,將結晶粒子的平均粒徑設為0.05~0.2���m,便可獲得介電常數的溫度變化率小於習知具有强介電性介電陶瓷,且相較於習知具有常介電性的介電陶瓷之下,屬高介電率,並顯示出安定的介電常數溫度特性,同時自發極化亦較小的介電陶瓷。此外,藉由將上述介電陶瓷使用為介電質層,便可形成相較於習知電容器之下,呈高電容且電容溫度特性安定的電容器。

简体摘要： 本发明的介电陶瓷,系具有以钛酸钡为主成分的结晶粒子、与在该结晶粒子间所形成的晶界相之介电陶瓷,借由镁、钇、锰及镥依氧化物换算含有既定比例,同时,将结晶粒子的平均粒径设为0.05~0.2���m,便可获得介电常数的温度变化率小于习知具有强介电性介电陶瓷,且相较于习知具有常介电性的介电陶瓷之下,属高介电率,并显示出安定的介电常数温度特性,同时自发极化亦较小的介电陶瓷。此外,借由将上述介电陶瓷使用为介电质层,便可形成相较于习知电容器之下,呈高电容且电容温度特性安定的电容器。

公开(公告)号：TW200908041A

公开(公告)日：2009-02-16

申请号：TW097106477

申请日：2008-02-25

申请人： 村田製作所股份有限公司 MURATA MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 世林武久 SASABAYASHI, TAKEHISA ,  中村友幸 NAKAMURA, TOMOYUKI ,  矢尾剛之 YAO, TAKAYUKI ,  石原雅之 ISHIHARA, MASAYUKI

IPC分类号： H01G ,  C04B

CPC分类号： H01G4/1227 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3291 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5481 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/80 ,  H01B3/12 ,  H01G4/30 ,  Y10T29/435

摘要： 本發明實現一種介電質陶瓷以及使用該介電質陶瓷之積層陶瓷電容器,該介電質陶瓷之AC電壓特性良好,可維持所需之較大介電常數及良好之溫度特性,介電損失亦較小,且可確保可靠性。本發明之介電質陶瓷由通式:100BamTiO3+aROn+bMOv+cXOw(R為Dy、La等特定之稀土類元素,M為Mn、Mg等特定之金屬元素,n、v及w為根據元素R、M以及燒結助劑成分X之價數所唯一定出之正數)表示,主相粒子中上述副成分之固溶區域之剖面積比平均為10%以下(包含0%),燒結助劑成分X至少含有Si。m、a、b、c為0.995≦m≦1.030、0.1≦a≦2.0、0.1≦b≦3.0、0.1≦c≦5.0。積層陶瓷電容器之介電質層1a~1g係藉由上述介電質陶瓷所形成。

简体摘要： 本发明实现一种介电质陶瓷以及使用该介电质陶瓷之积层陶瓷电容器,该介电质陶瓷之AC电压特性良好,可维持所需之较大介电常数及良好之温度特性,介电损失亦较小,且可确保可靠性。本发明之介电质陶瓷由通式:100BamTiO3+aROn+bMOv+cXOw(R为Dy、La等特定之稀土类元素,M为Mn、Mg等特定之金属元素,n、v及w为根据元素R、M以及烧结助剂成分X之价数所唯一定出之正数)表示,主相粒子中上述副成分之固溶区域之剖面积比平均为10%以下(包含0%),烧结助剂成分X至少含有Si。m、a、b、c为0.995≦m≦1.030、0.1≦a≦2.0、0.1≦b≦3.0、0.1≦c≦5.0。积层陶瓷电容器之介电质层1a~1g系借由上述介电质陶瓷所形成。

公开(公告)号：TW200902473A

公开(公告)日：2009-01-16

申请号：TW097111621

申请日：2008-03-28

申请人： 京瓷股份有限公司 KYOCERA CORPORATION

发明人： 山崎洋一 YAMAZAKI YOUICHI ,  大鈴英之 OSUZU HIDEYUKI ,  藤岡芳博 FUJIOKA YOSHIHIRO ,  福田大輔 FUKUDA DAISUKE

IPC分类号： C04B ,  H01G

CPC分类号： H01G4/1227 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/79 ,  H01B3/12 ,  H01G4/30

摘要： 本發明的介電陶瓷,係由鈣濃度不同之2種以鈦酸鋇為主成分的結晶粒子(結晶粒子中的鈣濃度少於0.3原子%的第1結晶粒子、與結晶粒子中的鈣濃度達0.3原子%以上的第2結晶粒子)所構成介電陶瓷,其中,上述2種結晶粒子係相對於構成鈦酸鋇的鈦100莫耳之下,含有:釩依V2O5換算計0.1~0.2莫耳、鎂依MgO換算計0.55~0.75莫耳、從釔、鏑、鈥、鉺及鋱中選擇至少1種稀土族元素(RE)依RE2O3換算計0.55~0.75莫耳、以及錳依MnO換算計0.25~0.6莫耳,且當將上述第1結晶粒子面積設為C1、將上述第2結晶粒子面積設為C2時,C2/(C1+C2)將滿足0.5~0.8,同時居禮溫度係85~95℃。

简体摘要： 本发明的介电陶瓷,系由钙浓度不同之2种以钛酸钡为主成分的结晶粒子(结晶粒子中的钙浓度少于0.3原子%的第1结晶粒子、与结晶粒子中的钙浓度达0.3原子%以上的第2结晶粒子)所构成介电陶瓷,其中,上述2种结晶粒子系相对于构成钛酸钡的钛100莫耳之下,含有:钒依V2O5换算计0.1~0.2莫耳、镁依MgO换算计0.55~0.75莫耳、从钇、镝、钬、铒及铽中选择至少1种稀土族元素(RE)依RE2O3换算计0.55~0.75莫耳、以及锰依MnO换算计0.25~0.6莫耳,且当将上述第1结晶粒子面积设为C1、将上述第2结晶粒子面积设为C2时,C2/(C1+C2)将满足0.5~0.8,同时居礼温度系85~95℃。

公开(公告)号：TW200846300A

公开(公告)日：2008-12-01

申请号：TW097104176

申请日：2008-02-04

申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION

发明人： 阿滿三四郎 SANSHIRO AMAN ,  小島隆 TAKASHI KOJIMA ,  宮內真理 MARI MIYAUCHI ,  細野雅和 MASAKAZU HOSONO ,  櫻井彈 DAN SAKURAI ,  高野弘介 KOSUKE TAKANO ,  森崎信人 NOBUTO MORIGASAKI

IPC分类号： C04B ,  H01G

CPC分类号： C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B35/62807 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/79

摘要： 一種介電體陶瓷器組合物,其包括:介電體陶瓷器組合物。此介電體陶瓷器組合物包括:BamTiO2+m(其中,m係0.99≦m≦1.01);BanZrO2+n(其中,n係0.99≦n≦1.01);Mg之氧化物;R之氧化物(其中,R係選自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu所組成之群組中至少1種);選自Mn、Cr、Co及Fe所組成之群組中至少1種元素的氧化物;以及選自Si、Li、Al、Ge及B所組成之群組中至少1種元素的氧化物。其中,相對於100莫耳前述BamTiO2+m而言,以各成分之氧化物或是複合氧化物換算的比率如下,BanZrO2+n:35~65莫耳;Mg氧化物:4~12莫耳;R之氧化物:4~15莫耳;Mn、Cr、Co及Fe之氧化物:0.5~3莫耳;Si、Li、Al、Ge及B之氧化物:3~9莫耳。本發明之目的係提供一種耐壓高、絕緣電阻之加速壽命優、定額電壓高(例如,100V以上)、且可以適用於中高壓用途之介電體陶瓷器組合
物。

简体摘要： 一种介电体陶瓷器组合物,其包括:介电体陶瓷器组合物。此介电体陶瓷器组合物包括:BamTiO2+m(其中,m系0.99≦m≦1.01);BanZrO2+n(其中,n系0.99≦n≦1.01);Mg之氧化物;R之氧化物(其中,R系选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu所组成之群组中至少1种);选自Mn、Cr、Co及Fe所组成之群组中至少1种元素的氧化物;以及选自Si、Li、Al、Ge及B所组成之群组中至少1种元素的氧化物。其中,相对于100莫耳前述BamTiO2+m而言,以各成分之氧化物或是复合氧化物换算的比率如下,BanZrO2+n:35~65莫耳;Mg氧化物:4~12莫耳;R之氧化物:4~15莫耳;Mn、Cr、Co及Fe之氧化物:0.5~3莫耳;Si、Li、Al、Ge及B之氧化物:3~9莫耳。本发明之目的系提供一种耐压高、绝缘电阻之加速寿命优、定额电压高(例如,100V以上)、且可以适用于中高压用途之介电体陶瓷器组合 物。

公开(公告)号：TW200841366A

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：TW097103611

申请日：2008-01-29

申请人： 京瓷股份有限公司 KYOCERA CORPORATION

发明人： 山口勝義 YAMAGUCHI KATSUYOSHI

IPC分类号： H01G ,  C04B

CPC分类号： H01G4/1227 ,  B82Y30/00 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/60 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  H01G4/30

摘要： 本發明的介電陶瓷係具有以鈦酸鋇為主成分的結晶粒子、及在該結晶粒子間所形成的粒界相,其中,相對於構成上述鈦酸鋇的鋇1莫耳,鎂、釔、錳依氧化物換算計含有既定比例,且相對於鈦酸鋇100質量份,鐿依氧化物換算計含有既定比例,結果粒子的平均粒徑為0.05~0.2���m。此外,藉由將上述介電陶瓷應用作為介電質層,便可形成高電容且電容溫度特性穩定的電容器。

简体摘要： 本发明的介电陶瓷系具有以钛酸钡为主成分的结晶粒子、及在该结晶粒子间所形成的粒界相,其中,相对于构成上述钛酸钡的钡1莫耳,镁、钇、锰依氧化物换算计含有既定比例,且相对于钛酸钡100质量份,镱依氧化物换算计含有既定比例,结果粒子的平均粒径为0.05~0.2���m。此外,借由将上述介电陶瓷应用作为介电质层,便可形成高电容且电容温度特性稳定的电容器。

公开(公告)号：TW200839814A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：TW097104175

申请日：2008-02-04

申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION

发明人： 阿滿三四郎 SANSHIRO AMAN ,  小島隆 TAKASHI KOJIMA ,  宮內真理 MARI MIYAUCHI ,  細野雅和 MASAKAZU HOSONO ,  櫻井彈 DAN SAKURAI ,  高野弘介 KOSUKE TAKANO ,  森崎信人 NOBUTO MORIGASAKI

IPC分类号： H01G

CPC分类号： H01G4/1227 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62645 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/30

摘要： 本發明之第1觀點的介電體陶瓷器組成物係包括:含有BaTiO3之主成分;含有BaZrO3之第1副成分;含有Mg之氧化物之第2副成分;含有鹼土類元素之第3副成分;含有選自由Mn、Cr、Co及Fe所組成之群組中至少一種元素之氧化物的第4副成分;含有選自由Si、Al、Ge、B及Li所組成之群組中至少一種元素之氧化物第5副成分。在構成介電體陶瓷器組成物的介電體粒子之中,至少一部份之介電體粒子具有表面擴散構造,其中,該表面擴散構造係由中心層、存在於該中心層周圍的擴散層所構成。以CR表示介電體粒子界面附近之R的濃度値,且以CRmax表示擴散層中之該R之濃度的最大値時,滿足CRmax/CR>1的關係。另外,以CM表示介電體粒子之界面附近之Mg的濃度値,且以CMmax表示該擴散層中之Mg濃度的最大値時,滿足CMmax/CM>1的關係。

简体摘要： 本发明之第1观点的介电体陶瓷器组成物系包括:含有BaTiO3之主成分;含有BaZrO3之第1副成分;含有Mg之氧化物之第2副成分;含有碱土类元素之第3副成分;含有选自由Mn、Cr、Co及Fe所组成之群组中至少一种元素之氧化物的第4副成分;含有选自由Si、Al、Ge、B及Li所组成之群组中至少一种元素之氧化物第5副成分。在构成介电体陶瓷器组成物的介电体粒子之中,至少一部份之介电体粒子具有表面扩散构造,其中,该表面扩散构造系由中心层、存在于该中心层周围的扩散层所构成。以CR表示介电体粒子界面附近之R的浓度値,且以CRmax表示扩散层中之该R之浓度的最大値时,满足CRmax/CR>1的关系。另外,以CM表示介电体粒子之界面附近之Mg的浓度値,且以CMmax表示该扩散层中之Mg浓度的最大値时,满足CMmax/CM>1的关系。

公开(公告)号：TWI298893B

公开(公告)日：2008-07-11

申请号：TW095119434

申请日：2006-06-01

申请人： 村田製作所股份有限公司 MURATA MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 武藤和夫 MUTO, KAZUO ,  中村友幸 NAKAMURA, TOMOYUKI ,  佐野晴信 SANO, HARUNOBU

IPC分类号： H01G ,  C04B ,  H01B

CPC分类号： H01G4/1227 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3291 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/30

摘要： 本發明之介電體陶瓷,係以通式:(Ba1-tCat)m(Ti1-u-xZrwCux)O3
(其中0.96≦m≦1.02、0.001≦x≦0.03、0≦t≦0.1、0≦u≦
0.06)表示之化合物作為主成分,並且含有Dy等之特定稀
土元素Re、Mn等特定金屬元素M、Mg及Si,上述Cu均勻
分散存在於構成上述主成分之主相粒子之中,並且上述各
副成分之含量對於上述主成分100莫耳份,分別對於上述
主成分100莫耳份,分別為Re:0.1~1.5莫耳份、M:
0.1~0.6莫耳份、Mg:0.1~1.5莫耳份、Si:0.1~2.0莫耳
份。藉此,可實現高介電常數、溫度特性良好、可靠度高
且靜電電容的經時變化小之層疊陶瓷電容器。

简体摘要： 本发明之介电体陶瓷,系以通式:(Ba1-tCat)m(Ti1-u-xZrwCux)O3 (其中0.96≦m≦1.02、0.001≦x≦0.03、0≦t≦0.1、0≦u≦ 0.06)表示之化合物作为主成分,并且含有Dy等之特定稀 土元素Re、Mn等特定金属元素M、Mg及Si,上述Cu均匀 分散存在于构成上述主成分之主相粒子之中,并且上述各 副成分之含量对于上述主成分100莫耳份,分别对于上述 主成分100莫耳份,分别为Re:0.1~1.5莫耳份、M: 0.1~0.6莫耳份、Mg:0.1~1.5莫耳份、Si:0.1~2.0莫耳 份。借此,可实现高介电常数、温度特性良好、可靠度高 且静电电容的经时变化小之层叠陶瓷电容器。

公开(公告)号：TW200802439A

公开(公告)日：2008-01-01

申请号：TW096107766

申请日：2007-03-07

申请人： 太陽誘電股份有限公司 TAIYO YUDEN CO., LTD.

发明人： 金田和巳 KANEDA, KAZUMI ,  上田周作 UEDA, SHUSAKU ,  池見慎一郎 IKEMI, SHINICHIRO

IPC分类号： H01G

CPC分类号： C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3263 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/79 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

摘要： 本發明提供一種介電體陶瓷及Ni內部電極積層陶瓷電容器,其可靠性較先前高,且介電常數之溫度特性滿足X6S特性。本發明之特徵在於,以ABO3+aRe+bM+Zr氧化物(其中,ABO3係將鈦酸鋇系固溶體以表示鈣鈦礦結構之通式表示者,Re係自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及Y中選擇之至少1種金屬之氧化物,M係自Mg、Al、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu及Zn中選擇之金屬元素之氧化物,a、b表示將各氧化物換算為包含一個金屬元素之化學式時相對於1mol之ABO3之mol數)記述時,為1.100≦Ba/Ti≦1.700、0.05≦a≦0.25、0.05≦b≦0.25之範圍,Zr氧化物以相對於Ti之Zr之比率記述時,為Ti:Zr=95:5-60:40之範圍。

简体摘要： 本发明提供一种介电体陶瓷及Ni内部电极积层陶瓷电容器,其可靠性较先前高,且介电常数之温度特性满足X6S特性。本发明之特征在于,以ABO3+aRe+bM+Zr氧化物(其中,ABO3系将钛酸钡系固溶体以表示钙钛矿结构之通式表示者,Re系自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及Y中选择之至少1种金属之氧化物,M系自Mg、Al、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu及Zn中选择之金属元素之氧化物,a、b表示将各氧化物换算为包含一个金属元素之化学式时相对于1mol之ABO3之mol数)记述时,为1.100≦Ba/Ti≦1.700、0.05≦a≦0.25、0.05≦b≦0.25之范围,Zr氧化物以相对于Ti之Zr之比率记述时,为Ti:Zr=95:5-60:40之范围。

公开(公告)号：TWI290544B

公开(公告)日：2007-12-01

申请号：TW095110044

申请日：2006-03-23

申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION

发明人： 伊東和重 KAZUSHIGE ITO ,  佐藤陽 AKIRA SATO

IPC分类号： C04B ,  H01B ,  H01G

CPC分类号： H01G4/1227 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/79 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  H01G4/30

摘要： 一種介電體陶瓷組成物，至少包括：主成分，包含鈦酸鋇；第1副成分，包含選擇自MgO、CaO、BaO及SrO所組成之群組中至少1種；第2副成分，包含選擇自Al2O3、 Li2O及B2O3所組成之群組中至少1種；第3副成分，包含選擇自V2O5、MoO3及WO3所組成之群組中至少1種；第4副成分，包含R1之氧化物(但是，R1係選擇自Sc、Er、Tm、 Yb及Lu所組成之群組中至少1種)；以及第5副成分，包含CaZrO3或CaO+ZrO2。

简体摘要： 一种介电体陶瓷组成物，至少包括：主成分，包含钛酸钡；第1副成分，包含选择自MgO、CaO、BaO及SrO所组成之群组中至少1种；第2副成分，包含选择自Al2O3、 Li2O及B2O3所组成之群组中至少1种；第3副成分，包含选择自V2O5、MoO3及WO3所组成之群组中至少1种；第4副成分，包含R1之氧化物(但是，R1系选择自Sc、Er、Tm、 Yb及Lu所组成之群组中至少1种)；以及第5副成分，包含CaZrO3或CaO+ZrO2。