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    層合體之製造方法以及基板之製造方法
    1.
    发明专利
    層合體之製造方法以及基板之製造方法 审中-公开
    层合体之制造方法以及基板之制造方法

    公开(公告)号：TW202030298A

    公开(公告)日：2020-08-16

    申请号：TW108139391

    申请日：2019-10-31

    Applicant: 日商信越化學工業股份有限公司 ,  SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

    Inventor： 田辺正人 ,  TANABE, MASAHITO ,  菅生道博 ,  SUGO, MICHIHIRO

    IPC: C09J183/04 ,  B32B43/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/304

    Abstract: 本發明提供可經由暫時接著材使基板與支撐體容易接合，且熱製程耐性優異，剝離亦容易，且可提高薄型基板之生產性的層合體之製造方法。 本發明之層合體之製造方法係將背面應加工之基板的非加工面與支撐體經由暫時接著材接合的層合體之製造方法，其特徵係具有下述步驟：於前述基板之非加工面及前述支撐體中之任一者或兩者層合前述暫時接著材之步驟(a)，於接合開始前預先加熱前述基板與前述支撐體之步驟(b)，及將前述基板與前述支撐體經由前述暫時接著材而接合之步驟(c)，前述步驟(b)中，將前述基板加熱至50℃以上250℃以下之溫度，將前述支撐體加熱至50℃以上250℃以下且與前述基板不同之溫度，並且於前述步驟(c)中，於預先加熱之前述基板之溫度與前述支撐體之溫度不同之狀態開始接合。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供可经由暂时接着材使基板与支撑体容易接合，且热制程耐性优异，剥离亦容易，且可提高薄型基板之生产性的层合体之制造方法。 本发明之层合体之制造方法系将背面应加工之基板的非加工面与支撑体经由暂时接着材接合的层合体之制造方法，其特征系具有下述步骤：于前述基板之非加工面及前述支撑体中之任一者或两者层合前述暂时接着材之步骤(a)，于接合开始前预先加热前述基板与前述支撑体之步骤(b)，及将前述基板与前述支撑体经由前述暂时接着材而接合之步骤(c)，前述步骤(b)中，将前述基板加热至50℃以上250℃以下之温度，将前述支撑体加热至50℃以上250℃以下且与前述基板不同之温度，并且于前述步骤(c)中，于预先加热之前述基板之温度与前述支撑体之温度不同之状态开始接合。

    含有聚矽氧骨架之高分子化合物、光硬化性樹脂組成物、光硬化性乾薄膜、層合體及圖型形成方法
    5.
    发明专利
    含有聚矽氧骨架之高分子化合物、光硬化性樹脂組成物、光硬化性乾薄膜、層合體及圖型形成方法 审中-公开
    含有聚硅氧骨架之高分子化合物、光硬化性树脂组成物、光硬化性干薄膜、层合体及图型形成方法

    公开(公告)号：TW201819475A

    公开(公告)日：2018-06-01

    申请号：TW106110873

    申请日：2017-03-30

    Applicant: 信越化學工業股份有限公司 ,  SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

    Inventor： 丸山仁 ,  MARUYAMA, HITOSHI ,  近藤和紀 ,  KONDO, KAZUNORI ,  菅生道博 ,  SUGO, MICHIHIRO

    IPC: C08G77/455 ,  C08G77/52 ,  G03F7/038 ,  G03F7/075 ,  H01L21/312

    Abstract: 本發明提供一種容易進行厚膜且微細圖型之形成，且，具有耐龜裂性，或對基板、電子零件或半導體元件等，特別是對線路基板所使用的基材可形成具有優良密著性等的各種薄膜特性之電氣‧電子零件保護用被膜，或作為基板接合用被膜等實可形成具有優良信賴性的硬化物層(硬化被膜)的含有聚矽氧骨架之高分子化合物、含有該高分子化合物之光硬化性樹脂組成物、該光硬化性乾薄膜、使用該些之層合體，及圖型形成方法。 一種含有聚矽氧骨架之高分子化合物，其為含有下述式(1)所示聚矽氧骨架，且重量平均分子量為3,000~500,000者。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种容易进行厚膜且微细图型之形成，且，具有耐龟裂性，或对基板、电子零件或半导体组件等，特别是对线路基板所使用的基材可形成具有优良密着性等的各种薄膜特性之电气‧电子零件保护用被膜，或作为基板接合用被膜等实可形成具有优良信赖性的硬化物层(硬化被膜)的含有聚硅氧骨架之高分子化合物、含有该高分子化合物之光硬化性树脂组成物、该光硬化性干薄膜、使用该些之层合体，及图型形成方法。 一种含有聚硅氧骨架之高分子化合物，其为含有下述式(1)所示聚硅氧骨架，且重量平均分子量为3,000~500,000者。

    晶圓加工體及晶圓加工方法
    6.
    发明专利
    晶圓加工體及晶圓加工方法 审中-公开
    晶圆加工体及晶圆加工方法

    公开(公告)号：TW201732869A

    公开(公告)日：2017-09-16

    申请号：TW105138891

    申请日：2016-11-25

    Applicant: 信越化學工業股份有限公司 ,  SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

    Inventor： 田上昭平 ,  TAGAMI, SHOHEI ,  菅生道博 ,  SUGO, MICHIHIRO ,  加藤英人 ,  KATO, HIDETO

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/673

    CPC classification number: H01L21/6836 ,  C08G77/04 ,  C08G77/455 ,  C08G77/52 ,  C09J183/04 ,  C09J183/10 ,  C09J183/14 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386

    Abstract: 本發明之課題為提供一種材料選擇範圍廣，將加工後的晶圓進行分離、取出的步驟簡便，可因應於各種製程上的要求，且可提高薄型晶圓之生產性的晶圓加工體。本發明之解決手段為，一種晶圓加工體，其係於支撐體上層合暫時性接著材層，且於前述暫時性接著材層上層合表面具有電路面且應對背面進行加工的晶圓之晶圓加工體，其特徵為，前述暫時性接著材層係包含被層合於前述晶圓的表面之由熱塑性樹脂層(A)所構成的第一暫時性接著層、與被層合於該第一暫時性接著層之由熱硬化性樹脂層(B)所構成的第二暫時性接著層，前述熱塑性樹脂層(A)係在晶圓之加工後可溶於洗淨溶劑(D)者，前述熱硬化性樹脂層(B)係在熱硬化後不溶於前述洗淨溶劑(D)但會吸收前述洗淨溶劑(D)使前述洗淨溶劑(D)浸透者。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题为提供一种材料选择范围广，将加工后的晶圆进行分离、取出的步骤简便，可因应于各种制程上的要求，且可提高薄型晶圆之生产性的晶圆加工体。本发明之解决手段为，一种晶圆加工体，其系于支撑体上层合暂时性接着材层，且于前述暂时性接着材层上层合表面具有电路面且应对背面进行加工的晶圆之晶圆加工体，其特征为，前述暂时性接着材层系包含被层合于前述晶圆的表面之由热塑性树脂层(A)所构成的第一暂时性接着层、与被层合于该第一暂时性接着层之由热硬化性树脂层(B)所构成的第二暂时性接着层，前述热塑性树脂层(A)系在晶圆之加工后可溶于洗净溶剂(D)者，前述热硬化性树脂层(B)系在热硬化后不溶于前述洗净溶剂(D)但会吸收前述洗净溶剂(D)使前述洗净溶剂(D)浸透者。

    晶圓加工用暫時黏著材料、使用此晶圓加工用暫時黏著材料之晶圓加工用構件、晶圓加工體及薄型晶圓的製作方法
    10.
    发明专利
    晶圓加工用暫時黏著材料、使用此晶圓加工用暫時黏著材料之晶圓加工用構件、晶圓加工體及薄型晶圓的製作方法 审中-公开
    晶圆加工用暂时黏着材料、使用此晶圆加工用暂时黏着材料之晶圆加工用构件、晶圆加工体及薄型晶圆的制作方法

    公开(公告)号：TW201410831A

    公开(公告)日：2014-03-16

    申请号：TW102116250

    申请日：2013-05-07

    Applicant: 信越化學工業股份有限公司 ,  SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

    Inventor： 田邊正人 ,  TANABE, MASAHITO ,  菅生道博 ,  SUGO, MICHIHIRO ,  田上昭平 ,  TAGAMI, SHOHEI ,  安田浩之 ,  YASUDA, HIROYUKI ,  加藤英人 ,  KATO, HIDETO

    IPC: C09J7/02 ,  C09J183/04 ,  H01L21/683

    CPC classification number: C09J7/0228 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B27/283 ,  B32B2457/14 ,  C09J7/35 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  C09J2483/00 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  Y10T428/2839

    Abstract: 本發明的問題在於提供一種維持剝離後的清洗性，並具有適度的剝離力的晶圓加工體、晶圓加工用構件、晶圓加工用暫時黏著材料及使用此晶圓加工用暫時黏著材料之薄型晶圓的製作方法。為了解決此問題，本發明提供一種晶圓加工用暫時黏著材料，用以將表面具有電路面且背面應加工之晶圓，暫時黏著於支持體上，該晶圓加工用暫時黏著材料的特徵在於：該晶圓加工用暫時黏著材料，是由以下二層矽氧烷所構成：第一暫時黏著材料層，其是由可剝離地黏著於前述晶圓的表面上之熱可塑性樹脂改質有機聚矽氧烷層(A)所構成，該熱可塑性樹脂改質有機聚矽氧烷層(A)是由含有R21R22R23SiO1/2單元(R21、R22及R23分別為未取代或取代的碳原子數1~10的1價烴基或羥基)和SiO4/2單元，且前述R21R22R23SiO1/2單元/SiO4/2單元的莫耳比為0.6~1.7的有機聚矽氧烷樹脂，與由下述通式(1)所表示之有機聚矽氧烷進行部分脫水縮合而成；及，第二暫時黏著材料層，其是積層於該第一暫時黏著材料層上，並由黏著於上述支持體上且可剝離的熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)所構成； (式中，R11及R12分別表示未取代或取代的碳原子數1~10的1價烴基，n為5000~10000)。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明的问题在于提供一种维持剥离后的清洗性，并具有适度的剥离力的晶圆加工体、晶圆加工用构件、晶圆加工用暂时黏着材料及使用此晶圆加工用暂时黏着材料之薄型晶圆的制作方法。为了解决此问题，本发明提供一种晶圆加工用暂时黏着材料，用以将表面具有电路面且背面应加工之晶圆，暂时黏着于支持体上，该晶圆加工用暂时黏着材料的特征在于：该晶圆加工用暂时黏着材料，是由以下二层硅氧烷所构成：第一暂时黏着材料层，其是由可剥离地黏着于前述晶圆的表面上之热可塑性树脂改质有机聚硅氧烷层(A)所构成，该热可塑性树脂改质有机聚硅氧烷层(A)是由含有R21R22R23SiO1/2单元(R21、R22及R23分别为未取代或取代的碳原子数1~10的1价烃基或羟基)和SiO4/2单元，且前述R21R22R23SiO1/2单元/SiO4/2单元的莫耳比为0.6~1.7的有机聚硅氧烷树脂，与由下述通式(1)所表示之有机聚硅氧烷进行部分脱水缩合而成；及，第二暂时黏着材料层，其是积层于该第一暂时黏着材料层上，并由黏着于上述支持体上且可剥离的热硬化性改质硅氧烷聚合物层(B)所构成； (式中，R11及R12分别表示未取代或取代的碳原子数1~10的1价烃基，n为5000~10000)。

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