公开(公告)号：TWI581472B

公开(公告)日：2017-05-01

申请号：TW102137323

申请日：2013-10-16

申请人： 佳能股份有限公司 ,  CANON KABUSHIKI KAISHA

发明人： 小山信也 ,  KOYAMA, SHINYA ,  清水康志 ,  SHIMIZU, YASUSHI ,  久保田純 ,  KUBOTA, MAKOTO ,  上林彰 ,  UEBAYASHI, AKIRA ,  田中秀典 ,  TANAKA, HIDENORI

IPC分类号： H01L41/187

CPC分类号： H01L41/1871 ,  B08B7/02 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/14274 ,  B41J2202/03 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/80 ,  G02B27/0006 ,  H01L41/083 ,  H01L41/0973 ,  H02N2/106 ,  H02N2/163 ,  H04N5/2254

公开(公告)号：TWI535083B

公开(公告)日：2016-05-21

申请号：TW102130264

申请日：2013-08-23

申请人： 佳能股份有限公司 ,  CANON KABUSHIKI KAISHA

发明人： 渡邉之 ,  WATANABE, TAKAYUKI ,  村上俊介 ,  MURAKAMI, SHUNSUKE ,  上田未紀 ,  UEDA, MIKI

IPC分类号： H01L41/187 ,  C04B35/495

CPC分类号： H01L41/1873 ,  B06B1/0611 ,  B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  C04B35/495 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/85 ,  G02B27/0006 ,  H01L41/0471 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/083 ,  H01L41/09 ,  H01L41/273 ,  H01L41/277 ,  H01L41/297 ,  H01L41/333 ,  H02N2/106 ,  H02N2/163 ,  H02N2/183 ,  H04N5/2171 ,  H04N5/23209

公开(公告)号：TWI508336B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：TW102148769

申请日：2013-12-27

申请人： 佳能股份有限公司 ,  CANON KABUSHIKI KAISHA

发明人： 渡邉之 ,  WATANABE, TAKAYUKI ,  村上俊介 ,  MURAKAMI, SHUNSUKE ,  古田達雄 ,  FURUTA, TATSUO

IPC分类号： H01L41/187

CPC分类号： B41J2/14201 ,  B41J2/14233 ,  B41J2002/14258 ,  B41J2202/03 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/79 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/083 ,  H01L41/09 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1871 ,  H01L41/43 ,  H02N2/106 ,  H02N2/163

公开(公告)号：TWI466846B

公开(公告)日：2015-01-01

申请号：TW100134866

申请日：2011-09-27

申请人： 太陽誘電股份有限公司 ,  TAIYO YUDEN CO., LTD.

发明人： 竹岡伸介 ,  TAKEOKA, SHINSUKE

IPC分类号： C04B35/48 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC分类号： H01G4/12 ,  B32B18/00 ,  C04B35/486 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2237/348 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/30 ,  Y10T29/435

公开(公告)号：TW201447942A

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：TW103107767

申请日：2014-03-06

申请人： 村田製作所股份有限公司 ,  MURATA MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 岡本貴史 ,  OKAMOTO, TAKAFUMI ,  鈴木祥一郎 ,  SUZUKI, SHOICHIRO

IPC分类号： H01G4/12 ,  C04B35/46 ,  H01G4/30

CPC分类号： H01G4/1245 ,  C04B35/49 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/012 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/248 ,  H01G4/30

摘要： 本發明提供一種高溫負荷可靠性優異之積層陶瓷電容。本發明之積層陶瓷電容之介電陶瓷層3包含作為元素之Ba、Re(La、Ce、Pr、Nd、Sm中至少1種)、Ti、Zr、M(Mg、Al、Mn、V中至少1種)、Si、及任意之Sr，且包含作為化合物之鈣鈦礦型化合物，該鈣鈦礦型化合物在構成上係包含Ba、Re、Ti、Zr、及任意之Sr，以莫耳份表示元素之量之情形時，將Ti之量及Zr之量之合計設為100時，使Sr之量a滿足0≦a≦20.0之條件、Re之量b滿足0.5≦b≦10.0之條件、Zr之量c滿足46≦c≦90之條件、M之量d滿足0.5≦d≦10.0之條件、Si之量e滿足0.5≦e≦5.0之條件、以及Ba之量及Sr之量及Re之量之合計相對於Ti之量及Zr之量之合計的比m滿足0.990≦m≦1.050之條件。

简体摘要： 本发明提供一种高温负荷可靠性优异之积层陶瓷电容。本发明之积层陶瓷电容之介电陶瓷层3包含作为元素之Ba、Re(La、Ce、Pr、Nd、Sm中至少1种)、Ti、Zr、M(Mg、Al、Mn、V中至少1种)、Si、及任意之Sr，且包含作为化合物之钙钛矿型化合物，该钙钛矿型化合物在构成上系包含Ba、Re、Ti、Zr、及任意之Sr，以莫耳份表示元素之量之情形时，将Ti之量及Zr之量之合计设为100时，使Sr之量a满足0≦a≦20.0之条件、Re之量b满足0.5≦b≦10.0之条件、Zr之量c满足46≦c≦90之条件、M之量d满足0.5≦d≦10.0之条件、Si之量e满足0.5≦e≦5.0之条件、以及Ba之量及Sr之量及Re之量之合计相对于Ti之量及Zr之量之合计的比m满足0.990≦m≦1.050之条件。

公开(公告)号：TW201329017A

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：TW101125030

申请日：2012-07-12

申请人： 日本特殊陶業股份有限公司 ,  NGK SPARK PLUG CO., LTD.

发明人： 山崎正人 ,  YAMAZAKI, MASATO ,  松岡譽幸 ,  MATSUOKA, TAKAYUKI ,  北村和昭 ,  KITAMURA, KAZUAKI ,  山田嗣人 ,  YAMADA, HIDETO ,  倉橋利明 ,  KURAHASHI, TOSHIAKI ,  山際勝也 ,  YAMAGIWA, KATSUYA ,  大林和重 ,  OHBAYASHI, KAZUSHIGE

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/626 ,  G01L23/22

CPC分类号： C04B35/64 ,  B06B1/0618 ,  C04B35/495 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3291 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/80 ,  G01L23/222 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/43

摘要： 無鉛壓電磁器組成物主要包含第1結晶相(KNN相)及第2結晶相(NTK相)。第1結晶相(KNN相)係在包含具有壓電特性的鈮/鉭酸鹼系鈣鈦礦氧化物的複數個晶粒沉積的狀態下結合，第2結晶相(NTK相)係包含含有鈦(Ti)的化合物，且埋住第1結晶相之晶粒間的間隙。

简体摘要： 无铅压电磁器组成物主要包含第1结晶相(KNN相)及第2结晶相(NTK相)。第1结晶相(KNN相)系在包含具有压电特性的铌/钽酸碱系钙钛矿氧化物的复数个晶粒沉积的状态下结合，第2结晶相(NTK相)系包含含有钛(Ti)的化合物，且埋住第1结晶相之晶粒间的间隙。

公开(公告)号：TWI377586B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：TW096145836

申请日：2007-11-29

申请人： 京瓷股份有限公司

发明人： 山崎洋一 ,  大鈴英之 ,  藤岡芳博 ,  福田大輔

IPC分类号： H01G

CPC分类号： H01G4/1227 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  H01G4/30

摘要： 本發明所提供的積層陶瓷電容器，係能抑制在高溫負荷試驗中隨時間變化所造成的絕緣電阻降低，且即使在製造步驟中未設置再氧化處理的步驟，仍可具有高絕緣性。
本發明的積層陶瓷電容器係將由介電質陶瓷構成的介電質層、與內部電極層交錯積層形成，其中，構成上述介電質陶瓷的結晶係由第1結晶群與第2結晶群構成；該第1結晶群係由以鈦酸鋇為主成分且鈣濃度在0.2原子%以下的結晶粒子構成；該第2結晶群係由鈣濃度達0.4原子%以上的結晶粒子構成；上述構成第1結晶群之結晶粒子之表層部的鎂與稀土族元素之各濃度(C1)、與構成第1結晶群之結晶粒子9a之中央部所含鎂與稀土族元素之各濃度(C2)的比(C2/C1)，分別大於構成第2結晶群之結晶粒子9b的同濃度比(C4/C3)，且當將上述構成第1結晶群之結晶粒子的面積比例設為a，將上述構成第2結晶群之結晶粒子的比例設為b時，b/(a+b)比係0.5~0.8。

简体摘要： 本发明所提供的积层陶瓷电容器，系能抑制在高温负荷试验中随时间变化所造成的绝缘电阻降低，且即使在制造步骤中未设置再氧化处理的步骤，仍可具有高绝缘性。 本发明的积层陶瓷电容器系将由介电质陶瓷构成的介电质层、与内部电极层交错积层形成，其中，构成上述介电质陶瓷的结晶系由第1结晶群与第2结晶群构成；该第1结晶群系由以钛酸钡为主成分且钙浓度在0.2原子%以下的结晶粒子构成；该第2结晶群系由钙浓度达0.4原子%以上的结晶粒子构成；上述构成第1结晶群之结晶粒子之表层部的镁与稀土族元素之各浓度(C1)、与构成第1结晶群之结晶粒子9a之中央部所含镁与稀土族元素之各浓度(C2)的比(C2/C1)，分别大于构成第2结晶群之结晶粒子9b的同浓度比(C4/C3)，且当将上述构成第1结晶群之结晶粒子的面积比例设为a，将上述构成第2结晶群之结晶粒子的比例设为b时，b/(a+b)比系0.5~0.8。

公开(公告)号：TWI356048B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：TW096145761

申请日：2007-11-30

申请人： 村田製作所股份有限公司

发明人： 鈴木祥一郎

IPC分类号： C04B ,  H01B ,  H01G

CPC分类号： H01G4/1227 ,  C01G23/002 ,  C01G23/006 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/49 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/79 ,  H01B3/12 ,  H01G4/30

摘要： 本發明提供一種介電質陶瓷，其適合在175℃程度之高溫中仍可穩定使用之積層陶瓷電容。本發明將以組成式：(Ba1－x－yCaxSny)m(Ti1－zZrz)O3表示之鈣鈦礦型化合物(其中前述X、y、z、m分別滿足0.990≦m≦1.015、0≦x≦0.20、0.02≦y≦0.20、0≦z≦0.05)作為主成分，對於前述主成分100莫耳份包含0.5~20莫耳份RE(其中RE為選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu中之至少一種)作為副成分。

简体摘要： 本发明提供一种介电质陶瓷，其适合在175℃程度之高温中仍可稳定使用之积层陶瓷电容。本发明将以组成式：(Ba1－x－yCaxSny)m(Ti1－zZrz)O3表示之钙钛矿型化合物(其中前述X、y、z、m分别满足0.990≦m≦1.015、0≦x≦0.20、0.02≦y≦0.20、0≦z≦0.05)作为主成分，对于前述主成分100莫耳份包含0.5~20莫耳份RE(其中RE为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu中之至少一种)作为副成分。

公开(公告)号：TWI328820B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：TW096108507

申请日：2007-03-13

申请人： TDK股份有限公司

发明人： 增村均 ,  朝日聖 ,  小林禮智

IPC分类号： H01G

CPC分类号： H01G4/1227 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/30

摘要： 本發明係提供一種介電質瓷器組成物，其除了具有在煅燒時的優異耐還原性、在煅燒後的優異電容量溫度(Capacitance－Temperature)特性及介電特性之外，同時亦可提高絕緣電阻的壽命。
本發明係一種介電質瓷器組成物，其相對於(BaO)m．TiO2(m為0.990至0.995)100重量份，係含有0.18至0.5重量份的Yb2O3、0.6至1.5重量份的MgO、0.4至1.5重量份的CaSiO3、0.02至0.2重量份的WO3、0.1至0.4重量份的MnCO3及0.02至0.2重量份的MoO3。

简体摘要： 本发明系提供一种介电质瓷器组成物，其除了具有在煅烧时的优异耐还原性、在煅烧后的优异电容量温度(Capacitance－Temperature)特性及介电特性之外，同时亦可提高绝缘电阻的寿命。 本发明系一种介电质瓷器组成物，其相对于(BaO)m．TiO2(m为0.990至0.995)100重量份，系含有0.18至0.5重量份的Yb2O3、0.6至1.5重量份的MgO、0.4至1.5重量份的CaSiO3、0.02至0.2重量份的WO3、0.1至0.4重量份的MnCO3及0.02至0.2重量份的MoO3。

公开(公告)号：TW201003692A

公开(公告)日：2010-01-16

申请号：TW098110822

申请日：2009-04-01

申请人： TDK股份有限公司

发明人： 山下友宏 ,  野中智明 ,  橋本晋亮 ,  佐佐木洋 ,  藤川佳則

IPC分类号： H01G

CPC分类号： C04B35/468 ,  B82Y30/00 ,  C01G23/006 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/62821 ,  C04B35/62897 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/5481 ,  C04B2235/549 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/724 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/79

摘要： 本發明藉由熱處理比表面積為20m 2 /g以上、金紅石化率低的二氧化鈦粒子與碳酸鋇，而提供一種具有高結晶性，均一且微細的鈦酸鋇粉末的製造方法。一種介電體粒子的製造方法，包括：準備混合金紅石化率30%以下、比表面積20m 2 /g以上的二氧化鈦粒子與碳酸鋇粒子，以準備混合粉末的步驟；熱處理該混合粉末，而在二氧化鈦粒子表面使15重量%以上生成平均厚度3nm以上的連續鈦酸鋇相的第1熱處理步驟；以及在800~1000℃進行熱處理的第2熱處理步驟。

简体摘要： 本发明借由热处理比表面积为20m 2 /g以上、金红石化率低的二氧化钛粒子与碳酸钡，而提供一种具有高结晶性，均一且微细的钛酸钡粉末的制造方法。一种介电体粒子的制造方法，包括：准备混合金红石化率30%以下、比表面积20m 2 /g以上的二氧化钛粒子与碳酸钡粒子，以准备混合粉末的步骤；热处理该混合粉末，而在二氧化钛粒子表面使15重量%以上生成平均厚度3nm以上的连续钛酸钡相的第1热处理步骤；以及在800~1000℃进行热处理的第2热处理步骤。